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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
V12PM15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12pm15hm3/h 0.8800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v12pm15 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.08 V @ 12 a 250 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 12a 860pf @ 4V, 1MHz
CSA2J-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division CSA2J-E3/H -
RFQ
ECAD 6128 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CSA2 기준 DO-214AC (SMA) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 600 v 1.15 V @ 2 a 2.1 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
BZX85C24-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C24-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX85 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C24 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 18 v 24 v 25 옴
AS3PGHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division as3pghm3/86a -
RFQ
ECAD 2980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AS3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 400 v 920 MV @ 1.5 a 1.2 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.1a 37pf @ 4V, 1MHz
SMZJ3806AHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3806EHE3/52 -
RFQ
ECAD 9235 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj38 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 38.8 v 51 v 70 옴
GPP15M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP15M-E3/54 -
RFQ
ECAD 8345 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GPP15 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 1000 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 8pf @ 4V, 1MHz
FESF8DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fesf8dthe3_a/p 0.9405
RFQ
ECAD 9314 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 FESF8 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-C5TX3012-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C5TX3012-M3 2.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 C5TX3012 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-C5TX3012-M3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.3 v @ 15 a 44 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
US1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1DHE3_A/I 0.1195
RFQ
ECAD 3692 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MPG06K-E3/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06K-E3/100 0.1487
RFQ
ECAD 9271 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 MPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 800 v 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZT52B11-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B11-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 9548 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B11 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 8.5 v 11 v 6 옴
VSS8D2M12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d2m12-m3/i 0.4100
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S8D2 Schottky Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 600 mV @ 1 a 250 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 1.9a 220pf @ 4V, 1MHz
VS-S1270 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1270 -
RFQ
ECAD 5959 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 S1270 - 112-VS-S1270 1
BZX84B24-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B24-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 4892 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B24 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 16.8 v 23.5 v 70 옴
GP10D-5400M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10D-5400M3/54 -
RFQ
ECAD 1696 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZG05C75-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C75-M3-18 0.1089
RFQ
ECAD 6477 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C75 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 56 v 75 v 135 옴
VS-15ETL06STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15etl06strrpbf -
RFQ
ECAD 4319 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15etl06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs15etl06strrpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.2 v @ 15 a 29 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-8EWS10STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews10str-m3 0.4950
RFQ
ECAD 6418 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ews10 기준 D-PAK (TO-252AA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 1000 v 1.1 v @ 8 a 50 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BZD27C11P-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C11P-M-18 -
RFQ
ECAD 6102 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
FEP16DT-33HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16DT-33HE3/45 -
RFQ
ECAD 5635 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 fep16 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 16A 1.3 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
V20120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120C-E3/4W 1.5300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 V20120 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 10A 900 mV @ 10 a 700 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
VB30120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30120C-E3/4W 0.9933
RFQ
ECAD 8894 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB30120 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 970 MV @ 15 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
ES2G-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2G-E3/5BT 0.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 2 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
VSS8D5M6HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d5m6hm3/h 0.4400
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S8D5 Schottky Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 MV @ 2.5 a 350 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 2.7a 620pf @ 4V, 1MHz
TLZ12B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ12B-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 9902 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ12 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 na @ 10.9 v 12 v 12 옴
BZD27C22P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C22P-M3-08 0.1500
RFQ
ECAD 1817 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C22 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16 v 22 v 15 옴
VS-6CWQ10FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq10fntrr-m3 0.3465
RFQ
ECAD 6477 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6cwq10fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3.5a 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
SE10PJ-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10pj-m3/85a 0.0899
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SE10 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 600 v 1.05 V @ 1 a 780 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
GDZ2V4B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V4B-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 5004 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ2V4 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 120 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
MB10H90CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB10H90CThe3_A/P -
RFQ
ECAD 8069 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MB10H90 Schottky TO-263AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 5a 760 mV @ 5 a 3.5 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고