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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VIT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2045CBP-M3/4W 1.0065
RFQ
ECAD 2191 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT2045 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 580 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-3EJU06HM3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EJU06HM3/6B 0.1485
RFQ
ECAD 8232 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 3EJU06 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.35 V @ 3 a 50 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-30CTQ045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ045-N3 -
RFQ
ECAD 8043 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 30CTQ045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-30CTQ045-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
UG1A-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1A-M3/54 0.0997
RFQ
ECAD 1734 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UG1 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
VS-18TQ045HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045HN3 1.0067
RFQ
ECAD 9347 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 18TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 18 a 2.5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
BAW56-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAW56-HE3-08 0.2300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 baw56 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 70 v 250ma 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 ma @ 70 v 150 ° C (°)
S10CK-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S10CK-M3/I 0.3960
RFQ
ECAD 3793 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S10 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 800 v 1 V @ 10 a 5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 79pf @ 4v, 1MHz
VI10150SHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI10150SHM3/4W -
RFQ
ECAD 1947 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI10150 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.2 v @ 10 a 150 µa @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
V30DM120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30DM120CHM3/i 0.8174
RFQ
ECAD 1235 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v30dm120 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 970 MV @ 15 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
MBR1560CT-2HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1560CT-2HE3/45 -
RFQ
ECAD 3868 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR15 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 7.5A 840 mV @ 15 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-20TQ035-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ035-M3 0.6673
RFQ
ECAD 3663 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 20TQ035 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 730 MV @ 40 a 2.7 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
BU1006-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1006-E3/45 2.1700
RFQ
ECAD 742 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip, bu BU1006 기준 Isocink+™ BU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 5 a 5 µa @ 600 v 3.2 a 단일 단일 600 v
VS-12CTQ035STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ035STRLPBF -
RFQ
ECAD 8891 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12ctq035 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 6A 600 mV @ 6 a 800 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZT03C180-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C180-TR 0.6000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT03 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.39% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BZT03C180 1.3 w SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 130 v 180 v 400 옴
GSIB6A60L-802E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB6A60L-802E3/45 -
RFQ
ECAD 6124 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GSIB-5S GSIB6 기준 GSIB-5 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 3 a 10 µa @ 600 v 2.8 a 단일 단일 600 v
V10P22-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p22-m3/i 0.4085
RFQ
ECAD 6628 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V10P22-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 10 a 150 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C 3.1a 500pf @ 4V, 1MHz
DZ23C3V3-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C3V3-E3-18 0.0415
RFQ
ECAD 8386 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 음극 음극 공통 3.3 v 95 옴
VSSA210-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSA210-M3/61T 0.4200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SA210 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 700 mv @ 2 a -40 ° C ~ 150 ° C 1.7a 175pf @ 4V, 1MHz
VS-5EWH06FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewh06fntrl-m3 0.3652
RFQ
ECAD 8082 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 5ewh06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs5ewh06fntrlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.85 V @ 5 a 25 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 5a -
RS1AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1ahe3_a/h 0.1022
RFQ
ECAD 6778 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
V30KL45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30kl45hm3/i 0.4803
RFQ
ECAD 9138 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-v30kl45hm3/itr 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 30 a 1.7 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 6.3A 4750pf @ 4V, 1MHz
RGP10MEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10mehe3/91 -
RFQ
ECAD 2808 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
AZ23B12-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B12-G3-08 0.0594
RFQ
ECAD 6742 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B12 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
VLZ20A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ20A-GS18 -
RFQ
ECAD 9383 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ20 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 17.1 v 18.49 v 28 옴
MURS360-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS360-M3/57T 0.6400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MURS360 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.28 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
TZM5254C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5254C-GS08 -
RFQ
ECAD 1508 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5254 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
SMPZ3932B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3932B-M3/84A 0.1027
RFQ
ECAD 5364 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA SMPZ3932 500MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 15.2 v 20 v 14 옴
V1PM12HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1pm12hm3/h 0.3800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP v1pm12 Schottky microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 870 mv @ 1 a 50 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 1A 100pf @ 4V, 1MHz
BYG23MHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG23MHM3_A/H 0.1601
RFQ
ECAD 1092 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG23 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
ZMY24-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY24-GS18 0.4200
RFQ
ECAD 151 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) ZMY24 1 W. do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 18 v 24 v 14 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고