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다이오드 (29505)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 현재 - 최대 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | RS1PBHE3/84A | - | | 2411 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | Rs1 | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 1 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
 | SE30AFDHM3/6A | 0.4900 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | SE30 | 기준 | DO-221AC (Slimsma) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | 19pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
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| DZ23C5V6-HE3-18 | 0.0436 | | 5905 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, DZ23 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 음극 음극 공통 | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 40 | ||||||||||||||||
 | SS34-7001HE3_A/I | - | | 4860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SS34 | Schottky | do-214ab (smcj) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||
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 | 1N4728A- 탭 | 0.3600 | | 6527 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4728 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 3.3 v | 10 옴 | ||||||||||||||||
 | TZMB3V6-GS18 | 0.0411 | | 8119 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMB3V6 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 2 µa @ 1 v | 3.6 v | 90 옴 | ||||||||||||||||
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| SS2P5HE3/84A | - | | 6809 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q100, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SS2P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 100 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
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 | VS-80EBU04 | 5.9000 | | 327 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | PowerTab ™, Powirtab ™ | 80ebu04 | 기준 | Powirtab ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 짐 | 400 v | 1.3 V @ 80 a | 50 µa @ 400 v | 80a | - | ||||||||||||||||
 | vs-50wq06fntr-m3 | 0.7600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 50WQ06 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 570 mV @ 5 a | 3 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5A | 360pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||
 | GDZ2V2B-G3-08 | 0.0445 | | 7740 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | GDZ-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ2V2 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 120 µa @ 700 mV | 2.2 v | 100 옴 | |||||||||||||||||
 | MBRF1060HE3/45 | - | | 6341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 | MBRF106 | Schottky | ITO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MBRF1060HE3_A/P | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 800 mV @ 10 a | 100 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||
 | PLZ30C-HG3_A/H | 0.3600 | | 5955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 3% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-219AC | plz30 | 500MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 200 na @ 23 v | 30 v | 55 옴 | ||||||||||||||||
 | MPG06BHE3_A/73 | - | | 4430 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | MPG06,, 방향 | MPG06 | 기준 | MPG06 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 1 a | 600 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
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| UH1PB-M3/85A | 0.0903 | | 3065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | uh1 | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.05 V @ 1 a | 40 ns | 1 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 16pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
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 | VS-403CNQ100PBF | 47.3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | TO-244AB | 403CNQ100 | Schottky | TO-244AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 200a | 840 mV @ 200 a | 6 ma @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C |
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