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| GDZ3V0B-E3-18 | 0.0360 | | 6563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | GDZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ3V0 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µa @ 1 v | 3 v | 120 옴 | |||||||||||||
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