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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
U1D-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division U1D-M3/5AT 0.4900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA U1D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 1 a 24 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6.8pf @ 4V, 1MHz
VS-50WQ10FNTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq10fntrrpbf -
RFQ
ECAD 8026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50wq10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs50wq10fntrrpbf 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 5 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 183pf @ 5V, 1MHz
B130-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B130-E3/61T 0.4000
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B130 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 1 a 200 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
1N5238B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5238B-TR 0.2300
RFQ
ECAD 8844 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5238 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.7 v 8 옴
VS-305UA250P4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-305UA250P4 -
RFQ
ECAD 5980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 305UA250 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 12 2000 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
VS-85HFR20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFR20 12.1300
RFQ
ECAD 5558 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFR20 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 200 v 1.2 v @ 267 a 9 ma @ 200 v -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
MMSZ4708-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4708-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 7564 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4708 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 na @ 16.7 v 22 v
20TQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20TQ045 -
RFQ
ECAD 5081 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 20TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 20 a 2.7 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
VS-8CSH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8CSH01-M3/86A 0.7500
RFQ
ECAD 118 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 8CSH01 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 4a 950 MV @ 4 a 25 ns 2 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-50WQ04FNTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq04fntrhm3 0.9839
RFQ
ECAD 5755 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs50wq04fntrhm3 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 510 mV @ 5 a 3 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 405pf @ 5V, 1MHz
BAS40-06-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-06-HE3-18 0.0606
RFQ
ECAD 3192 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 5 ns 100 na @ 30 v 125 ° C (°)
VS-10TQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ045PBF -
RFQ
ECAD 3098 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 10TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 760 mV @ 10 a 6 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
ES2BHE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2BHE3/5BT -
RFQ
ECAD 2361 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 2 a 30 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 18pf @ 4V, 1MHz
UG8JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ug8jthe3/45 -
RFQ
ECAD 10000 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 UG8 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 8 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SBLB25L30CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB25L30CT-E3/45 0.9789
RFQ
ECAD 5072 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB25L30 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 12.5A 490 MV @ 12.5 a 900 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZG05B56-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B56-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 8378 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B56 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 43 v 56 v 120 옴
89CNQ135ASM Vishay General Semiconductor - Diodes Division 89cnq135asm -
RFQ
ECAD 6796 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 D-61-8-SM 89cnq Schottky D-61-8-SM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *89cnq135asm 귀 99 8541.10.0080 20 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 135 v 40a 990 mV @ 40 a 1.5 ma @ 135 v -55 ° C ~ 175 ° C
V8PA12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pa12-m3/i 0.5400
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 V8PA12 Schottky DO-221BC (SMPA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 870 mv @ 8 a 600 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a 700pf @ 4V, 1MHz
SE40PBHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PBHM3/87A -
RFQ
ECAD 1008 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE40 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 100 v 1.05 V @ 4 a 2.2 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 28pf @ 4V, 1MHz
VSSB3L6S-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB3L6S-M3/5BT 0.1762
RFQ
ECAD 5937 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SB3L6 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vssb3l6sm35bt 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 590 mV @ 3 a 1.2 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2.6a 358pf @ 4V, 1MHz
VSS8D5M12HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d5m12hm3/h 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S8D5 Schottky Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 620 MV @ 2.5 a 350 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 2.2A 460pf @ 4V, 1MHz
GDZ6V8B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ6V8B-G3-08 0.0445
RFQ
ECAD 9713 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 gdz6v8 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
MMSZ5241B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5241B-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 4826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5241 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
BZG03C220TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C220TR -
RFQ
ECAD 1248 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 160 v 220 v 750 옴
MMSZ4701-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4701-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 8768 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4701 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 10.6 v 14 v
RGP10BHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BHM3/54 -
RFQ
ECAD 5273 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4717-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4717-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 5887 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4717-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 10 na @ 32.6 v 43 v
VIT30L60C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT30L60C-M3/4W 1.1781
RFQ
ECAD 7610 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT30L60 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 600 mV @ 15 a 4 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
SMAZ5938B-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5938B-E3/61 0.1219
RFQ
ECAD 6096 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5938 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 27.4 v 36 v 38 옴
SD101BW-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101BW-G3-08 0.0577
RFQ
ECAD 9101 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SD101 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 1 V @ 15 ma 1 ns 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 30ma 2pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고