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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-8ETH06-1HM3	0.6765	RFQ	1966	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, FRED PT®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	8ETH06	기준		TO-262	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	-
BZT52B3V9-HE3-08	0.0454	RFQ	1374	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT52	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B3V9		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000														3.9 v	80 옴
MBRB20H90CTHE3/81	-	RFQ	1252	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB20	Schottky		to-263ab (d²pak)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	90 v	10A	770 MV @ 10 a		4.5 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 175 ° C
vs-mubr1020ctr-m3	0.3722	RFQ	8570	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	murb1020	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	5a	1.25 V @ 10 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
GP10WE-M3/73	-	RFQ	4362	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		1500 v		1.3 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 1500 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5pf @ 4V, 1MHz
v8pa12-m3/i	0.5400	RFQ	65	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드	V8PA12	Schottky		DO-221BC (SMPA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		120 v		870 mv @ 8 a		600 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C	8a	700pf @ 4V, 1MHz
BZT03D39-TAP	-	RFQ	4763	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT03	테이프 & t (TB)	쓸모없는	± 5.13%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	SOD-57,, 방향	BZT03		1.3 w	SOD-57	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	25,000						1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 30 v						39 v	40
BAT42W-HE3-08	0.4100	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	BAT42	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		650 mV @ 50 mA	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	7pf @ 1v, 1MHz
2W01G-E4/51	0.8200	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, wog	2w01	기준		wog	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000						1.1 v @ 2 a		5 µa @ 100 v		2 a		단일 단일	100 v
VS-88-6478	-	RFQ	3443	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로					88-6478				-				112-VS-88-6478			1
VS-6TQ040PBF	-	RFQ	3701	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	6TQ040	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 6 a		800 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	-
1N5226C 탭	0.0339	RFQ	9534	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5226		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000						1.1 v @ 200 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	28 옴
VS-71HF100	12.9792	RFQ	8909	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	71HF100	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		1000 v		1.35 V @ 220 a		9 ma @ 1000 v	-65 ° C ~ 180 ° C	70A	-
VS-4ESH01HM3/87A	0.2808	RFQ	4302	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, FRED PT®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	4SH01	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		930 MV @ 4 a	25 ns	2 µa @ 4 v	-65 ° C ~ 175 ° C	4a	-
85cnq015asm	-	RFQ	2594	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	D-61-8-SM	85cnq	Schottky		D-61-8-SM	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*85cnq015asm	귀 99	8541.10.0080	400		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	15 v	40a	450 mV @ 80 a		20 ma @ 15 v	-55 ° C ~ 125 ° C
MMSZ4706-G3-08	0.0409	RFQ	5248	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ4706		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								50 NA @ 14.4 v						19 v
ugf18bcthe3_a/p	-	RFQ	6612	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	UGF18	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	18a	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BZD27B18P-HE3-08	0.1238	RFQ	8246	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 13 v						18 v	15 옴
SMZJ3806A-E3/52	-	RFQ	9016	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	smzj38		1.5 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	750								5 µa @ 38.8 v						51 v	70 옴
uge8jt-e3/45	-	RFQ	9796	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	UGE8	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.75 V @ 8 a	25 ns	30 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
gp10y-e3/73	0.5400	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		1600 v		1.3 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 1600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5pf @ 4V, 1MHz
BZG03B220-M3-18	0.2228	RFQ	7040	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG03B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03B220		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 160 v						220 v	750 옴
vs-50wq10fntrpbf	-	RFQ	5263	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	50wq10	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs50wq10fntrpbf	귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		770 mv @ 5 a		1 ma @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5A	183pf @ 5V, 1MHz
BAS40LTH-HG3-08	0.3400	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)	BAS40	Schottky		DFN1006-2A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		1 v @ 40 ma		10 µa @ 40 v	175 ° C	200ma	2.9pf @ 0V, 1MHz
DZ23C39-G3-18	0.0483	RFQ	5906	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 29 v						39 v	90 옴
BZX384C11-G3-18	0.0389	RFQ	2223	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384C11		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 8 v						11 v	20 옴
MMSZ5238C-G3-18	0.0483	RFQ	3412	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5238		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								3 µa @ 6.5 v						8.7 v	8 옴
VS-HFA08SD60S-M3	2.1800	RFQ	9629	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	HFA08	기준		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS-HFA08SD60S-M3GI	귀 99	8541.10.0080	75		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 8 a	55 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
VS-4CSH02-M3/86A	0.6000	RFQ	550	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	4CSH02	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	2A	950 MV @ 2 a	16 ns	2 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
BAV203-GS08	0.2100	RFQ	16	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-80 변형	BAV203	기준		SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 v @ 100 ma	50 ns	100 na @ 200 v	175 ° C (°)	250ma	1.5pf @ 0v, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²