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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-31DQ03	-	RFQ	6276	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	31dq03	Schottky		C-16	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		570 mV @ 3 a		1 ma @ 30 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3.3a	-
TZMB30-GS18	0.0411	RFQ	6247	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZM	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZMB30		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 200 ma		100 na @ 22 v				30 v	80 옴
AZ23C3V3-E3-18	0.3100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	AZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C3V3		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 양극 양극 공통											3.3 v	95 옴
fepf16ct-e3/45	-	RFQ	4394	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	FEPF16	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	8a	950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
murb2020cttrr	-	RFQ	5610	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	murb2020	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	850 mV @ 8 a	35 ns	15 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-1N3882R	-	RFQ	1454	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N3882	표준, 극성 역		DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.4 v @ 6 a	300 ns	15 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
vs-hfa08tb120pbf	-	RFQ	4604	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	HFA08	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1200 v		3.3 v @ 8 a	95 ns	10 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
BZT52B6V8-HE3-18	0.0436	RFQ	4496	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT52	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B6V8		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 3 v				6.8 v	4.5 옴
BYM11-400HE3/97	-	RFQ	2826	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	bym11	기준		do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BYM11-400HE3_A/I	귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
ES07D-M-08	0.4900	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES07	기준		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		980 MV @ 1 a	25 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
GDZ33B-HE3-08	0.0378	RFQ	6999	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, GDZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ33		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 25 v				33 v	250 옴
plz4v7b-g3/h	0.2800	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.67%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-219AC	plz4v7		960 MW	DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				4.68 v	25 옴
BZD27B200P-HE3-18	0.1238	RFQ	2116	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27B200		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 150 v				200 v	500 옴
VS-30th06-1-M3	0.8745	RFQ	8759	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	30ETH06	기준		TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.6 V @ 30 a	35 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
ES1AHE3/61T	-	RFQ	7777	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		920 MV @ 1 a	25 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
v35pw60hm3/i	1.4300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	v35pw60	Schottky		Slimdpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		720 MV @ 35 a		5 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	35a	3600pf @ 4V, 1MHz
SS3P6L-E3/86A	-	RFQ	4549	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	SS3P6	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		600 mV @ 3 a		150 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-20TQ045-N3	-	RFQ	6273	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	20TQ045	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs20tq045n3	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		570 mV @ 20 a		2.7 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
GDZ36B-E3-18	0.0360	RFQ	9069	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	GDZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ36		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 27 v				36 v	300 옴
tzx7v5b-tr	0.0292	RFQ	9804	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	TZX7V5		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 5 v				7.5 v	15 옴
VS-VSKJ320-12PBF	201.0700	RFQ	5566	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ320	기준		Magn-A-Pak®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskj32012pbf	귀 99	8541.10.0080	2		짐	1 양극 양극 공통	1200 v	160a			50 ma @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C
nsb8dthe3_b/p	0.6930	RFQ	4209	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	NSB8	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		짐		200 v		1.1 v @ 8 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	55pf @ 4V, 1MHz
20CJQ060	-	RFQ	7674	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	20CJQ	Schottky		SOT-223	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	1A	590 mV @ 1 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
v10p10-m3/87a	0.8800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	v10p10	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		680 mV @ 10 a		150 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SS3P6HM3/84A	0.3700	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	SS3P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		780 mv @ 3 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
BAW56-E3-18	0.2700	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	baw56	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	70 v	250ma	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 ma @ 70 v	150 ° C (°)
VS-HFA16PA120CPBF	-	RFQ	8261	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	HFA16	기준		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	1200 v	8A (DC)	3.3 v @ 8 a	95 ns	10 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
V15K150CHM3/i	0.4737	RFQ	9547	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	112-V15K150CHM3/ITR	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	3.2A	1.08 V @ 7.5 a		300 µa @ 150 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5238C-HE3-08	0.0454	RFQ	8304	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5238		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								3 µa @ 6.5 v				8.7 v	8 옴
SL44HE3_B/H	0.4125	RFQ	4227	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SL44	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 8 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²