전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5251C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 6509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 112-MMSZ5251C-HE3_A-18TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 옴 | |||||||||||||||
![]() | UH1D-M3/61T | - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | uh1 | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.05 V @ 1 a | 30 ns | 1 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BYG10K-M3/TR | 0.1485 | ![]() | 7989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | byg10 | 눈사태 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 짐 | 800 v | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | ||||||||||
GP30DLHE3/72 | - | ![]() | 1950 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, Superectifier® | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | GP30 | 기준 | Do-201ad | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 3 a | 5 µs | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SE100PWG-M3/I | 0.2673 | ![]() | 7089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SE100 | 기준 | Slimdpak | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 짐 | 400 v | 1.14 V @ 10 a | 2.6 µs | 20 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 78pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | MMSZ4702-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 4307 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4702 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 11.4 v | 15 v | ||||||||||||||
![]() | 1N4944GP-M3/54 | - | ![]() | 1752 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4944 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 1 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
MMBD914-HE3-08 | 0.2100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD914 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 100 v | 1 V @ 10 ma | 4 ns | 5 µa @ 75 v | 150 ° C (°) | 200ma | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | S3D-M3/9AT | 0.1549 | ![]() | 2500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S3D | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 짐 | 200 v | 1.15 V @ 2.5 a | 2.5 µs | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | AS1PJ-M3/85A | 0.2393 | ![]() | 7719 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | AS1 | 눈사태 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 600 v | 1.15 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | 10.4pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
AZ23B36-HE3-18 | 0.0534 | ![]() | 9147 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B36 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 27 v | 36 v | 90 옴 | |||||||||||||
![]() | MBRB10100-M3/4W | 0.7447 | ![]() | 3950 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB10100 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 800 mV @ 10 a | 100 @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
![]() | VFT4045C-M3/4W | 1.5015 | ![]() | 4731 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | VFT4045 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 20A | 580 mV @ 20 a | 3 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | BZG03B20-HM3-08 | 0.2310 | ![]() | 5824 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03B20 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 15 v | 20 v | 15 옴 | ||||||||||||
![]() | IRKJ56/06A | - | ![]() | 1395 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3) | IRKJ56 | 기준 | Add-a-Pak® | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 1 양극 양극 공통 | 600 v | 60a | 10 ma @ 600 v | |||||||||||||
![]() | US1B-M3/5AT | 0.0825 | ![]() | 6493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | US1B | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | S1AFK-M3/6A | 0.0858 | ![]() | 2024 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | S1A | 기준 | DO-221AC (Slimsma) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 1 a | 1.47 µs | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7.9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4937GP-E3/54 | 0.5000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4937 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VBT6045C-M3/4W | 1.6536 | ![]() | 6539 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | vbt6045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 30A | 640 mV @ 30 a | 3 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VS-8AF2RPP | - | ![]() | 1445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시, 마운트 스터드 | B-47 | 8AF2 | 표준, 극성 역 | B-47 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 200 v | 5 ma @ 200 v | -65 ° C ~ 195 ° C | 50a | - | ||||||||||||
![]() | VS-45L20 | 35.6840 | ![]() | 1443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 스터드 스터드 | DO-205AC, DO-30, 스터드 | 45L20 | 기준 | DO-205AC (DO-30) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS45L20 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 짐 | 200 v | 1.33 V @ 471 a | -40 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | |||||||||||
![]() | TLZ8V2-GS18 | 0.0335 | ![]() | 9080 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | tlz8v2 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 8.2 v | 8 옴 | |||||||||||||
![]() | VS-VSKC250-16PBF | 155.4950 | ![]() | 8873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | int-a-pak | VSKC250 | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsvskc25016pbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1600 v | 125a | 50 ma @ 1600 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
VS-6TQ045HN3 | 0.6539 | ![]() | 1122 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 6TQ045 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 600 mV @ 6 a | 800 µa @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-SD3000C10K | 223.1700 | ![]() | 9742 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 클램프 클램프 | DO-200AC, K-PUK | SD3000 | 기준 | DO-200AC, K-PUK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2 | 짐 | 1000 v | 1.22 V @ 6000 a | 75 ma @ 1000 v | 3800A | - | ||||||||||||
![]() | CS3M-E3/I | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | CS3 | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 짐 | 1000 v | 1.15 V @ 3 a | 2.8 µs | 5 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 26pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-ETH1506STRL-M3 | 1.5500 | ![]() | 3304 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | ETH1506 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 짐 | 600 v | 2.45 V @ 15 a | 15 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 15a | - | |||||||||||
![]() | VS-71HF10 | 6.8191 | ![]() | 3983 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 71HF10 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 100 v | 1.35 V @ 220 a | 15 ma @ 100 v | -65 ° C ~ 180 ° C | 70A | - | |||||||||||
![]() | ugb15jthe3/81 | - | ![]() | 5728 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | UGB15 | 기준 | to-263ab (d²pak) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.75 V @ 15 a | 50 ns | 30 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
MMBZ5259C-G3-08 | - | ![]() | 6614 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5259 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고