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다이오드 (29505)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
UG10GCT-E3/45	-	RFQ	5544	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	UG10	기준		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	400 v	5a	1.3 V @ 5 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C
P300K-E3/54	0.4700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	P300	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		짐		800 v		1.2 v @ 3 a	2 µs	5 µa @ 800 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
v30k150-m3/h	1.0000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1.4 V @ 30 a		350 µa @ 150 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	1660pf @ 4V, 1MHz
BZX584C7V5-HG3-08	0.3400	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX584C	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000								1 µa @ 5 v						7.5 v	6 옴
DZ23B24-G3-08	-	RFQ	3031	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23-G	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 18 v						24 v	80 옴
GP30D-E3/73	-	RFQ	4991	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	GP30	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		짐		200 v		1.1 v @ 3 a	5 µs	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-VSKC320-16PBF	201.1700	RFQ	8051	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	int-a-pak	vskc320	기준		int-a-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskc32016pbf	귀 99	8541.10.0080	2		짐	1 연결 연결 시리즈	1600 v	40a			50 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
EDF1BM-E3/45	1.2700	RFQ	447	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	EDF1	기준		DFM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50						1.05 V @ 1 a		5 µa @ 100 v		1 a		단일 단일	100 v
vx60m60chm3/p	1.2606	RFQ	5214	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	vx60m	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	112-VX60M60CHM3/p	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	30A	660 mV @ 30 a		600 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-2KBB80R	1.7300	RFQ	500	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip, 2kbb	2KBB80	기준		2KBB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500						1.1 v @ 1.9 a		10 µa @ 800 v		1.9 a		단일 단일	800 v
TZM5244B-GS18	0.0303	RFQ	5581	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5244		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 10 v						14 v	15 옴
VS-60CPH03-N3	8.0800	RFQ	476	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	60cph03	기준		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs60cph03n3	귀 99	8541.10.0080	25		짐	1 음극 음극 공통	300 v	30A	1.25 V @ 30 a		60 µa @ 300 v	175 ° C (°)
DF01STR16	-	RFQ	4485	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	Digi-Reel®	쓸모없는			표면 표면	4-SMD,, 날개	DF01			DFS	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250												단일 단일	100 v
MMBZ5235B-G3-08	-	RFQ	6147	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5235		225 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								3 µa @ 5 v						6.8 v	5 옴
vs-10ets12strrpbf	-	RFQ	3489	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	10ets12	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs10ets12strrpbf	귀 99	8541.10.0080	800		짐		1200 v		1.1 v @ 10 a		50 µa @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Z4KE150HE3/73	-	RFQ	4655	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	쓸모없는	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	Z4KE150		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								500 NA @ 108 v						150 v	1000 옴
FGP30D-E3/54	-	RFQ	2771	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FGP30	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	70pf @ 4V, 1MHz
SMAZ5921B-M3/5A	0.0974	RFQ	4586	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz5921		500MW	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		200 µa @ 5.2 v						6.8 v	2.5 옴
BZG05B18-M3-08	0.1980	RFQ	4519	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05B18		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 13 v						18 v	20 옴
SL03-GS08	0.4200	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SL03	Schottky		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		430 MV @ 1.1 a		130 µa @ 30 v	125 ° C (°)	1.1a	-
gp10ve-m3/73	-	RFQ	4418	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		1400 v		1.3 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 1400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5pf @ 4V, 1MHz
FGP10D-M3/73	-	RFQ	2937	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	FGP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	2 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
RGF1G-1HE3_A/H	-	RFQ	8914	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214BA		기준		DO-214BA (GF1)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		112-RGF1G-1HE3_A/HTR	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
SBYV26CHE3/54	-	RFQ	1320	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SBYV26	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.5 V @ 1 a	30 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS-S1277	-	RFQ	8950	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는									-				112-VS-S1277	쓸모없는		1
HFA32PA120C	-	RFQ	1854	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	HFA32	기준		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	1200 v	16A (DC)	3 V @ 16 a	135 ns	20 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
gp10yhm3/54	-	RFQ	7989	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		짐		1600 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 1600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5pf @ 4V, 1MHz
MBRB3035CT-E3/81	-	RFQ	8974	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB30	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	15a	600 mV @ 20 a		1 ma @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-8EWS10S-M3	0.4950	RFQ	1072	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	8ews10	기준		D-PAK (TO-252AA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		1000 v		1.1 v @ 8 a		50 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
SD103CW-E3-08	0.3500	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	SD103	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 10 v	125 ° C (°)	-	50pf @ 0V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²