SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-50WQ04FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq04fntrr-m3 0.3236
RFQ
ECAD 6557 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs50wq04fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 510 mV @ 5 a 3 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 405pf @ 5V, 1MHz
TZM5226B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5226B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5226 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
SS1P5L-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P5L-E3/84A -
RFQ
ECAD 1265 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS1P5 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 590 mV @ 1 a 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TLZ6V2A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ6V2A-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 8846 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 tlz6v2 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
VS-E5TH3012THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012thn3 1.4916
RFQ
ECAD 7865 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-VS-E5th3012thn3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.5 V @ 30 a 85 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
VF40100G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF40100G-E3/4W 1.0341
RFQ
ECAD 8038 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 VF40100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
SS1P4LHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P4LHE3/85A -
RFQ
ECAD 2781 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS1P4 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 480 mV @ 1 a 150 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
V60DM120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60DM120CHM3/i 2.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V60DM120 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 30A 970 mV @ 30 a 700 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
1N4936GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4936GP-E3/73 0.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4936 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BAS34-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS34-TR 0.0429
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAS34 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 50,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 1 v @ 100 ma 1 NA @ 30 v 175 ° C (°) 200ma 3pf @ 0V, 1MHz
BZG05C75-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C75-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 8837 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 56 v 75 v 135 옴
BZG03C20-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C20-M3-08 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C20 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
ESH1PCHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PCHE3/84A -
RFQ
ECAD 3921 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA ESH1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
ES2C-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2C-M3/5BT 0.1379
RFQ
ECAD 3407 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2C 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 2 a 30 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 18pf @ 4V, 1MHz
VS-20TQ040-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ040-N3 -
RFQ
ECAD 5112 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 20TQ040 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20tq040n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 20 a 2.7 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
VI40150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40150C-E3/4W 1.4509
RFQ
ECAD 7792 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI40150 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 1.43 V @ 20 a 250 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX384C36-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C36-E3-18 0.0324
RFQ
ECAD 9176 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C36 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
DZ23C9V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C9V1-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 2879 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 7 v 9.1 v 10 옴
P600J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600J-E3/54 0.9200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P600 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 600 v 900 mV @ 6 a 2.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A 150pf @ 4V, 1MHz
VIT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT10200C-E3/4W 0.5561
RFQ
ECAD 7523 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT10200 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 1.6 V @ 5 a 150 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5241B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5241B-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 8045 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5241 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
BZG04-130-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-130-HM3-08 0.2079
RFQ
ECAD 5795 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-130 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 130 v 160 v
VS-MBRB735PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb735pbf -
RFQ
ECAD 6160 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB7 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 840 mV @ 15 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
BZG03C30TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C30TR3 -
RFQ
ECAD 8825 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 22 v 30 v 8 옴
EGP51A-E3/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP51A-E3/C. 0.8118
RFQ
ECAD 3016 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 EGP51 기준 Do-201ad 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 960 MV @ 5 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 5a 117pf @ 4v, 1MHz
S4PB-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PB-M3/86A 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn S4P 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 100 v 1.1 v @ 4 a 2.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 30pf @ 4V, 1MHz
VS-MBRB735TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb735trl-m3 0.5595
RFQ
ECAD 9377 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB735 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 570 MV @ 7.5 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 7.5A 400pf @ 5V, 1MHz
VS-UFB280FA20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFB280FA20 25.1900
RFQ
ECAD 237 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 UFB280 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 175A (DC) 1.1 v @ 120 a 45 ns 50 µa @ 200 v
NSB8KT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8KT-E3/45 0.5059
RFQ
ECAD 9111 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NSB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 800 v 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
MBRB1035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1035 -
RFQ
ECAD 8207 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *MBRB1035 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 840 mV @ 20 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고