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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | P600D/4 | - |  | 5639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | P600 | 기준 | P600 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 짐 | 200 v | 900 mV @ 6 a | 2.5 µs | 5 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 6A | 150pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | MBRB1035 | - | | 8207 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB10 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *MBRB1035 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 840 mV @ 20 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||
 | SS1P5L-E3/84A | - | | 1265 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SS1P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 590 mV @ 1 a | 100 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
 | TZM5249C-GS08 | - | | 8473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5249 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 옴 | |||||||||||
 | BZX384C36-E3-18 | 0.0324 | | 9176 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C36 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 25.2 v | 36 v | 90 옴 | ||||||||||||
 | PLZ2V2A-HG3_A/H | 0.3600 | | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 4.07% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-219AC | plz2v2 | 960 MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 120 µa @ 700 mV | 2.21 v | 120 옴 | |||||||||||
| MBRB2060CT-E3/45 | 1.5200 | | 4841 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB2060 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 10A | 800 mV @ 10 a | 150 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
 | VS-85HFR120M | 24.4600 | | 100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 85HFR120 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1200 v | 1.2 v @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C | 85A | - | |||||||||||
 | GP02-40HM3/73 | - | | 2741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP02 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 짐 | 4000 v | 3 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 4000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 250ma | 3pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BZX384B6V8-G3-08 | 0.3300 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B6V8 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µa @ 4 v | 6.8 v | 15 옴 | ||||||||||||
 | GP10AE-M3/54 | - | | 1352 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SE07PG-E3/85A | - | | 3758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SE07 | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 400 v | 1.05 V @ 700 ma | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 5pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | MMBZ5253C-E3-08 | - | | 5639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5253 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 19 v | 25 v | 35 옴 | ||||||||||||
 | BZD17C6V2P-E3-08 | 0.1341 | | 8835 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD17C6V2 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 6.2 v | ||||||||||||
 | MPG06B-E3/100 | 0.1487 | | 4306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | MPG06,, 방향 | MPG06 | 기준 | MPG06 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 1 a | 600 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | BAS382-TR3 | 0.0611 | | 6948 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | BAS382 | Schottky | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 50 v | 1 V @ 15 ma | 200 na @ 50 v | 125 ° C (°) | 30ma | 1.6pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
| ugb8dthe3_a/p | - | | 7492 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | UGB8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 8 a | 30 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||
 | v12pm10hm3/h | 0.9300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v12pm10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 750 mV @ 12 a | 200 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | ||||||||||
 | SMZJ3801EA3/52 | - | | 5213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | smzj38 | 1.5 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 25.1 v | 33 v | 33 옴 | ||||||||||||
| gp10je-e3/73 | - | | 8639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | VF20200C-E3/4W | 1.7600 | | 370 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | VF20200 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 10A | 1.6 V @ 10 a | 150 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
 | v8pa10-m3/i | 0.5400 | | 81 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 | V8PA10 | Schottky | DO-221BC (SMPA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 760 mV @ 8 a | 800 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 8a | 850pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | BZT52C10-G3-18 | 0.0409 | | 3237 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C10 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 7.5 v | 10 v | 15 옴 | ||||||||||||
 | MBR1645/45 | - | | 2248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR16 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 630 mv @ 16 a | 200 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
 | 153CNQ100 | - | | 3700 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | TO-249AA (수정), D-60 | 153cnq | Schottky | D-60 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *153CNQ100 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 150a | 1.19 v @ 150 a | 1.5 ma @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
 | SS25HE3_A/H | 0.5400 | | 3163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SS25 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 750 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||
 | S5A-M3/9AT | 0.1549 | | 2906 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S5A | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 짐 | 50 v | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| VS-8ETH06STRL-M3 | 0.5067 | | 1349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 8ETH06 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.4 v @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | |||||||||
 | MBR10H50-E3/45 | - | | 4917 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MBR10 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 710 MV @ 10 a | 100 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||
 | BZG05B20-HM3-08 | 0.2079 | | 7612 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05B20 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 15 v | 20 v | 24 옴 |
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