전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ES3B-M3/9AT | 0.2101 | ![]() | 6055 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | ES3B | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | vs-sd1700c45k | 288.7500 | ![]() | 1544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 클램프 클램프 | DO-200AC, K-PUK | SD1700 | 기준 | DO-200AC, K-PUK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2 | 짐 | 4500 v | 2.11 v @ 4000 a | 75 MA @ 4500 v | 1875a | - | |||||||||||
![]() | V1F22-M3/H | 0.4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | Schottky | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 880 MV @ 1 a | 35 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 1A | 75pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-HFA30PA60C-N3 | 6.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | HFA30 | 기준 | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs-hfa30pa60c-n3gi | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 600 v | 15a | 1.7 V @ 1.5 a | 60 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | ug10cchthe3/45 | - | ![]() | 6919 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | UG10 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 5a | 1.1 v @ 5 a | 25 ns | 10 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | SS26-E3/5BT | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SS26 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 400 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||
![]() | MBRB760HE3_B/P | 0.6765 | ![]() | 4496 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB760 | Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 750MV @ 7.5 a | 500 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5A | - | ||||||||||
![]() | SS1H10-M3/5AT | 0.1061 | ![]() | 5765 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS1H10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 860 mV @ 2 a | 1 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | BAS285-GS08 | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-80 변형 | BAS285 | Schottky | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 800 mv @ 100 ma | 2.3 µa @ 25 v | 125 ° C (°) | 200ma | 10pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
![]() | RS07D-M-18 | 0.0922 | ![]() | 6764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | RS07 | 기준 | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.15 V @ 700 ma | 150 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 500ma | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | MBR2060CT-E3/45 | - | ![]() | 2854 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR20 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 10A | 800 mV @ 10 a | 150 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | irke196/08 | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | int-a-pak (2) | irke196 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irke196/08 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 짐 | 800 v | 20 ma @ 800 v | 195a | - | |||||||||||
![]() | SMZG3801B-M3/5B | 0.2485 | ![]() | 8196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMZG3801 | 1.5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µa @ 25.1 v | 33 v | 33 옴 | ||||||||||||
![]() | v12p15-m3/h | 0.7700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v12p15 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.08 V @ 12 a | 250 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | ||||||||||
![]() | SA2J-E3/5AT | 0.3900 | ![]() | 5551 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SA2 | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 2 a | 1.5 µs | 3 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 11pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | RGP10D-E3/53 | - | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | RGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
BZX84B3V3-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 1583 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B3V3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 95 옴 | |||||||||||||
![]() | v60200pg-e3/45 | - | ![]() | 2067 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | V60200 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 750 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 30A | 1.48 V @ 30 a | 200 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VFT4060C-M3/4W | 1.2598 | ![]() | 6705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | vft4060 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 20A | 620 MV @ 20 a | 6 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZD27C43P-HE3-08 | 0.1536 | ![]() | 6840 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZD27C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27C43 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 33 v | 43 v | 45 옴 | |||||||||||
BAW56-HE3-08 | 0.2300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | baw56 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 70 v | 250ma | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 ma @ 70 v | 150 ° C (°) | ||||||||||
![]() | MMSZ5258B-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 3566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5258 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 27 v | 36 v | 70 옴 | ||||||||||||
![]() | VS-VSKDS209/150 | 46.9170 | ![]() | 5793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3) | vskds209 | Schottky | Add-a-Pak® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKDS209150 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 100A | 1.01 V @ 100 a | 6 ma @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | BZG03C18-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 4748 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.39% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C18 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 13 v | 18 v | 15 옴 | |||||||||||
![]() | es3ahe3_a/h | 0.3138 | ![]() | 9389 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | ES3A | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 850 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VI30150C-M3/4W | 0.8630 | ![]() | 5622 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | VI30150 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 15a | 1.36 V @ 15 a | 200 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-HFA08TA60CSR-M3 | 0.4648 | ![]() | 4733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HFA08 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 600 v | 4A (DC) | 2.2 v @ 8 a | 42 ns | 3 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
BAV70-HE3-08 | 0.2300 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BAV70 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | bav70 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 70 v | 250MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 µa @ 70 v | 150 ° C (°) | ||||||||||
![]() | MI2050C-E3/4W | - | ![]() | 7026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MI2050 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 50 v | 10A | 740 mV @ 10 a | 150 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZM55C22-TR3 | 0.0368 | ![]() | 8658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZM55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | BZM55C22 | 500MW | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 16 v | 22 v | 220 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고