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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZG04-150-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-150-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 8308 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-150 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 150 v 180 v
SMZJ3801BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3801bhe3_a/i 0.1597
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3801 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
KBP06M-E4/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP06M-E4/1 -
RFQ
ECAD 3063 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM KBP06 기준 KBPM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
VS-12FLR60S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FLR60S05 5.3962
RFQ
ECAD 6244 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 12FLR60 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 12 a 500 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
VS-90APS16L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-90APS16L-M3 5.2800
RFQ
ECAD 4938 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 90aps16 기준 TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1600 v 1.21 V @ 90 a 100 µa @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C 90A -
BYS12-90-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS12-90-E3/TR 0.4600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA bys12 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 750 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
MMBZ5231C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5231C-G3-18 -
RFQ
ECAD 3149 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5231 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
RMPG06BHE3_A/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06BHE3_A/53 0.1792
RFQ
ECAD 3455 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 RMPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6.6pf @ 4V, 1MHz
MBRB1660-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1660-E3/45 1.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB1660 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 16 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
GLL4759-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4759-E3/97 0.2970
RFQ
ECAD 3726 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF GLL4759 1 W. Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
V6PWM45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v6pwm45hm3/i 0.2492
RFQ
ECAD 9219 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-v6pwm45hm3/itr 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 580 mV @ 6 a 50 µa @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C 6A 990pf @ 4V, 1MHz
MSE1PGHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pghm3/89a 0.3700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSE1 기준 microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 400 v 1.1 v @ 1 a 780 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
VS-2ENH02-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2enh02-m3/85a 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA 2enh02 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 2 a 28 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
MBRB10H35HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H35HE3/81 -
RFQ
ECAD 4692 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 850 mv @ 20 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
VS-30EPF12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF12PBF -
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 30EPF12 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.41 V @ 30 a 160 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
MBR20H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H35Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 8125 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 10A 630 mv @ 10 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
ES3CHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3che3/9at -
RFQ
ECAD 9225 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 3 a 30 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5262B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5262B-HE3_A-18 0.0549
RFQ
ECAD 4591 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5262B-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 39 v 51 v 125 옴
AZ23B4V3-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B4V3-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 9742 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23B4V3-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
MMSZ5257C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5257C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5257 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
MBRB15H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6269 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 7.5A 730 MV @ 7.5 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZG05C47-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C47-M3-08 0.3900
RFQ
ECAD 7264 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C47 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 36 v 47 v 90 옴
SE20DTLGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se20dtlghm3/i 1.8600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 기준 SMPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 20 a 330 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 3.8a 160pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5240C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5240C-G3-08 0.3600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5240 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
GF1G-6493HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1G-6493HE3_A/H -
RFQ
ECAD 4471 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA 기준 DO-214BA (GF1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-GF1G-6493HE3_A/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,000 400 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
ZPY62-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division zpy62 탭 0.0545
RFQ
ECAD 5154 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 zpy62 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZPY62TAP 귀 99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 47 v 62 v 60 옴
ZMM5224B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5224B-7 -
RFQ
ECAD 5326 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA ZMM52 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 2.8 v 30 옴
ES1A-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1A-M3/61T 0.3600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 920 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TZMC75-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC75-M-18 0.0324
RFQ
ECAD 9815 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC75 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 56 v 75 v 250 옴
VS-MBRD320TRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrd320trr-m3 0.2764
RFQ
ECAD 5778 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD320 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsmbrd320trrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mV @ 3 a 200 µa @ 20 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 189pf @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고