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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GF1MHE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1MHE3/5CA -
RFQ
ECAD 8768 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA GF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 1000 v 1.2 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
VSSAF5N50-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF5N50-M3/6B 0.4800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS®, Slimsma ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SAF5N50 Schottky DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 410 MV @ 2.5 a 1.4 ma @ 50 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 850pf @ 4V, 1MHz
S07J-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07J-GS08 0.4400
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S07 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 700ma 4pf @ 4V, 1MHz
SS2FH6HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2fh6hm3/h 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS2FH6 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 780 MV @ 2 a 3 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 90pf @ 4V, 1MHz
VBT1045BP-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045BP-M3/8W 0.5826
RFQ
ECAD 7811 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt1045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 680 mV @ 10 a 500 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
RGP10GE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GE-E3/54 0.4800
RFQ
ECAD 9282 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
50WQ10FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50wq10fn -
RFQ
ECAD 1143 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50wq10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 5 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 183pf @ 5V, 1MHz
VS-16CTU04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTU04-M3 1.1300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 16ctu04 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 8a 1.3 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C
US1J/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1J/1 -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA US1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZD27C15P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C15P-E3-18 0.1475
RFQ
ECAD 7291 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 15 v 10 옴
BZD27C56P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C56P-M3-08 0.1733
RFQ
ECAD 9627 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C56 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 43 v 56 v 60 옴
BZD27C51P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C51P-HE3-08 0.4500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C51 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
SS3P4-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P4-M3/84A 0.4900
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS3P4 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 3 a 150 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 130pf @ 4V, 1MHz
V40DM120C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40DM120C-M3/I 2.1450
RFQ
ECAD 1257 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V40DM120 Schottky SMPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 890 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5228B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5228B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 8766 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5228 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
85CNQ015ASM Vishay General Semiconductor - Diodes Division 85cnq015asm -
RFQ
ECAD 2594 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 D-61-8-SM 85cnq Schottky D-61-8-SM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *85cnq015asm 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 40a 450 mV @ 80 a 20 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
VS-70HFR60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR60 11.1800
RFQ
ECAD 9739 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HFR60 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.35 V @ 220 a 9 ma @ 600 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
VB30100C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30100C-M3/8W 0.9887
RFQ
ECAD 3500 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB30100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 800 mV @ 15 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-ETH3006SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH3006SHM3 2.5667
RFQ
ECAD 9095 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ETH3006 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSETH3006SHM3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.65 V @ 30 a 26 ns 30 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
MMSZ5235C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5235C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5235 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
BZD27C6V2P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C6V2P-E3-18 0.1341
RFQ
ECAD 9204 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C6V2 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 6.2 v 3 옴
US1G-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1G-E3/61T 0.3800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-8EWF02STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf02strlpbf -
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf02 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1.2 v @ 8 a 200 ns -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
DZ23C15-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C15-E3-08 0.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
VS-ETL1506STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETL1506STRRHM3 1.1423
RFQ
ECAD 3912 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ETL1506 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.07 V @ 15 a 210 ns 15 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
BZX384C15-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C15-G3-08 0.2900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C15 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZX84C11-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C11-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 8123 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84C11-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
MBRB2535CTTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbrb2535cttrl -
RFQ
ECAD 6312 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB25 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 820 MV @ 30 a 200 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
1N4005GPHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GPHM3/73 -
RFQ
ECAD 9860 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
V3P22-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3p22-m3/h 0.4500
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v3p22 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 940 MV @ 3 a 50 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C 1.7a 120pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고