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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BYQ28EB-100-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28EB-100-E3/45 -
RFQ
ECAD 7980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB byq28 기준 TO-263AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-BYQ28EB-100-E3/45 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 1.1 v @ 5 a 25 ns 10 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-300U40A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-300U40A 50.1800
RFQ
ECAD 7564 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 300U40 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 400 v 1.4 V @ 942 a 40 ma @ 400 v -65 ° C ~ 200 ° C 300A -
VS-15ETH03STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH03STRLPBF -
RFQ
ECAD 1757 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15ETH03 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs15eth03strlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 15 a 40 ns 40 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-EPH3006HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eph3006hn3 1.8492
RFQ
ECAD 7945 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 EPH3006 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSEPH3006HN3 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.65 V @ 30 a 26 ns 30 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
VS-16FL40S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FL40S02 5.4461
RFQ
ECAD 6083 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 16FL40 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 v @ 16 a 200 ns 50 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
BZD27C3V6P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C3V6P-HE3-18 0.1561
RFQ
ECAD 8720 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C3V6 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.6 v 8 옴
VS-MBR2045CT-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2045CT-1-M3 0.7724
RFQ
ECAD 1345 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MBR2045 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 840 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
PLZ12C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ12C-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz12 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 9 v 12 v 12 옴
MMBD6050-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD6050-E3-08 0.0270
RFQ
ECAD 1857 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD6050 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1.1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 v 150 ° C (°) 200ma -
BZG03B15-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B15-HM3-18 0.2310
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B15 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 11 v 15 v 10 옴
SE40PJHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40pjhm3_a/i 0.6700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE40 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 600 v 1.05 V @ 4 a 2.2 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 28pf @ 4V, 1MHz
1N4758A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4758A-T -
RFQ
ECAD 4397 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4758 1.3 w DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 42.6 v 56 v 2000 년 옴
BZT52B4V7-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B4V7-E3-18 0.0415
RFQ
ECAD 9455 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B4V7 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 4.7 v 70 옴
SS33HE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS33HE3/57T -
RFQ
ECAD 4185 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC SS33 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SS2P3-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P3-M3/84A 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS2P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 2 a 150 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
EGP10BEHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10behe3/54 -
RFQ
ECAD 4602 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
VS-18TQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045PBF -
RFQ
ECAD 4203 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 18TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 18 a 2.5 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a -
V31M103C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division v31m103c-m3/p 1.4900
RFQ
ECAD 8571 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 v31m103 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-v31m103c-m3/p 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 780 mV @ 15 a 400 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-HFA06TB120SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA06TB120SPBF -
RFQ
ECAD 6209 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3 v @ 6 a 80 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A -
GP30DL-E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30DL-E3/72 -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GP30 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 200 v 1.1 v @ 3 a 5 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
VLZ27B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ27B-GS08 -
RFQ
ECAD 6132 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ27 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 23.7 v 25.62 v 45 옴
VLZ3V0-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ3V0-GS18 -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ3V0 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 v 70 옴
VS-20CTQ035SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ035SPBF -
RFQ
ECAD 2030 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 20A 760 mV @ 20 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
VI30120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30120S-E3/4W 1.1103
RFQ
ECAD 8080 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI30120 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.1 v @ 30 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
V3F6HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3f6hm3/h 0.4400
RFQ
ECAD 141 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab v3f6 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 620 MV @ 3 a 600 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 310pf @ 4V, 1MHz
VS-70HFL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFL60S02 14.8000
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HFL60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.85 V @ 219.8 a 200 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
SS19-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS19-E3/61T -
RFQ
ECAD 6870 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA SS19 Schottky DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v - 1A -
VIT2060G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2060G-E3/4W 0.4660
RFQ
ECAD 3993 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT2060 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 900 mV @ 10 a 700 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZD27C5V1P-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C5V1P-M-08 -
RFQ
ECAD 6114 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C5V1 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 5.1 v 6 옴
VS-T70HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-t70hf60 28.2910
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T70 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 600 v 15 ma @ 600 v 70A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고