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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SB2H100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2H100-E3/73 -
RFQ
ECAD 4634 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SB2H100 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 2 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
AZ23C43-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C43-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 6985 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C43 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 32 v 43 v 60 옴
AS3PJHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division as3pjhm3/86a -
RFQ
ECAD 4794 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AS3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 600 v 920 MV @ 1.5 a 1.2 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.1a 37pf @ 4V, 1MHz
VSKDL450-25S20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKDL450-25S20 -
RFQ
ECAD 9119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ vskdl450 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 연결 연결 시리즈 2500 v 460a 2.2 V @ 1800 a 2 µs 50 ma @ 2500 v
IRKE91/16A Vishay General Semiconductor - Diodes Division irke91/16a -
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (2) irke91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1600 v 10 ma @ 1600 v 100A -
VS-8EWS12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ews12str-M3 3.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ews12 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 1200 v 1.1 v @ 8 a 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
MB10H90HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB10H90HE3_A/I -
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MB10H90 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
AZ23B39-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B39-HE3-08 0.0534
RFQ
ECAD 8773 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B39 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 29 v 39 v 90 옴
VS-20CTQ150STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150STRR-M3 0.8940
RFQ
ECAD 5124 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 10 a 25 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
UG4D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG4D-E3/54 0.6500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UG4 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 4 a 30 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 20pf @ 4V, 1MHz
V30D60CL-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30D60CL-M3/i 3.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v30d60 Schottky SMPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 610 mV @ 15 a 4 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
LS4151GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS4151GS08 0.1900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 LS4151 기준 SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 12,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 50 ma 4 ns 50 Na @ 50 v 175 ° C (°) 300ma 2pf @ 0V, 1MHz
PTV27B-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV27B-M3/85A 0.1153
RFQ
ECAD 8438 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV27 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 21 v 28.9 v 16 옴
GDZ2V4B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V4B-HG3-08 0.0509
RFQ
ECAD 1256 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ2V4 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 120 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
MBR15H60CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR15H60CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 8508 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR15 Schottky TO-220-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 7.5A 730 MV @ 7.5 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
GDZ3V9B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ3V9B-HG3-08 0.0509
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ3V9 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 100 옴
MMSZ5231B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5231B-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5231 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
MMSZ5263B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5263B-HE3_A-08 0.0549
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5263B-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
VS-1N5817 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N5817 -
RFQ
ECAD 5243 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5817 Schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 110pf @ 5V, 1MHz
GL34B/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL34B/1 -
RFQ
ECAD 3133 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AA (유리) GL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 100 v 1.2 v @ 500 ma 1.5 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BAT42W-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT42W-HE3-08 0.4100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAT42 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 650 mV @ 50 mA 5 ns 500 na @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 7pf @ 1v, 1MHz
SS15HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS15HE3_B/H 0.3700
RFQ
ECAD 6655 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS15 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mv @ 1 a 200 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
GP10-4005E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4005E-M3/54 -
RFQ
ECAD 2345 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 500 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 500 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
AZ23C20-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C20-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 2843 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23C20-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
BYG21MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG21MHE3_A/I 0.1429
RFQ
ECAD 2821 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG21 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.6 V @ 1.5 a 120 ns 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
SMZJ3794B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3794B-E3/5B 0.1546
RFQ
ECAD 9431 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3794 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 12.2 v 16 v 10 옴
SMAZ5921B-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5921B-E3/5A 0.0982
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5921 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 200 µa @ 5.2 v 6.8 v 2.5 옴
VS-15ETH06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06S-M3 1.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15ETH06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.2 v @ 15 a 35 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
SS25HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS25HE3/5BT -
RFQ
ECAD 2173 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS25 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
MBR20H50CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H50Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 5902 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 10A 710 MV @ 10 a 100 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고