전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-T40HF100 | 25.1890 | ![]() | 2707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | D-55 T- 5 | T40 | 기준 | D-55 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 1000 v | 15 ma @ 1000 v | 40a | - | ||||||||||||
![]() | VS-HFA30TA60CS-M3 | 1.9300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HFA30 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 600 v | 15A (DC) | 2 V @ 30 a | 60 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | 60APU02 | - | ![]() | 5558 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 60APU02 | 기준 | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.08 V @ 60 a | 35 ns | 50 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 60a | - | |||||||||
![]() | SL22-E3/5BT | 0.2030 | ![]() | 1913 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SL22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 440 mV @ 2 a | 400 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||
![]() | v2fl45-m3/i | 0.0759 | ![]() | 3546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | v2fl45 | Schottky | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 560 mV @ 2 a | 570 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 2A | 270pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MBR10H150CT-E3/45 | - | ![]() | 9544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR10 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 5a | 880 mV @ 5 a | 5 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-60HFU-600 | - | ![]() | 5624 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 60HFU | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 V @ 60 a | 80 ns | 50 µa @ 600 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 60a | - | |||||||||
![]() | MBRF20100CT-E3/4W | 1.7900 | ![]() | 2551 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | MBRF20100 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 10A | 800 mV @ 10 a | 100 @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | se20ndhm3/i | 0.4800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면, 마운트 측면 | 2-vdfn | 기준 | DFN3820A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 2 a | 1.2 µs | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-65APF12LHM3 | 6.4600 | ![]() | 2278 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 65APF12 | 기준 | TO-247AD (TO-3P) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 1.42 V @ 65 a | 480 ns | 100 µa @ 1200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 65A | - | |||||||||
![]() | vssaf5l45hm3_a/h | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | SAF5L45 | Schottky | DO-221AC (Slimsma) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 560 mV @ 5 a | 650 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 5a | 740pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4937GP-M3/73 | - | ![]() | 4986 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4937 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | S5M-E3/57T | 0.4500 | ![]() | 121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S5M | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 850 | 짐 | 1000 v | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SE20FJ-M3/I | 0.0891 | ![]() | 4288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | SE20 | 기준 | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 2 a | 920 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.7a | 13pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
SB560-E3/54 | 0.5900 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SB560 | Schottky | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 650 mV @ 5 a | 500 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 5a | - | |||||||||||
![]() | v10p6-m3/86a | 0.7600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v10p6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 590 mV @ 10 a | 1.9 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 4.3A | - | ||||||||||
![]() | VS-1N1187RA | - | ![]() | 4243 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N1187 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 300 v | 1.3 V @ 126 a | 2.5 ma @ 300 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 40a | - | ||||||||||
![]() | VS-41HFR100 | 8.9776 | ![]() | 6442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 41HFR100 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1000 v | 1.3 v @ 125 a | 9 ma @ 1000 v | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | ||||||||||
![]() | VS-40CTQ045S-M3 | 2.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 40ctq045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 20A | 530 mV @ 20 a | 3 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
VS-HFA15TB60-N3 | - | ![]() | 5877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | HFA15 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS-HFA15TB60-N3GI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.7 V @ 15 a | 60 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 15a | - | |||||||||
![]() | VS-5ECU06-M3/9AT | 0.9000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 5ecu06 | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.35 V @ 5 a | 43 ns | 3 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 5a | - | |||||||||
![]() | 30cph03 | - | ![]() | 3562 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 30cph | 기준 | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 300 v | 15a | 1.25 V @ 15 a | 40 ns | 40 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | ZPY12-TR | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | ZPY12 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 9 v | 12 v | 3 옴 | ||||||||||||
![]() | SMBZ5939B-E3/52 | 0.1676 | ![]() | 5653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBZ5939 | 3 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 29.7 v | 39 v | 45 옴 | |||||||||||
BZX84C56-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C56 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 NA @ 39.2 v | 56 v | 200 옴 | |||||||||||||
![]() | sml4758ahe3_a/i | 0.2063 | ![]() | 3060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4758 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µa @ 42.6 v | 56 v | 110 옴 | ||||||||||||
![]() | vs-15awl06fntrl-m3 | 0.6181 | ![]() | 3056 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 15awl06 | 기준 | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs15awl06fntrlm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.05 V @ 15 a | 120 ns | 10 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 15a | - | ||||||||
![]() | VS-6TQ040STRR-M3 | 0.5595 | ![]() | 8276 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 6TQ040 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 600 mV @ 6 a | 800 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-1N2130A | - | ![]() | 1905 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N2130 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 150 v | 1.3 v @ 188 a | 10 ma @ 150 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 60a | - | ||||||||||
![]() | vs-mbr3035wtpbf | - | ![]() | 3573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MBR30 | Schottky | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 35 v | 15a | 760 mV @ 30 a | 1 ma @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고