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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
V40100PG-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40100pg-e3/45 -
RFQ
ECAD 4109 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 V40100 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
V10PWM60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pwm60c-m3/i 0.3467
RFQ
ECAD 7488 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V10PWM60C-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 630 mv @ 5 a 100 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
BZX84C68-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C68-HE3-18 0.0323
RFQ
ECAD 2130 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C68 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
1N4002E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4002E-E3/73 0.4100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4002 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VB30M120C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30M120C-M3/I 1.0205
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB30M120 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VB30M120C-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 980 MV @ 15 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-96-1086PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-96-1086PBF -
RFQ
ECAD 2633 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 튜브 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 50
BAS16-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS16-G3-08 0.2300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 6 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
VS-10ETF04FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf04fp-m3 1.4479
RFQ
ECAD 8471 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 10etf04 기준 TO-220-2 풀 -2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10etf04fpm3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 10 a 200 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
MMBZ5236C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5236C-E3-08 -
RFQ
ECAD 5593 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5236 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
UGF10CCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF10CCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1488 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 기준 ITO-220AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-ugf10cct-e3/45 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 1.25 V @ 10 a 25 ns 10 µa @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZD27C11P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C11P-E3-08 0.5400
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
AZ23C36-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C36-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 1681 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23C36-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
BZT52C51-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C51-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C51 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 38 v 51 v 70 옴
SMZJ3792BHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3792bhm3_b/h 0.1508
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3792 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-SMZJ3792BHM3_B/H 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 9.9 v 13 v 7.5 옴
BYG24G-M3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG24G-M3/TR3 0.1223
RFQ
ECAD 3450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG24 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1.5 a 140 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
BZG03B220TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B220TR -
RFQ
ECAD 2430 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 160 v 220 v 750 옴
BYV38-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV38-TAP 0.6500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 byv38 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.1 v @ 1 a 300 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
VS-VSKE270-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE270-08 -
RFQ
ECAD 9655 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKE270 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 800 v 270A -
RGP02-15E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-E3/73 -
RFQ
ECAD 3008 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP02 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 1500 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
BZG05B27-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B27-E3-TR -
RFQ
ECAD 9002 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 20 v 27 v 30 옴
BZG03C68-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C68-HM3-08 0.5200
RFQ
ECAD 5780 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C68 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
RMPG06G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06G-E3/54 0.1016
RFQ
ECAD 9884 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 RMPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6.6pf @ 4V, 1MHz
SS34-3HE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34-3HE3/9AT -
RFQ
ECAD 5069 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SS34 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
DZ23C24-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C24-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-DZ23C24-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 음극 음극 공통 100 na @ 18 v 24 v 28 옴
V15KM120C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15KM120C-M3/I 0.4283
RFQ
ECAD 8824 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V15KM120C-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 4.2A 830 MV @ 7.5 a 600 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
BZX55B6V2-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B6V2-TR 0.2200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55B6V2 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
GP30GHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30GHE3/73 -
RFQ
ECAD 4032 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 400 v 1.1 v @ 3 a 5 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
SRP300B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP300B-E3/54 -
RFQ
ECAD 5294 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SRP300 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 3 a 100 ns 10 µa @ 100 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
BZT52B30-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B30-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B30 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 22.5 v 30 v 35 옴
AZ23B3V0-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B3V0-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 1012 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23B3V0-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고