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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BYG24J-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG24J-M3/TR 0.1223
RFQ
ECAD 2217 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG24 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1.5 a 140 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-SD1100C08L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1100C08L 103.5233
RFQ
ECAD 8984 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 스터드 스터드 DO-200AA, A-PUK SD1100 기준 B-43,, 푸크 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 800 v 1.31 V @ 1500 a 15 ma @ 800 v 1170A -
VS-8TQ080GSTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ080GSTRRPBF -
RFQ
ECAD 5063 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8tq080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vs8tq080gstrrpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 720 MV @ 8 a 280 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 500pf @ 5V, 1MHz
VSSAF3M6-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf3m6-m3/i 0.1188
RFQ
ECAD 8344 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS®, Slimsma ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SAF3M6 Schottky DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 620 MV @ 3 a 300 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 3A 500pf @ 4V, 1MHz
BY229B-400HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229B-400HE3/45 -
RFQ
ECAD 3222 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB by229 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.85 V @ 20 a 145 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-240U120D Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-240U120D 49.0900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 240U120 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 1200 v 1.33 V @ 750 a 15 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
PTV20B-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV20B-E3/85A -
RFQ
ECAD 8488 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV20 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 15 v 21.2 v 14 옴
BZG04-22-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-22-M3-08 0.5400
RFQ
ECAD 3357 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 22 v 27 v
VS-30EPH03-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPH03-N3 6.2500
RFQ
ECAD 405 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 30eph03 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 30 a 38 ns 60 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
MMBZ4618-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4618-G3-08 -
RFQ
ECAD 3908 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4618 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 µa @ 1 v 2.7 v 1500 옴
1N4933GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4933GP-M3/54 -
RFQ
ECAD 4425 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4933 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SEG10FGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division seg10fghm3/i 0.4300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 400 v 1.1 v @ 700 ma 1.2 µs 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 7.3pf @ 4V, 1MHz
AZ23C10-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C10-E3-08 0.3100
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C10 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
VS-SD703C25S20L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD703C25S20L 125.7600
RFQ
ECAD 9444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD703 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 2500 v 2.2 v @ 1500 a 3 µs 50 ma @ 2500 v 700A -
BYW56-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW56-TAP 0.6700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BYW56 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1000 v 1 V @ 1 a 4 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
SA2D-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2D-M3/5AT 0.0717
RFQ
ECAD 1255 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SA2 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 200 v 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 3 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
VS-T85HF20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T85HF20 31.4570
RFQ
ECAD 6995 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T85 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 200 v 20 ma @ 200 v 85A -
RGP10K-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10K-E3/53 -
RFQ
ECAD 5700 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5230C-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5230C-HE3_A-08 0.0566
RFQ
ECAD 3768 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5230C-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
SE07PJ-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE07PJ-E3/84A -
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SE07 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.05 V @ 700 ma 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 700ma 5pf @ 4V, 1MHz
VBT3080C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3080C-E3/8W 1.5300
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt3080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 15a 820 MV @ 15 a 700 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
SB040-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/53 -
RFQ
ECAD 2050 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 SB040 Schottky MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 600 mA 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 600ma -
VS-5EWX06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewx06fntrr-m3 0.3652
RFQ
ECAD 6898 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 5ewx06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs5ewx06fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.9 V @ 5 a 18 ns 20 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 5a -
BYG22A-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG22A-M3/TR 0.1898
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG22 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.1 v @ 2 a 25 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
RGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1B-E3/67A 0.5400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214BA RGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
FES8CT-5400HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8CT-5400HE3/45 -
RFQ
ECAD 1569 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 FES8 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.5 v @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
V10P6-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p6-m3/86a 0.7600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v10p6 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 590 mV @ 10 a 1.9 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 4.3A -
VS-40CTQ045S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ045S-M3 2.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 40ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 530 mV @ 20 a 3 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
12TQ045STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12TQ045STRL -
RFQ
ECAD 9008 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
HFA140NH60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA140NH60 -
RFQ
ECAD 8980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 하프 7 HFA140 기준 D-67 하프 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.6 V @ 140 a 140 ns 40 µa @ 600 v 140a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고