전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-15ETH06HN3 | 0.9522 | ![]() | 1746 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 15ETH06 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 짐 | 600 v | 2.2 v @ 15 a | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 15a | - | ||||||||||||
![]() | MSE07PJHM3/89A | 0.3500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | microSMP | MSE07 | 기준 | microSMP (do-219ad) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 짐 | 600 v | 1.08 V @ 700 ma | 780 ns | 1 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 700ma | 5pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SS5P3-E3/87A | - | ![]() | 9081 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS5P3 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 520 MV @ 5 a | 250 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | - | |||||||||||
![]() | PLZ5V6B-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-219AC | plz5v6 | 960 MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 2.5 v | 5.59 v | 13 옴 | ||||||||||||
![]() | GL41A/54 | - | ![]() | 9203 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | GL41 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | vs-25ctq045strrpbf | - | ![]() | 3248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 25ctq045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 30A | 710 MV @ 30 a | 1.75 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VS-20ATS12PBF | - | ![]() | 6571 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 20ATS12 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs20ats12pbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 짐 | 1200 v | 1.1 v @ 20 a | 100 µa @ 1200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | VS-SD2000C04L | 117.3567 | ![]() | 3941 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 클램프 클램프 | DO-200AB, B-PUK | SD2000 | 기준 | DO-200AB, B-PUK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 짐 | 400 v | 1.55 V @ 6000 a | 60 ma @ 400 v | 2100A | - | ||||||||||||
![]() | Se70pdhm3_a/i | 0.4125 | ![]() | 9178 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SE70 | 기준 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 짐 | 200 v | 1.05 V @ 7 a | 2.6 µs | 20 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.9A | 76pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX384C68-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 1689 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C68 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 NA @ 47.6 v | 68 v | 240 옴 | |||||||||||||
![]() | fepb16cthe3_a/p | 1.1550 | ![]() | 3176 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FEPB16 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 8a | 950 MV @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-8ETH06SHM3 | 0.7425 | ![]() | 8165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, FRED PT® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 8ETH06 | 기준 | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.4 v @ 8 a | 22 ns | 50 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | MBRB10100-M3/4W | 0.7447 | ![]() | 3950 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB10100 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 800 mV @ 10 a | 100 @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
![]() | EGP30F-E3/54 | - | ![]() | 4582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | EGP30 | 기준 | GP20 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | BZG03B20-HM3-08 | 0.2310 | ![]() | 5824 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03B20 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 15 v | 20 v | 15 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N5238B 탭 | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5238 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 6.5 v | 8.7 v | 8 옴 | ||||||||||||
![]() | S3D-M3/9AT | 0.1549 | ![]() | 2500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S3D | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 짐 | 200 v | 1.15 V @ 2.5 a | 2.5 µs | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4937GP-E3/54 | 0.5000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4937 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-4ESH01HM3/87A | 0.2808 | ![]() | 4302 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, FRED PT® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | 4SH01 | 기준 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 930 MV @ 4 a | 25 ns | 2 µa @ 4 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 4a | - | ||||||||||
vs-30etu12-m3 | 2.0300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 30ETU12 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 2.68 V @ 30 a | 220 ns | 145 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||
![]() | VFT4045C-M3/4W | 1.5015 | ![]() | 4731 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | VFT4045 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 20A | 580 mV @ 20 a | 3 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | TLZ5V1-GS18 | 0.0335 | ![]() | 1387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ5V1 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 20 옴 | ||||||||||||
![]() | vs-10etf06fp-m3 | 1.4479 | ![]() | 8840 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2 | 10etf06 | 기준 | TO-220-2 풀 -2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs10etf06fpm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.2 v @ 10 a | 200 ns | 100 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||
AZ23B36-HE3-18 | 0.0534 | ![]() | 9147 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B36 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 27 v | 36 v | 90 옴 | |||||||||||||
![]() | VS-1N2133RA | - | ![]() | 4811 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N2133 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 300 v | 1.3 v @ 188 a | 10 ma @ 300 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 60a | - | |||||||||||
![]() | ESH3B-E3/9AT | 0.3208 | ![]() | 5490 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | ESH3 | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 900 mV @ 3 a | 40 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | ESH2PBHM3/85A | 0.1584 | ![]() | 1212 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | ESH2 | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 980 MV @ 2 a | 25 ns | 1 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
BZX84B5V1-E3-18 | 0.0324 | ![]() | 3367 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B5V1 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5251C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 6509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 112-MMSZ5251C-HE3_A-18TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 옴 | |||||||||||||||
![]() | S1AFK-M3/6A | 0.0858 | ![]() | 2024 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | S1A | 기준 | DO-221AC (Slimsma) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 1 a | 1.47 µs | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7.9pf @ 4V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고