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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMBZ5233C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5233C-G3-18 -
RFQ
ECAD 2007 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5233 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
UG5JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG5JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 UG5 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 5 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
1N4148W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4148W-E3-18 0.2300
RFQ
ECAD 341 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4148 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 @ 100 v 150 ° C (°) 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
RGP10BEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BEHE3/73 -
RFQ
ECAD 7951 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BAV20WS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20WS-E3-18 0.3000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAV20 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
GBPC25005-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC25005-E4/51 5.1500
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC25005 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
V60100C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60100C-M3/4W 2.8900
RFQ
ECAD 960 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 v60100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 790 MV @ 30 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZG03B27-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B27-HM3-18 0.2310
RFQ
ECAD 7926 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B27 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
VS-150U120D Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150U120D 31.7100
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 150U120 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1200 v 1.47 V @ 600 a -40 ° C ~ 180 ° C 150a -
SMAZ5938B-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaz5938b-e3/5a 0.1150
RFQ
ECAD 1560 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5938 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 27.4 v 36 v 38 옴
SMBZ5935B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5935B-E3/52 0.1676
RFQ
ECAD 3007 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBZ5935 3 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 20.6 v 27 v 23 옴
TZMB9V1-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB9V1-GS08 0.3100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB9V1 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
BAS40-00-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-00-E3-18 0.3300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 100 na @ 30 v 125 ° C (°) 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
VS-150K10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150K10A 28.5996
RFQ
ECAD 3289 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 150K10 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 100 v 1.33 V @ 471 a 35 ma @ 100 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
16CTQ100-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 16CTQ100-1 -
RFQ
ECAD 8349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 16CTQ Schottky TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *16CTQ100-1 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 8a 720 MV @ 8 a 550 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
ES1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1BHE3_A/I 0.3900
RFQ
ECAD 2103 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 920 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TZM5243B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5243B-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 6036 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5243 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
BAV21-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division bav21 탭 0.2200
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAV21 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 150 v 175 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
AR4PJ-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR4PJ-M3/86A 0.4290
RFQ
ECAD 8118 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR4 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.6 V @ 4 a 140 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 77pf @ 4v, 1MHz
MURS260HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS260HE3_A/H 0.1518
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MURS260 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.45 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
BZG05C7V5-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C7V5-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 6847 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 4.5 v 7.5 v 3 옴
RS1PGHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1pghm3/85a -
RFQ
ECAD 6898 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-220AA Rs1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
V2FM15-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2FM15-M3/i 0.0759
RFQ
ECAD 1877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab V2FM15 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.46 V @ 2 a 50 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A 90pf @ 4V, 1MHz
STPS40L15CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division STPS40L15CT -
RFQ
ECAD 4859 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS40 Schottky TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 20A 410 mV @ 19 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
S3A-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3A-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 1004 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3A 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 50 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 16pf @ 4V, 1MHz
1N4148WS-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4148WS-HG3-18 0.3700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 1N4148 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
1N6480HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6480HE3/97 -
RFQ
ECAD 7707 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N6480 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1N6480HE3_A/I 귀 99 8541.10.0080 5,000 200 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZG05B3V6-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B3V6-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 9023 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.94% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 20 µa @ 1 v 3.6 v 20 옴
UG18DCTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG18DCthe3/45 -
RFQ
ECAD 2890 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 UG18 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 18a 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
1N4937GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GP-E3/73 0.4800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고