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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-40HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFR100 10.1800
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFR100 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 1000 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
VS-12FL10S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FL10S02 4.5774
RFQ
ECAD 9945 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 12FL10 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.4 V @ 12 a 200 ns 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
TZMB5V1-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB5V1-GS08 0.3100
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB5V1 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 5.1 v 60 옴
SML4759HE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4759HE3/5A -
RFQ
ECAD 6940 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4759 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
VS-4EVH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4EVH02-M3/I 0.6100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 4EVH02 기준 Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 4 a 25 ns 3 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a -
MMBZ4624-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4624-E3-18 -
RFQ
ECAD 2572 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4624 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 3 v 4.7 v 1550 옴
BYT78-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT78-TR 1.1500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYT78 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.2 v @ 3 a 250 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
SMZJ3788BHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3788bhm3_a/i -
RFQ
ECAD 7483 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3788 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 50 µa @ 7 v 9.1 v 4 옴
BZT52B24-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B24-E3-18 0.0415
RFQ
ECAD 2840 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B24 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 18 v 24 v 70 옴
VS-26MB10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-26MB10A 8.9500
RFQ
ECAD 7776 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, D-34 26MB10 기준 D-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 10 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
1N4004E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004E-E3/73 -
RFQ
ECAD 5397 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
IRKE56/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division irke56/12a -
RFQ
ECAD 8252 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (2) irke56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1200 v 10 ma @ 1200 v 60a -
CS1M-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division CS1M-E3/H -
RFQ
ECAD 6399 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CS1 기준 DO-214AC (SMA) - 귀 99 8541.10.0080 1,800 1000 v 1.12 V @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
M3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M3060C-E3/4W -
RFQ
ECAD 7111 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 M3060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 720 MV @ 15 a 350 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
V10PM6-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pm6-m3/h 0.6600
RFQ
ECAD 488 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v10pm6 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 10 a 800 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 1650pf @ 4v, 1MHz
VS-15ETX06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETX06STRL-M3 0.6174
RFQ
ECAD 3925 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15etx06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3.2 v @ 15 a 32 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-T85HFL40S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T85HFL40S02 40.9080
RFQ
ECAD 6993 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T85 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 200 ns 20 ma @ 400 v 85A -
BYG10J-M3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG10J-M3/TR3 0.1485
RFQ
ECAD 9166 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 600 v 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
BAW56-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAW56-HE3-18 0.0303
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 baw56 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 70 v 250ma 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 ma @ 70 v 150 ° C (°)
1N5622GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5622GP-E3/54 -
RFQ
ECAD 7172 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5622 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 1000 v 1.2 v @ 1 a 2 µs 500 NA @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 12v, 1MHz
VS-30CTQ100PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ100PBF -
RFQ
ECAD 9431 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 30CTQ100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 860 mV @ 15 a 550 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
VBT2045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2045C-E3/8W 0.8206
RFQ
ECAD 7878 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt2045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 580 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-71HFLR100S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-71HFLR100S05 17.2624
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 71HFLR100 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS71HFLR100S05 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.35 V @ 220 a -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
SBYV27-200-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV27-200-E3/54 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SBYV27 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.07 V @ 3 a 15 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-50WQ04FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ04FNTR-M3 0.7600
RFQ
ECAD 972 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 510 mV @ 5 a 3 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 405pf @ 5V, 1MHz
GI816-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI816-E3/73 -
RFQ
ECAD 9961 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GI816 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 600 v 1.2 v @ 1 a 750 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
1N4946GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4946GP-M3/54 -
RFQ
ECAD 8038 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4946 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 1 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
18TQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 18TQ035 -
RFQ
ECAD 4708 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 18TQ035 Schottky TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 600 mV @ 18 a 2.5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a -
VS-19TQ015SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-19TQ015SPBF -
RFQ
ECAD 7709 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 19TQ015 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 360 MV @ 19 a 1.5 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C 19a -
VS-VSKC56/14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC56/14 35.4680
RFQ
ECAD 5161 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskc56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKC5614 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 1400 v 30A 10 ma @ 1400 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고