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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-15ETH06HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06HN3 0.9522
RFQ
ECAD 1746 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 15ETH06 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 600 v 2.2 v @ 15 a 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
MSE07PJHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSE07PJHM3/89A 0.3500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSE07 기준 microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 600 v 1.08 V @ 700 ma 780 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 700ma 5pf @ 4V, 1MHz
SS5P3-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P3-E3/87A -
RFQ
ECAD 9081 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS5P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 5 a 250 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
PLZ5V6B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ5V6B-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz5v6 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2.5 v 5.59 v 13 옴
GL41A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL41A/54 -
RFQ
ECAD 9203 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) GL41 기준 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 50 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VS-25CTQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25ctq045strrpbf -
RFQ
ECAD 3248 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 710 MV @ 30 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-20ATS12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ATS12PBF -
RFQ
ECAD 6571 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 20ATS12 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20ats12pbf 귀 99 8541.10.0080 50 1200 v 1.1 v @ 20 a 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-SD2000C04L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD2000C04L 117.3567
RFQ
ECAD 3941 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD2000 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 400 v 1.55 V @ 6000 a 60 ma @ 400 v 2100A -
SE70PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se70pdhm3_a/i 0.4125
RFQ
ECAD 9178 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 200 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
BZX384C68-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C68-G3-08 0.0389
RFQ
ECAD 1689 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C68 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
FEPB16CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepb16cthe3_a/p 1.1550
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FEPB16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-8ETH06SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06SHM3 0.7425
RFQ
ECAD 8165 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8ETH06 기준 TO-263 (D2PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 22 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
MBRB10100-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10100-M3/4W 0.7447
RFQ
ECAD 3950 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
EGP30F-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30F-E3/54 -
RFQ
ECAD 4582 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP30 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZG03B20-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B20-HM3-08 0.2310
RFQ
ECAD 5824 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B20 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
1N5238B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5238B 탭 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5238 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.7 v 8 옴
S3D-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3D-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 2500 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 200 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4937GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GP-E3/54 0.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-4ESH01HM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4ESH01HM3/87A 0.2808
RFQ
ECAD 4302 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 4SH01 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 4 a 25 ns 2 µa @ 4 v -65 ° C ~ 175 ° C 4a -
VS-30ETU12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30etu12-m3 2.0300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 30ETU12 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.68 V @ 30 a 220 ns 145 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
VFT4045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT4045C-M3/4W 1.5015
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 VFT4045 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 580 mV @ 20 a 3 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
TLZ5V1-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ5V1-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 1387 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ5V1 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 20 옴
VS-10ETF06FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf06fp-m3 1.4479
RFQ
ECAD 8840 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 10etf06 기준 TO-220-2 풀 -2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10etf06fpm3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 10 a 200 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
AZ23B36-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B36-HE3-18 0.0534
RFQ
ECAD 9147 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B36 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 27 v 36 v 90 옴
VS-1N2133RA Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N2133RA -
RFQ
ECAD 4811 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N2133 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 300 v 1.3 v @ 188 a 10 ma @ 300 v -65 ° C ~ 200 ° C 60a -
ESH3B-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH3B-E3/9AT 0.3208
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ESH3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 3 a 40 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
ESH2PBHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2PBHM3/85A 0.1584
RFQ
ECAD 1212 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA ESH2 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 980 MV @ 2 a 25 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
BZX84B5V1-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B5V1-E3-18 0.0324
RFQ
ECAD 3367 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B5V1 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
MMSZ5251C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5251C-HE3_A-18 0.0566
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5251C-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
S1AFK-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFK-M3/6A 0.0858
RFQ
ECAD 2024 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S1A 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 800 v 1.1 v @ 1 a 1.47 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.9pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고