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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TZM5225F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5225F-GS18 -
RFQ
ECAD 6800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5225 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3 v 1600 옴
VS-30CTH02FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH02FP-N3 1.6038
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 30cth02 기준 TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs30cth02fpn3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.05 V @ 15 a 10 µa @ 200 v 175 ° C (°)
GL41B/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL41B/54 -
RFQ
ECAD 5422 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) GL41 기준 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 100 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VS-ETU1506STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU1506ST-M3 0.7542
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ETU1506 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSETU1506STRM3 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.07 V @ 15 a 210 ns 15 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
V40PWM10CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40pwm10chm3/i 1.5800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 v40pwm10 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 890 mV @ 20 a 400 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
BYW84-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW84-TAP 0.5346
RFQ
ECAD 8064 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYW84 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,500 600 v 1 V @ 3 a 7.5 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
VF20150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20150C-E3/4W 1.9500
RFQ
ECAD 895 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 VF20150 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 1.2 v @ 10 a 150 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBRS130L-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS130L-M3/5BT 0.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MBRS130 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 1 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 200pf @ 5V, 1MHz
VS-30CTQ035SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035SPBF -
RFQ
ECAD 1361 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 30A 760 mV @ 30 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-48CTQ060-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-48CTQ060-N3 -
RFQ
ECAD 4095 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 48ctq060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs48ctq060n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 830 MV @ 40 a 2 ma @ 60 v 150 ° C (°)
V15P12HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15p12hm3/h 0.9500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v15p12 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 810 mV @ 15 a 1 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 15a -
1N5399GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5399GP-E3/73 0.6000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5399 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 1000 v 1.4 V @ 1.5 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4245GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4245GP-M3/54 -
RFQ
ECAD 2082 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 1N4245 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500
MBRB20H50CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H50Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 7049 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 10A 710 MV @ 10 a 100 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C
1N6479HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6479HE3/97 -
RFQ
ECAD 5259 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N6479 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1N6479HE3_A/I 귀 99 8541.10.0080 5,000 100 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
IRKD91/14A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD91/14A -
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) IRKD91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 1400 v 100A 10 ma @ 1400 v
CS1M-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division CS1M-E3/H -
RFQ
ECAD 6399 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CS1 기준 DO-214AC (SMA) - 귀 99 8541.10.0080 1,800 1000 v 1.12 V @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
BYW56-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW56-TAP 0.6700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BYW56 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1000 v 1 V @ 1 a 4 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
V10P45HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p45hm3_a/h 0.9900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v10p45 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 10 a 800 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-40HF10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HF10 6.5300
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HF10 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 100 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 100 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
VS-HFA06PB120-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA06PB120-N3 5.8800
RFQ
ECAD 2371 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 HFA06 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs-hfa06pb120-n3gi 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3 v @ 6 a 80 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A -
SS24HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS24HE3/5BT -
RFQ
ECAD 3743 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
VS-305URA200 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-305URA200 -
RFQ
ECAD 1924 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 305URA200 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS305URA200 귀 99 8541.10.0080 12 2000 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
UGB10FCTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb10fcthe3_a/i -
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 TO-263AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-ugb10fcthe3_a/itr 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 300 v -40 ° C ~ 150 ° C
RGF1AHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1EHE3/67A -
RFQ
ECAD 2888 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA RGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
VS-32CTQ025STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ025STRLHM3 1.4113
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 32ctq025 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 25 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 ma @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-50WQ04FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ04FNTR-M3 0.7600
RFQ
ECAD 972 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 510 mV @ 5 a 3 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 405pf @ 5V, 1MHz
VS-11DQ03 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-11DQ03 -
RFQ
ECAD 5936 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 11dq03 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.1a -
6TQ045S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6TQ045 -
RFQ
ECAD 5159 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 6TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
BYS459B-1500E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS459B-1500E3/45 -
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB bys459 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 1.3 V @ 6.5 a 350 ns 250 µa @ 1500 v -55 ° C ~ 150 ° C 6.5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고