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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMSZ5232B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5232B-HE3-08 0.2800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5232 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
BZT52B3V0-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V0-E3-18 0.0433
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B3V0 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 v 95 옴
SMZG3805B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3805B-E3/5B 0.2407
RFQ
ECAD 4170 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMZG3805 1.5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
1N5246B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5246B-T -
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5246 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 12 v 16 v 600 옴
BZG05B3V3-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B3V3-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 1513 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B3V3 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 40 µa @ 1 v 3.3 v 20 옴
TZMB30-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB30-GS08 0.3100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB30 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 22 v 30 v 80 옴
ZMM5238B-13 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5238B-13 -
RFQ
ECAD 8045 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) ZMM52 500MW DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) ZMM5238B-13GI 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.7 v 8 옴
VS-40HF20M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HF20M 15.4477
RFQ
ECAD 4193 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HF20 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS40HF20M 귀 99 8541.10.0080 100 200 v 1.3 v @ 125 a -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
BY229X-200HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229X-200HE3/45 -
RFQ
ECAD 8931 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 by229 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.85 V @ 20 a 145 ns 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
ES2DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2DHE3_A/H 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 2 a 20 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 18pf @ 4V, 1MHz
DZ23C3V3-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C3V3-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 1612 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 음극 음극 공통 3.3 v 95 옴
1N4729A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4729A-TR 0.3700
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4729 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
3KBP08M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP08M-M4/51 -
RFQ
ECAD 7558 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3KBP08 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 1.05 V @ 3 a 5 µa @ 800 v 3 a 단일 단일 50 v
VS-10CSH02-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CSH02-M3/86A 0.7500
RFQ
ECAD 9350 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 10csh02 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 980 MV @ 5 a 18 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
BYG20D-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG20D-M3/TR 0.1518
RFQ
ECAD 1801 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg20 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 V @ 1.5 a 75 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
GLL4755-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4755-E3/96 0.3053
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF GLL4755 1 W. Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
BZX584C18-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C18-G3-08 0.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX584C 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 50 na @ 12.6 v 18 v 10 옴
AZ23C13-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C13-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 4021 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C13 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 10 v 13 v 25 옴
1N5624-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624-TR 0.9700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 1N5624 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 200 v 1 V @ 3 a 7.5 µs 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
GI817-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI817-E3/54 -
RFQ
ECAD 5979 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GI817 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 800 v 1.2 v @ 1 a 750 ns 10 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
VS-80-1320-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-1320-M3 -
RFQ
ECAD 8787 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 VS-80 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-80-1320-M3 귀 99 8541.10.0080 25
BZX84B62-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B62-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B62 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
BYWE29-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bywe29-200-E3/45 -
RFQ
ECAD 9212 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 bywe29 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 20 a 25 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 8a 45pf @ 4V, 1MHz
BZT03D270-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D270-TAP -
RFQ
ECAD 6485 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 7.04% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BZT03 1.3 w SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 200 v 270 v 1000 옴
VS-31DQ09 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ09 -
RFQ
ECAD 6864 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31dq09 Schottky C-16 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 1 ma @ 90 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
BYG10Y-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10y-e3/tr3 0.4500
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 1600 v 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µa @ 1600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
TY056S150A6OT Vishay General Semiconductor - Diodes Division TY056S150A6OT -
RFQ
ECAD 2865 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 주사위 TY056 Schottky 주사위 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0040 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.41 V @ 5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
V6WL45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6WL45C-M3/i -
RFQ
ECAD 8771 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 V6WL45 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 3A 520 MV @ 3 a 1 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-20CTQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ035-N3 -
RFQ
ECAD 4244 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 20ctq035 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20ctq035n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 20A 760 mV @ 20 a 2 ma @ 35 v 175 ° C (°)
SMPZ3924B-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3924B-E3/85A -
RFQ
ECAD 1957 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA smpz39 500MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 7 v 9.1 v 4 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고