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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BYT54D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT54D-TAP 0.2673
RFQ
ECAD 6526 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BYT54 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.5 v @ 1 a 100 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.25A -
6TQ045STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6TQ045STRL -
RFQ
ECAD 2746 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 6TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
VS-90SQ040TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-90SQ040TR -
RFQ
ECAD 5583 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 90SQ040 Schottky DO-204AR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 480 mV @ 9 a 1.75 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 9a -
PLZ3V6A-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz3v6a-g3/h 0.2800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.36% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz3v6 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.58 v 60 옴
G2SB60L-5753E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB60L-5753E3/51 -
RFQ
ECAD 9391 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL G2SB60 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 750 ma 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
81CNQ035ASL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 81CNQ035ASL -
RFQ
ECAD 9870 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 D-61-8-SL 81CNQ Schottky D-61-8-SL 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *81CNQ035ASL 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 40a 740 mV @ 80 a 5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
8EWS08STR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ews08str -
RFQ
ECAD 9318 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ews08 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 8 a 50 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-VSKH320-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKH320-16PBF 190.7000
RFQ
ECAD 2545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Magn-A-Pak (3) VSKH320 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvskh32016pbf 귀 99 8541.10.0080 2 1 연결 연결 시리즈 1600 v 160a 50 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5227B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5227B-E3-18 -
RFQ
ECAD 5047 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5227 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
V2P22LHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2p22lhm3/i 0.1178
RFQ
ECAD 7682 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v2p22 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V2P22LHM3/ITR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 760 mV @ 1 a 40 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C 1.6a 90pf @ 4V, 1MHz
MPG06AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06EHE3/54 -
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 MPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 50 v 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS8P5CHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P5CHM3/86A -
RFQ
ECAD 9292 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS8P5 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 4a 700 mv @ 4 a 50 @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-31DQ03 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ03 -
RFQ
ECAD 6276 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31dq03 Schottky C-16 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 570 mV @ 3 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
S5MHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5MHE3/9AT -
RFQ
ECAD 5648 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC S5M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 1000 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
150CMQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 150cmq045 -
RFQ
ECAD 2377 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AA (수정), D-60 150cmq Schottky D-60 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *150cmq045 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 150a 870 mV @ 150 a 5 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55F12-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F12-TR -
RFQ
ECAD 4046 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 9.1 v 12 v 20 옴
TZMB30-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB30-GS18 0.0411
RFQ
ECAD 6247 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB30 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 22 v 30 v 80 옴
EGL34GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34GHE3_A/I -
RFQ
ECAD 5628 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) EGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 영향을받지 영향을받지 EGL34GHE3_B/i 귀 99 8541.10.0070 9,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.35 V @ 500 MA 50 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7pf @ 4V, 1MHz
1N4738A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4738A-T -
RFQ
ECAD 4219 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4738 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 700 옴
SBLB1040CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1040CT-E3/81 1.3800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB1040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C
VLZ2V4B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ2V4B-GS18 -
RFQ
ECAD 4172 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ2V4 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 70 µa @ 1 v 2.53 v 100 옴
VS-30CTH03-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH03-M3 1.5500
RFQ
ECAD 363 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 30cth03 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 15a 1.25 V @ 15 a 36 ns 40 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
TZX12B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX12B-TR 0.2300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX12 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 9.5 v 12 v 35 옴
MBRF20H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF20H35Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 9629 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 10A 630 mv @ 10 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-STPS30L30CGTRLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-stps30l30cgtrlp -
RFQ
ECAD 9564 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS30 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vsstps30l30cgtrlp 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 460 mV @ 15 a 1.5 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
TZX20B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx20b-tr 0.2300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX20 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 15 v 20 v 60 옴
VT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2045CBP-M3/4W 0.8471
RFQ
ECAD 5059 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT2045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 580 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v 200 ° C (()
ES1PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1pdhm3/84a 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA ES1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
HFA16TB120STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA16TB120STR -
RFQ
ECAD 1258 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3 V @ 16 a 135 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
VS-VSKJ71/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ71/16 36.4430
RFQ
ECAD 9521 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskj71 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvskj7116 귀 99 8541.10.0080 10 1 양극 양극 공통 1600 v 40a 10 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고