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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SMAZ5936B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaz5936b-m3/5a 0.1073
RFQ
ECAD 3061 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5936 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 22.8 v 30 v 28 옴
VS-HFA06TB120SR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA06TB120SR-M3 0.7181
RFQ
ECAD 3062 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.9 v @ 12 a 80 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A -
SL44HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL44HE3_A/H -
RFQ
ECAD 6821 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SL44 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
BZD27B110P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B110P-M3-18 0.1155
RFQ
ECAD 3119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B110 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 82 v 110 v 250 옴
SF5408-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5408 4 1.2600
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 SF5408 기준 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
VX80100PWHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx80100pwhm3/p 2.9126
RFQ
ECAD 3388 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 Schottky TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-vx80100pwhm3/p 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 40a 800 mV @ 40 a 800 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBRB10100CT-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10100CT-M3/8W 0.7437
RFQ
ECAD 6706 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
TZM5223C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5223C-GS18 -
RFQ
ECAD 3335 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5223 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
SMZJ3791BHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3791BHE3_B/I 0.1500
RFQ
ECAD 2872 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3791 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-SMZJ3791BHE3_B/ITR 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
MBRB1045HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1045HE3/45 -
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 20 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
VLZ30C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ30C-GS18 -
RFQ
ECAD 2843 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ30 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 26.9 v 29.09 v 55 옴
UGB5JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB5JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4926 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB5 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 5 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BYX84TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx84tr 0.2673
RFQ
ECAD 1532 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 byx84 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 600 v 1 V @ 1 a 4 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
VLZ39E-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ39E-GS08 -
RFQ
ECAD 8999 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ39 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 35.5 v 38.33 v 85 옴
BZT52C4V7-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C4V7-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C4V7 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 4.7 v 78 옴
TZQ5260B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5260B-GS08 0.0303
RFQ
ECAD 6054 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5260 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 93 옴
M3045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M3045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 5319 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 M3045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 700 mV @ 30 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 30A -
GP30GE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30GE-E3/54 -
RFQ
ECAD 3649 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 400 v 1.1 v @ 3 a 5 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
ES1PBHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1PBHE3/84A -
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA ES1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 920 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
VS-88-6436 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88-6436 -
RFQ
ECAD 9664 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 88-6436 - 112-VS-88-6436 1
S8PJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S8PJ-M3/I 0.2175
RFQ
ECAD 6536 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn s8pj 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-s8pj-m3/itr 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.1 v @ 8 a 5 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 60pf @ 4V, 1MHz
MMBZ4704-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4704-G3-08 -
RFQ
ECAD 3112 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4704 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 12.9 v 17 v
MMSZ4694-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4694-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 6753 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4694 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 6.2 v 8.2 v
MSE07PJHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSE07PJHM3/89A 0.3500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSE07 기준 microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 600 v 1.08 V @ 700 ma 780 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 700ma 5pf @ 4V, 1MHz
VS-6EWH06FNTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewh06fntrhm3 1.0025
RFQ
ECAD 2170 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6ewh06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6ewh06fntrhm3 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 v @ 6 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
GP10THE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10the3/73 -
RFQ
ECAD 7793 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1300 v 1.3 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1300 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
SD101CWS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101CWS-E3-18 0.0543
RFQ
ECAD 7894 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 SD101 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 900 mv @ 15 ma 1 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 30ma 2.2pf @ 0v, 1MHz
SSA23L-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA23L-M3/61T 0.1041
RFQ
ECAD 7362 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SSA23 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 2 a 200 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
SRP600A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP600A-E3/54 -
RFQ
ECAD 2816 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 p600, 축, SRP600 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 6 a 100 ns 10 µa @ 50 v -50 ° C ~ 125 ° C 6A -
VS-MBR3045CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR3045CT-N3 -
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR30 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-MBR3045CT-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 760 mV @ 30 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고