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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZD27B18P-M3-18 | 0.1155 |  | 7085 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 13 v | 18 v | 15 옴 | ||||||||||||
 | VI20100C-M3/4W | 0.7550 | | 6549 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | VI20100 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 10A | 790 mV @ 10 a | 800 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
 | vs-g489ur | - | | 3121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 112-VS-G489ur | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| VS-87HF120M | 24.6782 | | 9239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 87hf120 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS87HF120M | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1200 v | 1.2 v @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C | 85A | - | |||||||||||
 | VS-15MQ040NPBF | - | | 9420 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 15MQ040 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 490 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | 134pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||
 | GP10W-M3/54 | - | | 3572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 짐 | 1500 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 1500 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | vs-12cwq06fntrl-m3 | 0.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 12CWQ06 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 6A | 790 MV @ 12 a | 3 ma @ 60 v | 150 ° C (°) | |||||||||||
 | SS24-E3/5BT | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SS24 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 400 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | |||||||||||
| BZX85B5V6-TAP | 0.3800 | | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX85 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | BZX85B5V6 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 7 옴 | |||||||||||||
| SML4745HE3/5A | - | | 7468 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 10% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4745 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µa @ 12.2 v | 16 v | 16 옴 | |||||||||||||
 | tzx3v9c-tap | 0.2300 | | 38 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZX | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | TZX3V9 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 3.9 v | 100 옴 | ||||||||||||
 | BZX84B3V6-E3-08 | 0.2400 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B3V6 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 1 v | 3.6 v | 90 옴 | |||||||||||||
 | vx60100pw-m3/p | 1.5378 | | 7360 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | Schottky | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-VX60100PW-M3/p | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 30A | 790 MV @ 30 a | 700 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
| BZD27B160P-HE3-08 | 0.1238 | | 9938 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZD27B | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27B160 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 130 v | 160 v | 350 옴 | ||||||||||||
 | plz9v1c-hg3_a/h | 0.3600 | | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.59% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-219AC | plz9v1 | 960 MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 500 na @ 6 v | 9.07 v | 8 옴 | ||||||||||||
| AZ23C18-E3-18 | 0.0415 | | 1259 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C18 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 14 v | 18 v | 50 옴 | ||||||||||||
 | BZT52B8V2-HE3-08 | 0.0436 | | 1375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B8V2 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 6 v | 8.2 v | 4.5 옴 | |||||||||||||
| GP10-4002HM3/54 | - | | 7638 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BZD27C13P-M-08 | - | | 1315 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µa @ 10 v | 13 v | 10 옴 | ||||||||||||
| vs-mbrd320trl-m3 | 0.2764 | | 1690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MBRD320 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsmbrd320trlm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 600 mV @ 3 a | 200 µa @ 20 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 189pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
 | GP15KHE3/54 | - | | 4460 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | GP15 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 1.5 a | 3.5 µs | 5 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | - | ||||||||||
| 1N4753A-TR | 0.3600 | | 72 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4753 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 27.4 v | 36 v | 50 옴 | ||||||||||||
| smzj3806bhm3/h | - | | 4235 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | smzj38 | 1.5 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 38.8 v | 51 v | 70 옴 | |||||||||||||
| BZX84B24-E3-18 | 0.0324 | | 6972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B24 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 16.8 v | 23.5 v | 70 옴 | |||||||||||||
| BZG05B18-HM3-08 | 0.2079 | | 6377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05B18 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 13 v | 18 v | 20 옴 | ||||||||||||
| BAS16D-HE3-18 | 0.0360 | | 6442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | BAS16 | 기준 | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 1 µa @ 75 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 250ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
 | v8pam10shm3/h | 0.5000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 | Schottky | DO-221BC (SMPA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 840 mV @ 8 a | 180 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 2.8a | 600pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
| MMBZ4709-HE3-08 | - | | 6157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4709 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 na @ 18.2 v | 24 v | ||||||||||||||
 | TZM5261B-GS18 | 0.0303 | | 1473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5261 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 36 v | 47 v | 105 옴 | ||||||||||||
| BZX84B56-G3-08 | 0.0389 | | 8644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B56 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 NA @ 39.2 v | 56 v | 200 옴 |
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