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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GI2401HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2401HE3/45 -
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 GI2401 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 16A 975 MV @ 8 a 35 ns 50 @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-307UA200 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-307UA200 -
RFQ
ECAD 4322 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 307UA200 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS307UA200 귀 99 8541.10.0080 12 2000 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 330a -
VS-VSKCS303/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKCS303/100 -
RFQ
ECAD 5804 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) VSKCS303 Schottky Add-a-Pak® - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKCS303100 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 150a 950 mV @ 150 a 4.5 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBRF1050-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1050-E3/45 -
RFQ
ECAD 6139 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBRF1050 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-15CTQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045STRRPBF -
RFQ
ECAD 2940 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 700 mV @ 15 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
GI1402-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1402-E3/45 0.5298
RFQ
ECAD 9175 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 GI1402 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 8 a 35 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 8a -
MMSZ4706-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4706-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 5248 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4706 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 14.4 v 19 v
VS-8TQ080GSTRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ080GSTRLPBF -
RFQ
ECAD 1804 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8tq080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vs8tq080gstrlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 720 MV @ 8 a 280 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 500pf @ 5V, 1MHz
VS-75EPU12LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-75EPU12LHN3 3.6952
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 75epu12 기준 TO-247AD 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.55 V @ 75 a 265 ns 420 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 75a -
200HFR40PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division 200hfr40pv -
RFQ
ECAD 1915 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 200hfr40 기준 DO-205AC (DO-30) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *200hfr40pv 귀 99 8541.10.0080 25 400 v 1.45 V @ 628 a 15 ma @ 400 v -40 ° C ~ 180 ° C 200a -
V20PWM10CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pwm10chm3/i 1.1500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 V20PWM10 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 820 MV @ 10 a 150 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
SBLF2030CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF2030CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBLF2030 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 10A 600 mV @ 10 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N5619GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5619GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 9075 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5619 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 250 ns 500 NA @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
EGL34D/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34D/1 -
RFQ
ECAD 1192 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AA (유리) EGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 500 ma 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7pf @ 4V, 1MHz
SS1FL4-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1FL4-M3/H 0.4800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ss1fl4 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 115pf @ 4V, 1MHz
GPP20K-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP20K-E3/54 0.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GPP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 800 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
GP08GE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP08GE-E3/54 0.1840
RFQ
ECAD 6776 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP08 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 400 v 1.3 v @ 800 ma 2 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 800ma -
IRKJ71/10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKJ71/10A -
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (2) IRKJ71 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 양극 양극 공통 1000 v 80a 10 ma @ 1000 v
VS-MBR3045WTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr3045wtpbf -
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR30 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 760 mV @ 30 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
GP08G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP08G-E3/54 0.1780
RFQ
ECAD 6288 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP08 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 400 v 1.3 v @ 800 ma 2 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 800ma -
B360A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B360A-E3/61T 0.5300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B360 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 720 MV @ 3 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 145pf @ 4V, 1MHz
V6KM45DU-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v6km45du-m3/i 0.2478
RFQ
ECAD 5583 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn v6km45 Schottky flatpak 5x6 (이중) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 45 v 3A 610 mV @ 3 a 150 µa @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-6F10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6F10 5.2510
RFQ
ECAD 2429 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6f10 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 100 v 1.1 v @ 19 a 12 ma @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
BZG03B15-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B15-HM3-18 0.2310
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B15 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 11 v 15 v 10 옴
PLZ11C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz11c-hg3_a/h 0.3600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz11 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 8 v 11 v 10 옴
V2P22LHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2p22lhm3/i 0.1178
RFQ
ECAD 7682 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v2p22 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V2P22LHM3/ITR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 760 mV @ 1 a 40 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C 1.6a 90pf @ 4V, 1MHz
VS-50WQ03FNTRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq03fntrlpbf -
RFQ
ECAD 4194 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 460 mV @ 5 a 3 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 590pf @ 5V, 1MHz
BAV19WS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV19WS-E3-18 0.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 bav19 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
EGL41BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41BHE3_A/I -
RFQ
ECAD 6688 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) EGL41 기준 do-213ab 다운로드 영향을받지 영향을받지 EGL41BHE3_B/I 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
VS-6CSH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CSH01-M3/86A 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 6CSH01 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3A 940 MV @ 3 a 20 ns 2 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고