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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BY253P-E3/54 | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | by253 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 3 a | 3 µs | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VIT3060C-M3/4W | 0.7910 | ![]() | 3229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | VIT3060 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 700 mV @ 15 a | 1.2 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
VS-301URA180 | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-205AB, do-9, 스터드 | 301URA180 | 표준, 극성 역 | DO-205AB (DO-9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS301URA180 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 짐 | 1800 v | 1.46 V @ 942 a | -40 ° C ~ 180 ° C | 330a | - | |||||||||||
![]() | ug10cchthe3/45 | - | ![]() | 6919 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | UG10 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 5a | 1.1 v @ 5 a | 25 ns | 10 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MI2050C-E3/4W | - | ![]() | 7026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MI2050 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 50 v | 10A | 740 mV @ 10 a | 150 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
BZX84B3V3-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 1583 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B3V3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 95 옴 | |||||||||||||
![]() | SS8P3CHM3/87A | - | ![]() | 7445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS8P3 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 4a | 580 mV @ 4 a | 300 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 1N4937E-E3/54 | 0.1079 | ![]() | 3105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4937 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SS5P4-M3/87A | 0.6200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS5P4 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 520 MV @ 5 a | 250 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 280pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | ESH1PAHE3/84A | - | ![]() | 8926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | ESH1 | 기준 | DO-220AA (SMP) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | VFT4060C-M3/4W | 1.2598 | ![]() | 6705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | vft4060 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 20A | 620 MV @ 20 a | 6 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MMSZ4703-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 7696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 112-MMSZ4703-HE3_A-08TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 12.1 v | 16 v | |||||||||||||||
![]() | SS5P10HM3/86A | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS5P10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 680 mV @ 5 a | 15 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 130pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SS1H10-M3/5AT | 0.1061 | ![]() | 5765 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS1H10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 860 mV @ 2 a | 1 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | BZW03D82-TAP | - | ![]() | 5768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZW03 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µa @ 59 v | 82 v | 65 옴 | |||||||||||
![]() | VS-30CTQ080-1-M3 | 0.9194 | ![]() | 6512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | 30CTQ080 | Schottky | TO-262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 15a | 860 mV @ 15 a | 550 µa @ 80 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MMSZ4702-E3-18 | 0.2700 | ![]() | 4285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4702 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 11.4 v | 15 v | |||||||||||||
![]() | BAS285-GS08 | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-80 변형 | BAS285 | Schottky | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 800 mv @ 100 ma | 2.3 µa @ 25 v | 125 ° C (°) | 200ma | 10pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
![]() | EGP20FHE3/54 | - | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | EGP20 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.25 V @ 2 a | 50 ns | 5 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | v10dm100chm3/i | 1.1400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | v10dm100 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 5a | 790 MV @ 5 a | 100 @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | S2A/54 | - | ![]() | 3337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | S2A | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 750 | 짐 | 50 v | 1.15 V @ 1.5 a | 2 µs | 1 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | 16pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-32CTQ030SHM3 | 1.2553 | ![]() | 4317 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 32ctq030 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 15a | 490 mV @ 15 a | 1.75 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-C4ZU3006FP-E3 | - | ![]() | 4114 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | SC-94 | C4ZU30 | 기준 | to-3pf | - | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 600 v | 15a | 1.87 V @ 30 a | 73 ns | 15 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-MT350BD16CCB | - | ![]() | 2237 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | VS-MT350 | - | Rohs3 준수 | 112-VS-MT350BD16CCB | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | US1KHE3/61T | - | ![]() | 2150 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | US1 | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 10 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | MBRB760HE3_B/P | 0.6765 | ![]() | 4496 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB760 | Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 750MV @ 7.5 a | 500 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5A | - | ||||||||||
![]() | VS-20CTQ150STRL-M3 | 1.5800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 20ctq150 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 10A | 880 mV @ 10 a | 25 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
GI917-E3/54 | - | ![]() | 3546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | GI917 | 기준 | Do-201ad | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 짐 | 800 v | 1.25 V @ 3 a | 750 ns | 10 µa @ 800 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | BZM55C22-TR3 | 0.0368 | ![]() | 8658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZM55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | BZM55C22 | 500MW | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 16 v | 22 v | 220 옴 | |||||||||||
![]() | SS3P3HM3/84A | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | SS3P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 580 mV @ 3 a | 200 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 130pf @ 4V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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