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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BAT46-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT46-TAP 0.4300
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAT46 Schottky DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 250 mA 5 µa @ 75 v 125 ° C (°) 150ma 6pf @ 1v, 1MHz
RS1PJHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1pjhe3/85a -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA Rs1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
VS-61CTQ035PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-61CTQ035PBF -
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 61ctq035 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs61ctq035pbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 30A 610 mV @ 30 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-HFA30PA60CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa30pa60cpbf -
RFQ
ECAD 3510 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 HFA30 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15A (DC) 1.7 V @ 15 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
GP10K-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10K-E3/73 -
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
VS-70HF120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HF120 14.4500
RFQ
ECAD 4404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HF120 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1200 v 1.35 V @ 220 a 9 ma @ 1200 v -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
VS-40HFR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFR80 9.1600
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFR80 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 800 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 800 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
RGP02-14E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-14E-M3/73 -
RFQ
ECAD 9772 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP02 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1400 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 1400 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
SF5401-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5401 4 0.5445
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 SF5401 기준 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
TZM5249C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5249C-GS18 -
RFQ
ECAD 9015 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5249 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
40CPQ100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40cpq100 -
RFQ
ECAD 4334 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 40cpq Schottky TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 770 MV @ 20 a 1.25 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
20L15TS Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20L15TS -
RFQ
ECAD 5335 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20L15 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 410 mV @ 19 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C 20A -
AZ23C4V3-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C4V3-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 9518 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C4V3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 4.3 v 95 옴
BZX84B8V2-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B8V2-HE3-08 0.0341
RFQ
ECAD 8243 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B8V2 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
AS1FJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fjhm3/i 0.1125
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab 눈사태 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-as1fjhm3/itr 귀 99 8541.10.0080 10,000 600 v 1.15 V @ 1.5 a 1.3 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A 8.8pf @ 4V, 1MHz
BZM55C13-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C13-TR3 0.0368
RFQ
ECAD 3677 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55C13 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 13 v 110 옴
VS-16CTU04STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16ctu04strlpbf -
RFQ
ECAD 6361 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16ctu04 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs16ctu04strlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 8a 1.3 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 400 v 175 ° C (°)
6CWQ10FNTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6cwq10fntrl -
RFQ
ECAD 4752 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3.5a 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
60HFUR-400 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60HFUR-400 -
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 60hfur 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *60HFUR-400 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 60 a 80 ns 50 µa @ 400 v -40 ° C ~ 125 ° C 60a -
32CTQ025 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 32ctq025 -
RFQ
ECAD 4932 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 32CTQ Schottky TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *32ctq025 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 25 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 ma @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
ESH1PC-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PC-E3/85A -
RFQ
ECAD 7538 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA ESH1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
VS-6TQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ035-N3 -
RFQ
ECAD 6465 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 6TQ035 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6tq035n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 400pf @ 5V, 1MHz
Z4KE200-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE200-E3/73 -
RFQ
ECAD 4901 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Z4KE200 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 144 v 200 v 1500 옴
VS-30CTQ060-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ060-1PBF -
RFQ
ECAD 8193 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 30CTQ060 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 620 MV @ 15 a 800 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55F9V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F9V1-TAP -
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
VS-80EPF02PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80EPF02PBF -
RFQ
ECAD 7758 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 80epf02 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 80 a 190 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 80a -
VS-HFA15TB60SR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA15TB60SR-M3 0.6897
RFQ
ECAD 5272 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA15 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 V @ 30 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
NSB8BTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8BTHE3_B/P 0.6930
RFQ
ECAD 6734 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NSB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 100 v 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
DZ23C10-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C10-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 3812 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
RGP5100HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5100HE3/73 -
RFQ
ECAD 6252 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 RGP51 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 1000 v - 500ma -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고