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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SE10PD-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE10PD-E3/84A -
RFQ
ECAD 5580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SE10 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.05 V @ 1 a 780 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
VS-UFB200FA60P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFB200FA60p -
RFQ
ECAD 4506 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 UFB200 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VSUFB200FA60p 귀 99 8541.10.0080 180 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 600 v 126a 1.78 V @ 100 a 108 ns 100 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
ZM4762A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4762A-GS18 -
RFQ
ECAD 8428 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) ZM4762 1 W. do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZM4762AGS18 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
EGP10B-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10B-M3/73 -
RFQ
ECAD 4180 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
300CNQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 300CNQ045 -
RFQ
ECAD 4932 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 300cnq Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 300A 610 mV @ 150 a 15 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
MMSZ4710-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4710-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 1085 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4710 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 na @ 19 v 25 v
VS-20ATS12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ATS12PBF -
RFQ
ECAD 6571 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 20ATS12 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20ats12pbf 귀 99 8541.10.0080 50 1200 v 1.1 v @ 20 a 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-HFA280NJ60CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa280nj60cpbf 53.9550
RFQ
ECAD 1268 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 쟁반 활동적인 섀시 섀시 TO-244AB HFA280 기준 TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vshfa280nj60cpbf 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 280a 2.1 v @ 210 a 39 ns 8 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-10ETS12SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10ets12spbf -
RFQ
ECAD 2872 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10ets12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1200 v 1.1 v @ 10 a 50 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
FESF16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16JT-E3/45 2.1000
RFQ
ECAD 998 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 FESF16 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 16 a 50 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
DZ23C20-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C20-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 1687 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
RS1GHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1GHE3/61T -
RFQ
ECAD 9723 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Rs1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1N4752A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4752A- 탭 0.3600
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4752 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
MBRB735-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB735-E3/81 -
RFQ
ECAD 6815 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB7 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 840 mV @ 15 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
RS1FM-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1FM-M3/I 0.0483
RFQ
ECAD 3046 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-RS1FM-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.25 V @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
SE20PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20PB-M3/84A 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SE20 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.05 V @ 2 a 1.2 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 13pf @ 4V, 1MHz
VS-5EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewh06fntr-m3 0.8500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 5ewh06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.85 V @ 5 a 25 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 5a -
VS-25ETS10SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25ets10spbf -
RFQ
ECAD 1834 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25ETS10 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs25ets10spbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.14 V @ 25 a 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
V35PWM15-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v35pwm15-m3/i 1.3100
RFQ
ECAD 902 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 v35pwm15 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.4 V @ 35 a 500 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 35a 1620pf @ 4V, 1MHz
TZMA10-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMA10-GS08 0.1497
RFQ
ECAD 5536 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMA10 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
BZG04-51-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-51-HM3-08 0.2079
RFQ
ECAD 2278 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-51 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 51 v 62 v
FESE8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fese8jt-e3/45 -
RFQ
ECAD 3857 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 fese8 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 8 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 50pf @ 4V, 1MHz
UGB8CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb8cthe3_a/p -
RFQ
ECAD 8099 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 8 a 30 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
EGL41CHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41CHE3_A/I -
RFQ
ECAD 2723 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) EGL41 기준 do-213ab 다운로드 영향을받지 영향을받지 EGL41CHE3_B/I 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
VS-60APU02-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APU02-N3 7.1100
RFQ
ECAD 770 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 60APU02 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-60APU02-N3GI 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.08 V @ 60 a 28 ns 50 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
10ETF04FP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10etf04fp -
RFQ
ECAD 7517 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 10etf04 기준 TO-220AC 전체 ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 10 a 145 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
1N3957GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3957GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N3957 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1 V @ 1 a 2 µs 1 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
V20DL45BP-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DL45BP-M3/I 0.8300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V20DL45 Schottky SMPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 640 mV @ 20 a 2.5 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
IRKD166/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD166/08 -
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 int-a-pak (3) IRKD166 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 1 연결 연결 시리즈 800 v 165a 20 ma @ 800 v
VS-HFA15TB60SR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA15TB60SR-M3 0.6897
RFQ
ECAD 5272 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA15 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 V @ 30 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고