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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-40HFR100 | 10.1800 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 40HFR100 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1000 v | 1.3 v @ 125 a | 9 ma @ 1000 v | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | ||||||||||||
![]() | VS-12FL10S02 | 4.5774 | ![]() | 9945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 12FL10 | 기준 | DO-203AA (DO-4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.4 V @ 12 a | 200 ns | 50 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | |||||||||||
![]() | TZMB5V1-GS08 | 0.3100 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMB5V1 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 1 v | 5.1 v | 60 옴 | |||||||||||||
![]() | SML4759HE3/5A | - | ![]() | 6940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4759 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µa @ 47.1 v | 62 v | 125 옴 | ||||||||||||||
![]() | VS-4EVH02-M3/I | 0.6100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 4EVH02 | 기준 | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 4 a | 25 ns | 3 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 4a | - | |||||||||||
MMBZ4624-E3-18 | - | ![]() | 2572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4624 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µa @ 3 v | 4.7 v | 1550 옴 | |||||||||||||||
![]() | BYT78-TR | 1.1500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | BYT78 | 눈사태 | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.2 v @ 3 a | 250 ns | 5 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | smzj3788bhm3_a/i | - | ![]() | 7483 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMZJ3788 | 1.5 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 50 µa @ 7 v | 9.1 v | 4 옴 | ||||||||||||||
![]() | BZT52B24-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 2840 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B24 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 18 v | 24 v | 70 옴 | ||||||||||||||
![]() | VS-26MB10A | 8.9500 | ![]() | 7776 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, D-34 | 26MB10 | 기준 | D-34 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 µa @ 100 v | 25 a | 단일 단일 | 100 v | ||||||||||||||
![]() | 1N4004E-E3/73 | - | ![]() | 5397 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4004 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | irke56/12a | - | ![]() | 8252 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (2) | irke56 | 기준 | Add-a-Pak® | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 1200 v | 10 ma @ 1200 v | 60a | - | ||||||||||||||
![]() | CS1M-E3/H | - | ![]() | 6399 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CS1 | 기준 | DO-214AC (SMA) | - | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 짐 | 1000 v | 1.12 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | M3060C-E3/4W | - | ![]() | 7111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | M3060 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 720 MV @ 15 a | 350 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | v10pm6-m3/h | 0.6600 | ![]() | 488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v10pm6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 640 mV @ 10 a | 800 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 1650pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-15ETX06STRL-M3 | 0.6174 | ![]() | 3925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 15etx06 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 3.2 v @ 15 a | 32 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 15a | - | |||||||||||
![]() | VS-T85HFL40S02 | 40.9080 | ![]() | 6993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | D-55 T- 5 | T85 | 기준 | D-55 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 200 ns | 20 ma @ 400 v | 85A | - | |||||||||||||
![]() | BYG10J-M3/TR3 | 0.1485 | ![]() | 9166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | byg10 | 눈사태 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 짐 | 600 v | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | |||||||||||
BAW56-HE3-18 | 0.0303 | ![]() | 9148 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | baw56 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 70 v | 250ma | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 ma @ 70 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||
![]() | 1N5622GP-E3/54 | - | ![]() | 7172 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 1N5622 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 짐 | 1000 v | 1.2 v @ 1 a | 2 µs | 500 NA @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 12v, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-30CTQ100PBF | - | ![]() | 9431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 30CTQ100 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 15a | 860 mV @ 15 a | 550 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | VBT2045C-E3/8W | 0.8206 | ![]() | 7878 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | vbt2045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 10A | 580 mV @ 10 a | 2 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-71HFLR100S05 | 17.2624 | ![]() | 7137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 71HFLR100 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS71HFLR100S05 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1000 v | 1.35 V @ 220 a | -65 ° C ~ 180 ° C | 70A | - | ||||||||||||
![]() | SBYV27-200-E3/54 | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | SBYV27 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.07 V @ 3 a | 15 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-50WQ04FNTR-M3 | 0.7600 | ![]() | 972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 50WQ04 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 510 mV @ 5 a | 3 ma @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5A | 405pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | GI816-E3/73 | - | ![]() | 9961 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | GI816 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 750 ns | 10 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1N4946GP-M3/54 | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4946 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 v @ 1 a | 250 ns | 1 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
18TQ035 | - | ![]() | 4708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 18TQ035 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 600 mV @ 18 a | 2.5 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 18a | - | |||||||||||||
![]() | VS-19TQ015SPBF | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 19TQ015 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 15 v | 360 MV @ 19 a | 1.5 ma @ 15 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 19a | - | ||||||||||||
![]() | VS-VSKC56/14 | 35.4680 | ![]() | 5161 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3) | vskc56 | 기준 | Add-a-Pak® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKC5614 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1400 v | 30A | 10 ma @ 1400 v | -40 ° C ~ 150 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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