RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (29505)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
GF1MHE3/5CA	-	RFQ	8768	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214BA	GF1	기준		DO-214BA (GF1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		짐		1000 v		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VSSAF5N50-M3/6B	0.4800	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®, Slimsma ™	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SAF5N50	Schottky		DO-221AC (Slimsma)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		410 MV @ 2.5 a		1.4 ma @ 50 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	850pf @ 4V, 1MHz
S07J-GS08	0.4400	RFQ	81	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S07	기준		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		600 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	700ma	4pf @ 4V, 1MHz
ss2fh6hm3/h	0.3700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS2FH6	Schottky		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		780 MV @ 2 a		3 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	90pf @ 4V, 1MHz
VBT1045BP-M3/8W	0.5826	RFQ	7811	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	vbt1045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		680 mV @ 10 a		500 µa @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
RGP10GE-E3/54	0.4800	RFQ	9282	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
50wq10fn	-	RFQ	1143	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	50wq10	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	75		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		770 mv @ 5 a		1 ma @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5A	183pf @ 5V, 1MHz
VS-16CTU04-M3	1.1300	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	16ctu04	기준		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	400 v	8a	1.3 V @ 8 a	60 ns	10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C
US1J/1	-	RFQ	5330	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BZD27C15P-E3-18	0.1475	RFQ	7291	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 11 v				15 v	10 옴
BZD27C56P-M3-08	0.1733	RFQ	9627	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C56		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 43 v				56 v	60 옴
BZD27C51P-HE3-08	0.4500	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C51		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 39 v				51 v	60 옴
SS3P4-M3/84A	0.4900	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	SS3P4	Schottky		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 3 a		150 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	130pf @ 4V, 1MHz
V40DM120C-M3/I	2.1450	RFQ	1257	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형	V40DM120	Schottky		SMPD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	20A	890 mV @ 20 a		500 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5228B-HE3-08	-	RFQ	8766	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5228		225 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								10 µa @ 1 v				3.9 v	23 옴
VS-70HFR60	11.1800	RFQ	9739	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	70HFR60	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		600 v		1.35 V @ 220 a		9 ma @ 600 v	-65 ° C ~ 180 ° C	70A	-
VB30100C-M3/8W	0.9887	RFQ	3500	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VB30100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	15a	800 mV @ 15 a		500 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-ETH3006SHM3	2.5667	RFQ	9095	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, FRED PT®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	ETH3006	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSETH3006SHM3	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.65 V @ 30 a	26 ns	30 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
MMSZ5235C-G3-08	0.0483	RFQ	8559	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5235		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								3 µa @ 5 v				6.8 v	5 옴
BZD27C6V2P-E3-18	0.1341	RFQ	9204	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C6V2		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v				6.2 v	3 옴
US1G-E3/61T	0.3800	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1 V @ 1 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
vs-8ewf02strlpbf	-	RFQ	2878	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	8ewf02	기준		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)				1.2 v @ 8 a	200 ns		-40 ° C ~ 150 ° C	8a	-
DZ23C15-E3-08	0.3100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 11 v				15 v	30 옴
VS-ETL1506STRRHM3	1.1423	RFQ	3912	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, FRED PT®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	ETL1506	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.07 V @ 15 a	210 ns	15 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
BZX384C15-G3-08	0.2900	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384C15		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								50 na @ 10.5 v				15 v	30 옴
BZX84C11-HE3_A-18	0.0498	RFQ	8123	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX84	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23-3	다운로드				112-BZX84C11-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 8 v				11 v	20 옴
mbrb2535cttrl	-	RFQ	6312	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB25	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	15a	820 MV @ 30 a		200 µa @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C
1N4005GPHM3/73	-	RFQ	9860	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4005	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		600 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
v3p22-m3/h	0.4500	RFQ	28	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	v3p22	Schottky		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		940 MV @ 3 a		50 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 175 ° C	1.7a	120pf @ 4V, 1MHz
8ETH06S	-	RFQ	4624	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	8ETH06	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²