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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 - 최대 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f
MBRB1550CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1550CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 7.5A 750MV @ 7.5 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
UH1PB-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1PB-M3/85A 0.0903
RFQ
ECAD 3065 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA uh1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.05 V @ 1 a 40 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
SL23HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL23HE3/5BT -
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SL23 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 440 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
V8PM12HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pm12hm3_a/i 0.3008
RFQ
ECAD 9166 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v8pm12 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 840 mV @ 8 a 300 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.6a -
VS-MURB1020CTLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb1020ctlhm3 0.9293
RFQ
ECAD 3483 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb1020 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 990 MV @ 5 a 24 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5249B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5249B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 8340 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5249 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
VS-50EPU12LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50EPU12LHN3 2.8154
RFQ
ECAD 6252 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 50epu12 기준 TO-247AD 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.55 V @ 50 a 262 ns 330 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 50a -
BZD27C51P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C51P-HE3-18 0.1645
RFQ
ECAD 8373 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C51 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
GLL4752-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4752-E3/97 0.2970
RFQ
ECAD 7431 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF GLL4752 1 W. Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
TZMB3V6-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB3V6-GS18 0.0411
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB3V6 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BZW03D22-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D22-TAP -
RFQ
ECAD 6161 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 15.8 v 22 v 3.5 옴
SS34-7001HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34-7001HE3_A/I -
RFQ
ECAD 4860 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC SS34 Schottky do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BA479S-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA479S-TR 0.1568
RFQ
ECAD 3672 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) Do-204Ah, do-35, 축 방향 BA479 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 50,000 50 MA 0.5pf @ 0V, 100MHz 핀 - 단일 30V 50ohm @ 1.5ma, 100MHz
BZD27C130P-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C130P-M-08 -
RFQ
ECAD 8763 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C130 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 100 v 130 v 300 옴
BZX55B7V5-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B7V5-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55B7V5 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
VS-20CTH03FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTH03FPPBF -
RFQ
ECAD 2279 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 20cth03 기준 TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 1.25 V @ 10 a 35 ns 20 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
MBRF1060HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1060HE3/45 -
RFQ
ECAD 6341 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBRF106 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MBRF1060HE3_A/P 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
TZQ5224B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5224B-GS08 0.0303
RFQ
ECAD 4098 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5224 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 2.8 v 30 옴
NSB8ATHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8ATHE3_B/I 0.6930
RFQ
ECAD 2936 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NSB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 50 v 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
VS-MURB1020CTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mubr1020ctr-m3 0.3722
RFQ
ECAD 8570 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb1020 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 1.25 V @ 10 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
DZ23C5V6-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C5V6-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 1 v 5.6 v 40
AR3PMHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR3PMHM3_A/H 0.4950
RFQ
ECAD 9507 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.9 V @ 3 a 120 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 34pf @ 4V, 1MHz
BZT55C39-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55C39-GS18 0.0283
RFQ
ECAD 8136 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55C39 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 30 v 39 v 90 옴
V12W60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12W60C-M3/i -
RFQ
ECAD 4367 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 v12w60 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 6A 620 MV @ 6 a 3.5 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMSZ4693-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4693-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 6515 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4693 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 5.7 v 7.5 v
BZX584C10-V-G-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C10-VG-08 -
RFQ
ECAD 6819 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX584C-VG 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
1N4747A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4747a-t -
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4747 1.3 w DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 15.2 v 20 v 750 옴
VS-48CTQ060PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-48CTQ060PBF -
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 48ctq060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 610 mV @ 20 a 2 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ4706-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4706-E3-08 -
RFQ
ECAD 6693 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4706 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 14.4 v 19 v
SMZJ3805AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3805HE3/5B -
RFQ
ECAD 9268 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj38 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고