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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-T40HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T40HF100 25.1890
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T40 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1000 v 15 ma @ 1000 v 40a -
VS-HFA30TA60CS-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA30TA60CS-M3 1.9300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA30 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15A (DC) 2 V @ 30 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
60APU02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60APU02 -
RFQ
ECAD 5558 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 60APU02 기준 TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.08 V @ 60 a 35 ns 50 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
SL22-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL22-E3/5BT 0.2030
RFQ
ECAD 1913 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SL22 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 440 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
V2FL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2fl45-m3/i 0.0759
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab v2fl45 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 560 mV @ 2 a 570 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A 270pf @ 4V, 1MHz
MBR10H150CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H150CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR10 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 880 mV @ 5 a 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-60HFU-600 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60HFU-600 -
RFQ
ECAD 5624 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 60HFU 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 60 a 80 ns 50 µa @ 600 v -40 ° C ~ 125 ° C 60a -
MBRF20100CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF20100CT-E3/4W 1.7900
RFQ
ECAD 2551 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
SE20NDHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se20ndhm3/i 0.4800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn 기준 DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 200 v 1.1 v @ 2 a 1.2 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 12pf @ 4V, 1MHz
VS-65APF12LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-65APF12LHM3 6.4600
RFQ
ECAD 2278 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 65APF12 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.42 V @ 65 a 480 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 65A -
VSSAF5L45HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf5l45hm3_a/h 0.4800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SAF5L45 Schottky DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 560 mV @ 5 a 650 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 5a 740pf @ 4V, 1MHz
1N4937GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 4986 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S5M-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5M-E3/57T 0.4500
RFQ
ECAD 121 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 1000 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
SE20FJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20FJ-M3/I 0.0891
RFQ
ECAD 4288 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SE20 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 600 v 1.1 v @ 2 a 920 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.7a 13pf @ 4V, 1MHz
SB560-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB560-E3/54 0.5900
RFQ
ECAD 129 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB560 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 5 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a -
V10P6-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p6-m3/86a 0.7600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v10p6 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 590 mV @ 10 a 1.9 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 4.3A -
VS-1N1187RA Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N1187RA -
RFQ
ECAD 4243 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1187 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 300 v 1.3 V @ 126 a 2.5 ma @ 300 v -65 ° C ~ 200 ° C 40a -
VS-41HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-41HFR100 8.9776
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 41HFR100 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 1000 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
VS-40CTQ045S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ045S-M3 2.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 40ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 530 mV @ 20 a 3 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-HFA15TB60-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA15TB60-N3 -
RFQ
ECAD 5877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 HFA15 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-HFA15TB60-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 15 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
VS-5ECU06-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5ECU06-M3/9AT 0.9000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 5ecu06 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.35 V @ 5 a 43 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a -
30CPH03 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30cph03 -
RFQ
ECAD 3562 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 30cph 기준 TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 15a 1.25 V @ 15 a 40 ns 40 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
ZPY12-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY12-TR 0.3700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 ZPY12 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 9 v 12 v 3 옴
SMBZ5939B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5939B-E3/52 0.1676
RFQ
ECAD 5653 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBZ5939 3 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
BZX84C56-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C56-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C56 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
SML4758AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4758ahe3_a/i 0.2063
RFQ
ECAD 3060 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4758 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
VS-15AWL06FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15awl06fntrl-m3 0.6181
RFQ
ECAD 3056 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 15awl06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs15awl06fntrlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.05 V @ 15 a 120 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-6TQ040STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ040STRR-M3 0.5595
RFQ
ECAD 8276 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 6TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 400pf @ 5V, 1MHz
VS-1N2130A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N2130A -
RFQ
ECAD 1905 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N2130 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 150 v 1.3 v @ 188 a 10 ma @ 150 v -65 ° C ~ 200 ° C 60a -
VS-MBR3035WTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr3035wtpbf -
RFQ
ECAD 3573 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR30 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 760 mV @ 30 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고