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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS2PH6-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH6-M3/84A 0.0809
RFQ
ECAD 1548 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS2PH6 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 800 mV @ 2 a 2 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 93pf @ 4v, 1MHz
VS-150K40A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150K40A 36.2700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 150k40 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 400 v 1.33 V @ 471 a 35 ma @ 400 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
VS-40HFLR10S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFLR10S02 7.6427
RFQ
ECAD 4304 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFLR10 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.95 V @ 40 a 200 ns 100 @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
VIT2080C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2080C-M3/4W 0.6955
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT2080 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 10A 810 mv @ 10 a 600 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-73-4790 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-73-4790 -
RFQ
ECAD 7282 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 - 112-VS-73-4790 쓸모없는 1
BZG03C270TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C270TR3 -
RFQ
ECAD 6326 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 200 v 270 v 1000 옴
GIB2404-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB2404-E3/81 0.9817
RFQ
ECAD 9519 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB GIB2404 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 16A 975 MV @ 8 a 35 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5233B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5233B-G3-08 -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5233 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
GPP20J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP20J-E3/54 0.3900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GPP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 600 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S1PKHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1PKHM3/84A 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA S1p 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
GP10V-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10V-M3/73 -
RFQ
ECAD 8230 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1400 v 1.3 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5257C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5257C-HE3_A-18 0.0566
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5257C-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
VS-4CSH02-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4CSH02-M3/86A 0.6000
RFQ
ECAD 550 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 4CSH02 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 2A 950 MV @ 2 a 16 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
GDZ18B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ18B-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 5945 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ18 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 13 v 18 v 65 옴
MMSZ5234C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5234C-HE3-08 0.3400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5234 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
1N4151W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151W-E3-18 0.0342
RFQ
ECAD 1174 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4151 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 1 V @ 50 ma 4 ns 50 Na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
TZX20C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx20c-tr 0.2300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX20 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 15 v 20 v 60 옴
MBRB745HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB745HE3_B/I 0.6765
RFQ
ECAD 8874 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB745 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 MV @ 7.5 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
MMSZ4698-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4698-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 7637 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4698 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 na @ 8.4 v 11 v
BZG04-68-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-68-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 5929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-68 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 68 v 82 v
VS-MBRD340-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRD340-M3 0.6500
RFQ
ECAD 8929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD340 Schottky TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 189pf @ 5V, 1MHz
6CWQ03FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6cwq03fntrr -
RFQ
ECAD 5373 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 3.5a 450 mV @ 3 a 2 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C
ES3FHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3fhe3_a/i 0.3300
RFQ
ECAD 5773 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC es3f 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
FEPB16JTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepb16jthe3_a/i 1.3171
RFQ
ECAD 1744 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FEPB16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 8a 1.5 v @ 8 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZG03B43TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B43TR -
RFQ
ECAD 5523 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
AZ23C12-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C12-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 7196 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C12 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
403CNQ080 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 403CNQ080 -
RFQ
ECAD 6625 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 403CNQ Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 400A 970 MV @ 400 a 6 ma @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
EGP50C-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50C-E3/54 -
RFQ
ECAD 6534 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP50 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 5 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 95pf @ 4V, 1MHz
VS-70HFLR60S02M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFLR60S02M 18.0734
RFQ
ECAD 6494 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HFLR60 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS70HFLR60S02M 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.85 V @ 219.8 a 200 ns -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
VS-VSKJ56/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ56/04 36.2300
RFQ
ECAD 5100 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskj56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKJ5604 귀 99 8541.10.0080 10 1 양극 양극 공통 400 v 30A 10 ma @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고