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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BY253P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY253P-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by253 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 600 v 1.1 v @ 3 a 3 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
VIT3060C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3060C-M3/4W 0.7910
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT3060 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 700 mV @ 15 a 1.2 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-301URA180 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301URA180 -
RFQ
ECAD 1124 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 301URA180 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS301URA180 귀 99 8541.10.0080 12 1800 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 330a -
UG10CCTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ug10cchthe3/45 -
RFQ
ECAD 6919 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 UG10 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 1.1 v @ 5 a 25 ns 10 µa @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
MI2050C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MI2050C-E3/4W -
RFQ
ECAD 7026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MI2050 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 10A 740 mV @ 10 a 150 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
BZX84B3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V3-G3-08 0.0389
RFQ
ECAD 1583 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B3V3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
SS8P3CHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P3CHM3/87A -
RFQ
ECAD 7445 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS8P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 4a 580 mV @ 4 a 300 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4937E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937E-E3/54 0.1079
RFQ
ECAD 3105 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SS5P4-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P4-M3/87A 0.6200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS5P4 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 5 a 250 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 280pf @ 4V, 1MHz
ESH1PAHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PAHE3/84A -
RFQ
ECAD 8926 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA ESH1 기준 DO-220AA (SMP) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
VFT4060C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT4060C-M3/4W 1.2598
RFQ
ECAD 6705 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 vft4060 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 620 MV @ 20 a 6 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMSZ4703-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4703-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 7696 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4703-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 12.1 v 16 v
SS5P10HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P10HM3/86A -
RFQ
ECAD 1659 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS5P10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 680 mV @ 5 a 15 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 130pf @ 4V, 1MHz
SS1H10-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H10-M3/5AT 0.1061
RFQ
ECAD 5765 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS1H10 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 860 mV @ 2 a 1 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZW03D82-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D82-TAP -
RFQ
ECAD 5768 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 59 v 82 v 65 옴
VS-30CTQ080-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ080-1-M3 0.9194
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 30CTQ080 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 15a 860 mV @ 15 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ4702-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4702-E3-18 0.2700
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4702 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 11.4 v 15 v
BAS285-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS285-GS08 0.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 BAS285 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 2.3 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
EGP20FHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20FHE3/54 -
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 EGP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
V10DM100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10dm100chm3/i 1.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v10dm100 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 790 MV @ 5 a 100 @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
S2A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2A/54 -
RFQ
ECAD 3337 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 50 v 1.15 V @ 1.5 a 2 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 16pf @ 4V, 1MHz
VS-32CTQ030SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ030SHM3 1.2553
RFQ
ECAD 4317 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 32ctq030 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-C4ZU3006FP-E3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C4ZU3006FP-E3 -
RFQ
ECAD 4114 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-94 C4ZU30 기준 to-3pf - 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15a 1.87 V @ 30 a 73 ns 15 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-MT350BD16CCB Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MT350BD16CCB -
RFQ
ECAD 2237 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 VS-MT350 - Rohs3 준수 112-VS-MT350BD16CCB 1
US1KHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1KHE3/61T -
RFQ
ECAD 2150 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA US1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBRB760HE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB760HE3_B/P 0.6765
RFQ
ECAD 4496 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB760 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750MV @ 7.5 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
VS-20CTQ150STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150STRL-M3 1.5800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 10 a 25 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
GI917-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI917-E3/54 -
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GI917 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 800 v 1.25 V @ 3 a 750 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZM55C22-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C22-TR3 0.0368
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55C22 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 16 v 22 v 220 옴
SS3P3HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3HM3/84A 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS3P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 130pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고