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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ)
BYM13-20HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM13-20HE3/96 -
RFQ
ECAD 4034 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF bym13 Schottky GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BYM13-20HE3_A/H 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
M30L45C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M30L45C-E3/4W -
RFQ
ECAD 6296 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 M30L45 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 600 mV @ 15 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-12CTQ035-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ035-M3 0.5554
RFQ
ECAD 6042 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 12ctq035 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 6A 730 mv @ 12 a 800 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
RGP10JE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10je-e3/54 0.4800
RFQ
ECAD 3520 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
81CNQ035A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 81CNQ035A -
RFQ
ECAD 4756 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-61-8 81CNQ Schottky D-61-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *81CNQ035A 귀 99 8541.10.0080 200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 40a 740 mV @ 80 a 5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
6CWQ10FNTR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6cwq10fntr -
RFQ
ECAD 5272 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3.5a 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
V1PL45-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1pl45-m3/h 0.3500
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP v1pl45 Schottky microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 530 mv @ 1 a 250 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A 200pf @ 4V, 1MHz
BZD17C6V2P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C6V2P-E3-08 0.1341
RFQ
ECAD 8835 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-219ab BZD17C6V2 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 6.2 v
SS22/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22/1 -
RFQ
ECAD 2644 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS22 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
MPG06D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06D-E3/54 0.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 MPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS2P3LHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P3LHE3/84A -
RFQ
ECAD 1153 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS2P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
UB10CCT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UB10CCT-E3/4W -
RFQ
ECAD 1528 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UB10 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 1.1 v @ 5 a 25 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-8ETH06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06STRL-M3 0.5067
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8ETH06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
VS-96-1050-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-96-1050-N3 -
RFQ
ECAD 5864 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 VS-96 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-96-1050-N3 귀 99 8541.10.0080 25
3KBP08M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP08M-M4/51 -
RFQ
ECAD 7558 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3KBP08 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 1.05 V @ 3 a 5 µa @ 800 v 3 a 단일 단일 50 v
MPG06B-E3/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06B-E3/100 0.1487
RFQ
ECAD 4306 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 MPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 100 v 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS25HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS25HE3_A/H 0.5400
RFQ
ECAD 3163 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS25 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
MBRB2060CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2060CT-E3/81 1.5200
RFQ
ECAD 239 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB2060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 800 mV @ 10 a 150 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
FEPF16DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepf16dthe3_a/p -
RFQ
ECAD 2766 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 FEPF16 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GP10AE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10AE-M3/54 -
RFQ
ECAD 1352 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 50 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
V8PA10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pa10-m3/i 0.5400
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 V8PA10 Schottky DO-221BC (SMPA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 760 mV @ 8 a 800 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a 850pf @ 4V, 1MHz
MMBD914-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD914-E3-18 0.2000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD914 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 150 ° C (°) 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
MBRB2060CTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2060CThe3_B/I 0.8250
RFQ
ECAD 1896 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB2060 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 800 mV @ 10 a 150 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
BAV20W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20W-E3-08 0.2800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAV20 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
VSKD250-20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKD250-20 -
RFQ
ECAD 9642 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKD250 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 1 연결 연결 시리즈 2000 v 250A 50 ma @ 2000 v
VSKC250-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKC250-12 -
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKC250 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 1 음극 음극 공통 1200 v 250A 50 ma @ 1200 v
U3D-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division U3D-M3/9AT 0.5500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC U3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 30 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
VFT3045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT3045CBP-M3/4W 1.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 vft3045 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 570 mV @ 15 a 2 ma @ 45 v 200 ° C (()
EGF1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1DHE3_A/H -
RFQ
ECAD 3413 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA EGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
LS103C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS103C-GS18 0.0651
RFQ
ECAD 5691 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 LS103 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 10 v 125 ° C (°) - 50pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고