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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MBRB20H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H35Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 5353 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 10A 630 mv @ 10 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
SMZJ3801B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3801B-M3/52 0.1304
RFQ
ECAD 5176 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3801 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
FEPF16CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepf16cthe3_a/p -
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 FEPF16 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B5V1-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B5V1-G3-18 0.3600
RFQ
ECAD 1948 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B5V1 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 NA @ 800 MV 5.1 v 30 옴
BZG05C75-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C75-M3-08 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C75 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 56 v 75 v 135 옴
S1PJHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1pjhe3/84a -
RFQ
ECAD 4772 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA S1p 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
TZX2V4B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX2V4B-TAP 0.0290
RFQ
ECAD 3058 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX2V4 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 500 mV 2.4 v 100 옴
MMSZ5226C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5226C-HE3-18 0.0454
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5226 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
RGL34DHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL34DHE3/98 -
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) RGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RGL34DHE3_A/H 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZX55A18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55A18-TAP -
RFQ
ECAD 6663 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
VS-MBR1045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR1045-N3 -
RFQ
ECAD 9985 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR10 Schottky TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsmbr1045n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 20 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A 600pf @ 5V, 1MHz
S3KHE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3KHE3/57T -
RFQ
ECAD 7851 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC S3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 800 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
AZ23B20-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B20-G3-18 0.0594
RFQ
ECAD 4875 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B20 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
TZX2V7B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX2V7B-TAP 0.0290
RFQ
ECAD 3521 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX2V7 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 500 mV 2.7 v 100 옴
BZX84B36-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B36-HE3-08 0.2600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B36 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
SS10PH9-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10PH9-M3/87A 0.3595
RFQ
ECAD 3201 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn ss10ph9 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 880 mV @ 10 a 10 µa @ 90 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 270pf @ 4V, 1MHz
V2FM10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2FM10-M3/I 0.0759
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab V2FM10 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 830 mv @ 2 a 55 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A 150pf @ 4V, 1MHz
RGP02-15E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-E3/53 -
RFQ
ECAD 1873 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP02 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 1500 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
MMSZ5230C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5230C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 8518 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5230 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
TLZ20A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ20A-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 5818 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ20 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 17.1 v 20 v 28 옴
1N5249C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5249C-TR 0.0288
RFQ
ECAD 9784 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5249 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
S3AFJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3afj-m3/i 0.4800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.1 v @ 3 a 2.7 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
SMZG3804BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3804BHE3/5B 0.4440
RFQ
ECAD 2689 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 SMZG3804 1.5 w MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-SMZG3804BHE3/5BTR 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 32.7 v 43 v 53
VBT1080S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080S-E3/4W 0.4538
RFQ
ECAD 8729 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt1080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 810 mv @ 10 a 600 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-25FR40M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25FR40M 8.5474
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 25FR40 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS25FR40M 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.3 v @ 78 a -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
SML4747-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4747-E3/5A 0.1733
RFQ
ECAD 7101 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4747 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 15.2 v 20 v 22 옴
VS-VS30CLR08LS10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS30CLR08LS10 -
RFQ
ECAD 6529 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 VS30 - 112-VS-VS30CLR08LS10 1
MBRF15H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF15H35CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 6714 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF15 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 7.5A 630 MV @ 7.5 a 50 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
MMBZ4717-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4717-G3-18 -
RFQ
ECAD 2742 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4717 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 na @ 32.6 v 43 v
VS-30CTQ045STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ045STRRHM3 1.4476
RFQ
ECAD 8073 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고