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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
sml4756he3_a/i	0.1434	RFQ	9258	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4756		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					5 µa @ 35.8 v						47 v	80 옴
ZGL41-180-E3/97	-	RFQ	3631	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZGL41		1 W.	GL41 (DO-213AB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000			1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 136.9 v						180 v	900 옴
GBU8K-5E3/51	-	RFQ	3124	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU8	기준		GBU	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1			1 V @ 8 a		5 µa @ 800 v		3.9 a		단일 단일	800 v
BZX84B4V7-HE3-18	0.2600	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX84	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B4V7		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					3 µa @ 2 v						4.7 v	80 옴
BZT52C24-HE3_A-08	0.0533	RFQ	9891	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT52	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			300MW	SOD-123	다운로드				112-BZT52C24-HE3_A-08TR	귀 99	8541.10.0050	15,000					100 na @ 18 v						24 v	70 옴
GBU6J-5410M3/51	-	RFQ	8042	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU6	기준		GBU	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1			1 V @ 6 a		5 µa @ 600 v		3.8 a		단일 단일	600 v
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GLL4744-E3/96	0.3053	RFQ	7459	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	GLL4744		1 W.	Melf do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500					5 µa @ 11.4 v						15 v	14 옴
BZT52B2V4-HE3-18	0.0454	RFQ	6124	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT52	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B2V4		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000											2.4 v	85 옴
MMSZ5266B-E3-08	0.2700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5266		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					100 na @ 52 v						68 v	230 옴
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BZD27C10P-M3-08	0.4600	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 200 ma		7 µa @ 7.5 v						10 v	4 옴
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MMBZ5231B-G3-18	-	RFQ	7035	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5231		225 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					5 µa @ 2 v						5.1 v	17 옴
PLZ22A-HG3_A/H	0.3600	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	150 ° C	표면 표면	DO-219AC	plz22		500MW	DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500			900 mV @ 10 ma		200 na @ 17 v						22 v	30 옴
BZX884B24L-HG3-08	0.3600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX884L	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BZX884		300MW	DFN1006-2A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000			900 mV @ 10 ma		50 NA @ 16.8 v						24 v	70 옴
BY229B-200HE3/81	-	RFQ	1544	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	by229	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	1.85 V @ 20 a	145 ns	10 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	8a	-
BZX384C5V6-G3-08	0.2900	RFQ	28	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384C5V6		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1 µa @ 2 v						5.6 v	40
GDZ11B-E3-18	0.0360	RFQ	2826	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	GDZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ11		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					100 na @ 8 v						11 v	30 옴
BZG05B5V6-M3-08	0.1980	RFQ	6216	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.96%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05B5V6		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 2 v						5.6 v	7 옴
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²