RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (29505)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
PLZ4V3C-G3/H	0.2800	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3.04%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-219AC	plz4v3		960 MW	DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						4.44 v	40
1N5818-E3/54	0.4200	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5818	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
DZ23C2V7-HE3-08	0.0436	RFQ	1261	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, DZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 음극 음극 공통													2.7 v	83 옴
PLZ18C-HG3_A/H	0.3600	RFQ	3667	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	150 ° C	표면 표면	DO-219AC	plz18		500MW	DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 ma		200 na @ 13 v						17.88 v	23 옴
MMSZ5253C-HE3-08	0.0454	RFQ	5035	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5253		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 19 v						25 v	35 옴
EGP10AE-E3/54	-	RFQ	5116	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	egp10ae	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)		112-EGP10AE-E3/54TR	귀 99	8541.10.0080	1,100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1MHz
FESB16FT-E3/45	0.9504	RFQ	9311	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	FESB16	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 v @ 16 a	50 ns	10 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	175pf @ 4V, 1MHz
ZM4752A-GS18	0.3900	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	ZM4752		1 W.	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000								5 µa @ 25.1 v						33 v	45 옴
VS-20CTQ035STRL-M3	0.9298	RFQ	4624	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20ctq035	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	10A	640 mV @ 10 a		2 ma @ 35 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BZG03B47-HM3-08	0.2310	RFQ	7561	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG03B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03B47		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 36 v						47 v	45 옴
GLL4740A-E3/97	0.3168	RFQ	8390	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	GLL4740		1 W.	Melf do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000								10 µa @ 7.6 v						10 v	7 옴
EGP51A-E3/D.	-	RFQ	3371	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	EGP51	기준		Do-201ad	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		960 MV @ 5 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	5a	117pf @ 4v, 1MHz
BZG04-150-M3-18	0.1980	RFQ	8308	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG04-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG04-150		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 500 ma		5 µa @ 150 v						180 v
smzj3801bhe3_a/i	0.1597	RFQ	5207	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMZJ3801		1.5 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,200								5 µa @ 25.1 v						33 v	33 옴
KBP06M-E4/1	-	RFQ	3063	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPM	KBP06	기준		KBPM	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	600						1.1 v @ 3.14 a		5 µa @ 600 v		1.5 a		단일 단일	600 v
VS-12FLR60S05	5.3962	RFQ	6244	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	12FLR60	표준, 극성 역		DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.4 V @ 12 a	500 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	12a	-
VS-90APS16L-M3	5.2800	RFQ	4938	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	90aps16	기준		TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		짐		1600 v		1.21 V @ 90 a		100 µa @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C	90A	-
BYS12-90-E3/TR	0.4600	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	bys12	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		750 mv @ 1 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	-
MMBZ5231C-G3-18	-	RFQ	3149	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5231		225 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								5 µa @ 2 v						5.1 v	17 옴
RMPG06BHE3_A/53	0.1792	RFQ	3455	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	MPG06,, 방향	RMPG06	기준		MPG06	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
MBRB1660-E3/45	1.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB1660	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mV @ 16 a		1 ma @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
GLL4759-E3/97	0.2970	RFQ	3726	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	GLL4759		1 W.	Melf do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000								5 µa @ 47.1 v						62 v	125 옴
v6pwm45hm3/i	0.2492	RFQ	9219	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		Schottky		Slimdpak	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-v6pwm45hm3/itr	귀 99	8541.10.0080	4,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		580 mV @ 6 a		50 µa @ 45 v	-40 ° C ~ 175 ° C	6A	990pf @ 4V, 1MHz
mse1pghm3/89a	0.3700	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	microSMP	MSE1	기준		microSMP (do-219ad)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500		짐		400 v		1.1 v @ 1 a	780 ns	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	5pf @ 4V, 1MHz
vs-2enh02-m3/85a	0.3800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	2enh02	기준		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 2 a	28 ns	2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
MBRB10H35HE3/81	-	RFQ	4692	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB10	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		35 v		850 mv @ 20 a		100 µa @ 35 v	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
VS-30EPF12PBF	-	RFQ	6933	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-2	30EPF12	기준		TO-247AC ac	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1200 v		1.41 V @ 30 a	160 ns	100 µa @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
MBR20H35Cthe3/45	-	RFQ	8125	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	10A	630 mv @ 10 a		100 µa @ 35 v	-65 ° C ~ 175 ° C
es3che3/9at	-	RFQ	9225	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	ES3	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5262B-HE3_A-18	0.0549	RFQ	4591	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드				112-MMSZ5262B-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 39 v						51 v	125 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²