SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-15CTQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045STRRPBF -
RFQ
ECAD 2940 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 700 mV @ 15 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-8ETH06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06-M3 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 8ETH06 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
BZT52C68-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C68-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 6127 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C68 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 68 v 200 옴
1N5625-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5625 6 1.0100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 1N5625 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 400 v 1 V @ 3 a 7.5 µs 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
VS-70HFR20M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR20M 17.0803
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70hfr20 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS70HFR20M 귀 99 8541.10.0080 100 200 v 1.35 V @ 220 a -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
IRKE91/06A Vishay General Semiconductor - Diodes Division irke91/06a -
RFQ
ECAD 1521 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (2) irke91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 600 v 10 ma @ 600 v 100A -
20ETF06S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20etf06 -
RFQ
ECAD 3690 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20etf06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 20 a 160 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
BAQ35-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAQ35-GS08 -
RFQ
ECAD 6572 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAQ35 기준 SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 140 v 1 v @ 100 ma 1 na @ 60 v 175 ° C (°) 200ma 3pf @ 0V, 1MHz
VS-SD803C04S10C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD803C04S10C 91.4575
RFQ
ECAD 1544 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 스터드 스터드 DO-200AA, A-PUK SD803 기준 B-43,, 푸크 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 400 v 1.89 V @ 2655 a 1 µs 45 MA @ 400 v 845A -
VS-6ESH06HM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6ESH06HM3/87A 0.3493
RFQ
ECAD 6307 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 6ESH06 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.8 V @ 6 a 40 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
GF1JHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1jhe3/67a -
RFQ
ECAD 7074 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA GF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 600 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
LL46-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL46-GS08 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL46 Schottky SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 250 mA 5 µa @ 75 v 125 ° C (°) 150ma 10pf @ 0V, 1MHz
1N4942GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4942GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 6564 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4942 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 1 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKCS303/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKCS303/100 -
RFQ
ECAD 5804 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) VSKCS303 Schottky Add-a-Pak® - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKCS303100 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 150a 950 mV @ 150 a 4.5 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
VX60202PGWHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx60202pgwhm3/p 2.1632
RFQ
ECAD 3622 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 Schottky TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-vx60202pgwhm3/p 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A 920 MV @ 30 a 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C
EGP10BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10BHE3/73 -
RFQ
ECAD 3771 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
VS-15EWH06FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewh06fntrl-m3 0.6181
RFQ
ECAD 4923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 15ewh06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs15ewh06fntrlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 V @ 15 a 36 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
TLZ20A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ20A-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 1100 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ20 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 17.1 v 20 v 28 옴
VS-25ETS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25ets08strl-m3 1.2022
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25ETS08 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.14 V @ 25 a 100 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 25A -
BZD27B150P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B150P-E3-18 0.1155
RFQ
ECAD 1907 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B150 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 150 v 300 옴
VS-40EPS08-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40EPS08-M3 5.0900
RFQ
ECAD 2801 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 40EPS08 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 800 v 1 V @ 20 a 100 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 40a -
VS-HFA320NJ40CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa320nj40cpbf 56.8300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-244AB HFA320 기준 TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 420A 1.54 V @ 320 a 140 ns 3 ma @ 400 v
B360A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B360A-E3/61T 0.5300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B360 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 720 MV @ 3 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 145pf @ 4V, 1MHz
VS-E4PH6006L-N-S1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E4PH6006L-N-S1 -
RFQ
ECAD 4995 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 e4ph60 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-VS-E4PH6006L-N-S1 귀 99 8541.10.0080 25 - - - -
BY229B-400-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229B-400-E3/81 -
RFQ
ECAD 4396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB by229 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.85 V @ 20 a 145 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
BAV19WS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV19WS-E3-18 0.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 bav19 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
MUR820 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR820 -
RFQ
ECAD 2658 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MUR820 기준 TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 8 a 35 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
1N4002GPE-E3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4002GPE-E3/91 -
RFQ
ECAD 7604 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4002 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 100 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SS1FL4-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1FL4-M3/H 0.4800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ss1fl4 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 115pf @ 4V, 1MHz
BZG03B15-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B15-HM3-18 0.2310
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B15 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 11 v 15 v 10 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고