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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GP10VE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10ve-m3/73 -
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1400 v 1.3 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
FES8CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fes8cthe3/45 -
RFQ
ECAD 2341 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 FES8 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
TZS4698-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4698-GS08 0.0411
RFQ
ECAD 7146 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZS4698 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 100 ma 50 na @ 8.4 v 11 v
30EPF12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30EPF12 -
RFQ
ECAD 9908 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 30EPF12 기준 TO-247AC ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.41 V @ 30 a 160 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
BY206GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY206GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 1582 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BY206 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,500 300 v 1.5 v @ 2 a 1 µs 2 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 400ma -
RGP10BEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BEHE3/73 -
RFQ
ECAD 7951 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
RGF1BHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1BHE3/67A -
RFQ
ECAD 7081 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA RGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
BZD17C91P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C91P-E3-18 0.1597
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-219ab BZD17C91 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 91 v
25CTQ045S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 25ctq045 -
RFQ
ECAD 4639 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZG03C18-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C18-M3-18 0.5000
RFQ
ECAD 3793 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C18 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 13 v 18 v 15 옴
ZPY18-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY18-TR 0.3700
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 ZPY18 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 14 v 18 v 5 옴
MMSZ5251C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5251C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 1023 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5251 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
VS-C04ETOTT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C04ETOTT-M3 -
RFQ
ECAD 2130 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 112-VS-C04ETOTT-M3 쓸모없는 1
VS-30WQ03FNTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30wq03fntrpbf -
RFQ
ECAD 8903 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 30WQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 3 a 2 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a 290pf @ 5V, 1MHz
S1KA-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1KA-E3/5AT -
RFQ
ECAD 9592 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA S1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 800 v 1.1 v @ 1 a 1 µs 3 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MMBD6050-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD6050-E3-08 0.0270
RFQ
ECAD 1857 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD6050 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1.1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 v 150 ° C (°) 200ma -
VS-40HF100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HF100M 15.5773
RFQ
ECAD 9830 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HF100 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS40HF100M 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.3 v @ 125 a -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
BZX84B43-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B43-HE3-08 0.0341
RFQ
ECAD 9321 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B43 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
UGF18ACTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf18acthe3_a/p -
RFQ
ECAD 5923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF18 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 18a 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
V10K100DUHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10k100duhm3/h 0.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn v10k100 Schottky flatpak 5x6 (이중) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 100 v 5a 750 mV @ 5 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
VLZ3V0-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ3V0-GS18 -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ3V0 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 v 70 옴
MBRB20100CTTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20100CTTRL -
RFQ
ECAD 8147 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-80APF02-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APF02-M3 8.6872
RFQ
ECAD 9493 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 80APF02 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-80APF02-M3GI 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 80 a 190 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 80a -
MMSZ5227B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5227B-HE3_A-18 0.0549
RFQ
ECAD 2745 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5227B-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
AR1PDHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1PDHM3/85A 0.1914
RFQ
ECAD 7006 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA AR1 눈사태 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 1 a 140 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12.5pf @ 4V, 1MHz
SB220-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB220-E3/54 0.5100
RFQ
ECAD 325 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SB220 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
MBRF2550CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbrf2550cthe3/45 -
RFQ
ECAD 1511 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF25 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 15a 750 mV @ 15 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
BZX84B39-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B39-E3-08 0.0318
RFQ
ECAD 5998 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B39 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
GPP15J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP15J-E3/54 -
RFQ
ECAD 4708 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GPP15 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 600 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 8pf @ 4V, 1MHz
MSE1PJHM3J/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pjhm3j/89a 1.2800
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSE1 기준 microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 600 v 1.1 v @ 1 a 780 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고