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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
S5MHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5MHE3/9AT -
RFQ
ECAD 5648 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC S5M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 1000 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
M6060C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division M6060C-E3/45 -
RFQ
ECAD 4913 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 M6060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 650 mV @ 30 a 700 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
VLZ30-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ30-GS18 -
RFQ
ECAD 4511 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ30 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 30 v 55 옴
V31M103C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division v31m103c-m3/p 1.4900
RFQ
ECAD 8571 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 v31m103 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-v31m103c-m3/p 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 780 mV @ 15 a 400 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
SS26HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26HM3_A/I 0.1637
RFQ
ECAD 3409 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS26 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-SS26HM3_A/ITR 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
SMAZ5934B-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaz5934b-e3/5a 0.1150
RFQ
ECAD 8231 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5934 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
VS-30CTH03-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH03-M3 1.5500
RFQ
ECAD 363 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 30cth03 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 15a 1.25 V @ 15 a 36 ns 40 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
DZ23C9V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C9V1-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 2879 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 7 v 9.1 v 10 옴
VS-50WQ04FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq04fntrr-m3 0.3236
RFQ
ECAD 6557 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs50wq04fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 510 mV @ 5 a 3 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 405pf @ 5V, 1MHz
VLZ3V0-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ3V0-GS18 -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ3V0 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 v 70 옴
BZG05C5V1-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C5V1-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 3086 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 1.5 v 5.1 v 10 옴
BYS10-45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-45HM3_A/I 0.0884
RFQ
ECAD 3021 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYS10 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-BYS10-45HM3_A/ITR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-40HFL10S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL10S02 8.5510
RFQ
ECAD 9394 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFL10 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.95 V @ 40 a 200 ns 100 @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
ES1PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1pdhm3/84a 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA ES1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
VS-18TQ040STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-18tq040strlhm3 1.1798
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 18TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-18TQ040STRLHM3TR 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 18 a 2.5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
V60DM120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60DM120CHM3/i 2.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V60DM120 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 30A 970 mV @ 30 a 700 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
BAS34-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS34-TR 0.0429
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAS34 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 50,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 1 v @ 100 ma 1 NA @ 30 v 175 ° C (°) 200ma 3pf @ 0V, 1MHz
BZX384B36-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B36-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B36 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
TZX10D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx10d-tap 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX10 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 7.5 v 10 v 25 옴
VS-8EWF06STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf06str-m3 3.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 8 a 55 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-31DQ03 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ03 -
RFQ
ECAD 6276 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31dq03 Schottky C-16 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 570 mV @ 3 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
TZMB30-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB30-GS18 0.0411
RFQ
ECAD 6247 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB30 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 22 v 30 v 80 옴
AZ23C3V3-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C3V3-E3-18 0.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C3V3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 3.3 v 95 옴
FEPF16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepf16ct-e3/45 -
RFQ
ECAD 4394 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 FEPF16 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURB2020CTTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division murb2020cttrr -
RFQ
ECAD 5610 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb2020 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 850 mV @ 8 a 35 ns 15 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-1N3882R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3882R -
RFQ
ECAD 1454 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3882 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.4 v @ 6 a 300 ns 15 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
VS-HFA08TB120PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa08tb120pbf -
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 HFA08 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.3 v @ 8 a 95 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BZT52B6V8-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B6V8-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 4496 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B6V8 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 3 v 6.8 v 4.5 옴
BYM11-400HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM11-400HE3/97 -
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) bym11 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BYM11-400HE3_A/I 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
ES07D-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES07D-M-08 0.4900
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES07 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 1 a 25 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고