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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-8TQ100S-M3 | 1.4400 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 8TQ100 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 720 MV @ 8 a | 550 µa @ 80 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | 500pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
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 | SS2P5HE3/85A | - | | 7686 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q100, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SS2P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 100 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
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 | RGL41B-E3/96 | 0.4600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | RGL41 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
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 | SX110H045S4PU | - | | 9619 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 주사위 | SX110 | Schottky | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 620 MV @ 15 a | 80 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||
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 | BZD27C12P-HE3-08 | 0.4200 | | 3055 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZD27C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µa @ 9.1 v | 12 v | 7 옴 | |||||||||||||
| VLZ27-GS08 | - | | 9575 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, VLZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | VLZ27 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 27 v | 45 옴 | ||||||||||||||
| GPP10A-E3/73 | - | | 1620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GPP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||
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 | smzj3792bhe3_a/i | 0.1597 | | 8971 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMZJ3792 | 1.5 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µa @ 9.9 v | 13 v | 7.5 옴 | ||||||||||||||
| MBRB1060HE3/81 | - | | 1542 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB10 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 800 mV @ 10 a | 100 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||
| BZT52C36-HE3_A-08 | - | | 3716 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 300MW | SOD-123 | 다운로드 | 112-BZT52C36-HE3_A-08TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 na @ 27 v | 36 v | 87 옴 | |||||||||||||||||
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