- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
다이오드 (29505)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLZ5V6C-GS18 | 0.0335 |  | 9158 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ5V6 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 13 옴 | ||||||||||||
 | RGP10KEHE3/54 | - | | 5867 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | RGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | SS35HE3_A/I | - | | 1956 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SS35 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 750 mV @ 3 a | 500 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
 | GI1-1200GP-E3/54 | 0.3310 | | 2010 년 년 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | GI1 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 짐 | 1200 v | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 10 µa @ 1200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
 | VS-300U40A | 50.1800 | | 7564 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 스터드 스터드 | do-205AB, do-9, 스터드 | 300U40 | 기준 | DO-205AB (DO-9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 짐 | 400 v | 1.4 V @ 942 a | 40 ma @ 400 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | |||||||||||
 | BZD17C56P-E3-18 | 0.1597 | | 5830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD17C56 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 43 v | 56 v | |||||||||||||
 | BZT52C7V5-G3-08 | 0.0409 | | 5510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C7V5 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 5 v | 7.5 v | 4 옴 | |||||||||||||
 | VS-10CTQ150STRPBF | - | | 2712 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 10ctq150 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs10ctq150strpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 5a | 1.1 v @ 10 a | 50 µa @ 150 v | 175 ° C (°) | ||||||||||
| BZT52B20-G3-18 | 0.0483 | | 4562 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B20 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 15 v | 20 v | 50 옴 | |||||||||||||
 | AZ23C2V7-HE3_A-08 | - | | 5399 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-AZ23C2V7-HE3_A-08TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 20 µa @ 1 v | 2.7 v | 100 옴 | |||||||||||||||
 | BZG03B12-M3-08 | 0.2228 | | 3602 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03B12 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 3 µa @ 9.1 v | 12 v | 7 옴 | ||||||||||||
 | VS-SD703C25S30L | 122.5133 | | 5244 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 클램프 클램프 | DO-200AB, B-PUK | SD703 | 기준 | DO-200AB, B-PUK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 짐 | 2500 v | 1.85 V @ 1500 a | 3 µs | 50 ma @ 2500 v | 790a | - | |||||||||||
| TZMC8V2-GS18 | 0.2300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tzmc8v2 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 6.2 v | 8.2 v | 7 옴 | ||||||||||||
 | v60100pw-e3 | - | | 5464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | v60100 | Schottky | TO-3PW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 30A | 860 mV @ 30 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
 | ZMY39-GS08 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | ZMY39 | 1 W. | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 29 v | 39 v | 60 옴 | |||||||||||||
 | MBR10H90CT-E3/45 | - | | 8391 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR10 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 90 v | 5a | 760 mV @ 5 a | 3.5 µa @ 90 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
| FESB8HTHE3_A/I | 0.8910 | | 4427 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FESB8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 500 v | 1.5 v @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 500 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||
| TZMB16-GS08 | 0.3100 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMB16 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40 | ||||||||||||
 | SS3P5-E3/84A | - | | 1480 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SS3P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 780 mv @ 3 a | 100 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| AZ23C11-HE3-18 | 0.0436 | | 8956 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C11 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 8.5 v | 11 v | 20 옴 | ||||||||||||
| VS-80-7908 | - | | 7396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 80-7908 | - | 112-VS-80-7908 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | VS-40L45CW-N3 | 2.2606 | | 7097 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 40L45 | Schottky | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS40L45CWN3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 20A | 530 mV @ 20 a | 1.5 ma @ 45 v | 150 ° C (°) | ||||||||||
| VB30120SG-E3/8W | 0.9110 | | 1400 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | VB30120 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 1.28 V @ 30 a | 500 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||||||||
| SML4739A-E3/5A | 0.5000 | | 95 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4739 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 10 µa @ 7 v | 9.1 v | 5 옴 | |||||||||||||
 | BZT55B33-GS18 | 0.0433 | | 8142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | BZT55B33 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 24 v | 33 v | 80 옴 | ||||||||||||
 | BZX584C33-G3-08 | 0.3000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX584C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 NA @ 23.1 v | 33 v | 35 옴 | |||||||||||||
| 1N4003GPE-M3/54 | - | | 1865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 1N4003 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | |||||||||||||||||||||
 | se10dtj-m3/i | 1.0900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | 기준 | SMPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 600 v | 1.15 V @ 10 a | 3 µs | 15 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.9A | 67pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||
| BZD27C5V1P-E3-18 | 0.1341 | | 2519 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27C5V1 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 5.1 v | 6 옴 | ||||||||||||
| 1N4937GPHM3/54 | - | | 7060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4937 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)