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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TZMC30-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC30-M-18 0.0324
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC30 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 22 v 30 v 80 옴
TZMC43-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC43-M-08 0.0324
RFQ
ECAD 2644 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC43 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 90 옴
VS-8ETH06STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06ST-M3 0.5067
RFQ
ECAD 7077 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8ETH06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
BZG03C68-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C68-HM3-18 0.1898
RFQ
ECAD 1856 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C68 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
SS5P3-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P3-E3/87A -
RFQ
ECAD 9081 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS5P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 5 a 250 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
GDZ33B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ33B-HG3-08 0.0523
RFQ
ECAD 5911 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ33 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 25 v 33 v 250 옴
PLZ5V6B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ5V6B-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz5v6 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2.5 v 5.59 v 13 옴
MMSZ5238C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5238C-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 3412 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5238 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 6.5 v 8.7 v 8 옴
SS1P6LHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P6LHE3/84A -
RFQ
ECAD 9007 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS1P6 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 590 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SB5H90-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB5H90-E3/54 0.7500
RFQ
ECAD 7168 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB5H90 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mV @ 5 a 200 µa @ 90 v 175 ° C (°) 5a -
8EWS16STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ews16strl -
RFQ
ECAD 5404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ews16 기준 D-PAK (TO-252AA) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1600 v 1.1 v @ 8 a 50 µa @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
BZG03C20-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C20-M3-18 0.1815
RFQ
ECAD 7827 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C20 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
VS-21DQ06TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-21dq06tr -
RFQ
ECAD 4982 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 21dq06 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 600 mV @ 2 a 500 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
SB260-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB260-E3/73 0.4300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SB260 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 680 MV @ 2 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
S3M-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3M-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 7929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 1000 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
VS-6FR60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6FR60 3.7351
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6FR60 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.1 v @ 19 a 12 ma @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
GP10-4002E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4002E-E3/53 -
RFQ
ECAD 1815 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VB30M120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30M120CHM3/i -
RFQ
ECAD 7832 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB30M Schottky TO-263AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 980 MV @ 15 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZX384B2V7-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B2V7-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 5970 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B2V7 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 20 na @ 1 v 2.7 v 100 옴
1N4937GPEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GPEHE3/91 -
RFQ
ECAD 1859 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
VS-12TQ040STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ040STRLHM3 1.0540
RFQ
ECAD 6704 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
UGF18BCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf18bcthe3_a/p -
RFQ
ECAD 6612 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF18 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 18a 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
V30KL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30kl45-m3/i 0.4803
RFQ
ECAD 5040 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V30KL45-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 30 a 1.7 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 6.3A 4750pf @ 4V, 1MHz
SS2P3LHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P3LHM3/84A 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS2P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 130pf @ 4V, 1MHz
VS-15ETH06HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06HN3 0.9522
RFQ
ECAD 1746 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 15ETH06 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 600 v 2.2 v @ 15 a 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
MF10H100CTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division mf10h100cthe3_b/p 0.9405
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MF10H100 Schottky ITO-220AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 850 mv @ 10 a 3.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-25CTQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25ctq045strrpbf -
RFQ
ECAD 3248 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 710 MV @ 30 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX384B47-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B47-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 8845 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B47 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
VS-85HFL60S02M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFL60S02M 22.8236
RFQ
ECAD 6349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFL60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS85HFL60S02M 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 267 a 120 ns -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
SBLF25L30CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF25L30CT-E3/45 1.0141
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBLF25L30 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 12.5A 490 MV @ 12.5 a 900 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고