전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | vs-50wq04fntrr-m3 | 0.3236 | ![]() | 6557 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 50WQ04 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs50wq04fntrrm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 510 mV @ 5 a | 3 ma @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5A | 405pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | TZM5226B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5226 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 25 µa @ 1 v | 3.3 v | 28 옴 | ||||||||||||
![]() | SS1P5L-E3/84A | - | ![]() | 1265 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SS1P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 590 mV @ 1 a | 100 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | TLZ6V2A-GS18 | 0.0335 | ![]() | 8846 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | tlz6v2 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 3 µa @ 4 v | 6.2 v | 10 옴 | ||||||||||||
![]() | vs-e5th3012thn3 | 1.4916 | ![]() | 7865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-VS-E5th3012thn3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 2.5 V @ 30 a | 85 ns | 50 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||
![]() | VF40100G-E3/4W | 1.0341 | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | VF40100 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 20A | 810 mV @ 20 a | 500 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | SS1P4LHE3/85A | - | ![]() | 2781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q100, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SS1P4 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 480 mV @ 1 a | 150 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | |||||||||||
![]() | V60DM120CHM3/i | 2.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | V60DM120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 120 v | 30A | 970 mV @ 30 a | 700 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | 1N4936GP-E3/73 | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4936 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BAS34-TR | 0.0429 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BAS34 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 60 v | 1 v @ 100 ma | 1 NA @ 30 v | 175 ° C (°) | 200ma | 3pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZG05C75-HE3-TR3 | - | ![]() | 8837 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG05C | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 56 v | 75 v | 135 옴 | ||||||||||||
![]() | BZG03C20-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C20 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 15 v | 20 v | 15 옴 | ||||||||||||
![]() | ESH1PCHE3/84A | - | ![]() | 3921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | ESH1 | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | ES2C-M3/5BT | 0.1379 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | ES2C | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 900 mV @ 2 a | 30 ns | 10 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 18pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
VS-20TQ040-N3 | - | ![]() | 5112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 20TQ040 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs20tq040n3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 570 mV @ 20 a | 2.7 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VI40150C-E3/4W | 1.4509 | ![]() | 7792 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | VI40150 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 20A | 1.43 V @ 20 a | 250 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | BZX384C36-E3-18 | 0.0324 | ![]() | 9176 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C36 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 25.2 v | 36 v | 90 옴 | |||||||||||||
DZ23C9V1-G3-08 | 0.0483 | ![]() | 2879 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | DZ23-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 음극 음극 공통 | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 10 옴 | |||||||||||||
![]() | P600J-E3/54 | 0.9200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | P600 | 기준 | P600 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 짐 | 600 v | 900 mV @ 6 a | 2.5 µs | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 6A | 150pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VIT10200C-E3/4W | 0.5561 | ![]() | 7523 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | VIT10200 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 5a | 1.6 V @ 5 a | 150 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MMSZ5241B-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 8045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5241 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | |||||||||||||
![]() | BZG04-130-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 5795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG04-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG04-130 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 5 µa @ 130 v | 160 v | |||||||||||||
![]() | vs-mbrb735pbf | - | ![]() | 6160 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB7 | Schottky | to-263ab (d²pak) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 840 mV @ 15 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5A | - | |||||||||||
![]() | BZG03C30TR3 | - | ![]() | 8825 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 22 v | 30 v | 8 옴 | ||||||||||||
![]() | EGP51A-E3/C. | 0.8118 | ![]() | 3016 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | EGP51 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 960 MV @ 5 a | 50 ns | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 5a | 117pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||
![]() | S4PB-M3/86A | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | S4P | 기준 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 4 a | 2.5 µs | 10 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | vs-mbrb735trl-m3 | 0.5595 | ![]() | 9377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB735 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 570 MV @ 7.5 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5A | 400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-UFB280FA20 | 25.1900 | ![]() | 237 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | UFB280 | 기준 | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 200 v | 175A (DC) | 1.1 v @ 120 a | 45 ns | 50 µa @ 200 v | |||||||||||
![]() | NSB8KT-E3/45 | 0.5059 | ![]() | 9111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NSB8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 8 a | 10 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 55pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MBRB1035 | - | ![]() | 8207 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB10 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *MBRB1035 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 840 mV @ 20 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고