SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SL22-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL22-E3/52T 0.5500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SL22 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 440 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
VS-MBR4045CT-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR4045CT-1-M3 0.9181
RFQ
ECAD 4377 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MBR4045 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 600 mV @ 20 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
MBRF2560CT/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2560CT/45 -
RFQ
ECAD 1456 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF2560 Schottky ITO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 750 mV @ 15 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
V15P12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15p12hm3/i 0.4620
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v15p12 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 810 mV @ 15 a 1 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 15a -
1N4733A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4733A-t -
RFQ
ECAD 1175 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4733 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 550 옴
TZQ5222B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5222B-GS18 0.0411
RFQ
ECAD 9731 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5222 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 2.5 v 30 옴
BZX84B43-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B43-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 1890 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84B43-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
1N5398-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5398-E3/73 -
RFQ
ECAD 7602 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5398 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.4 V @ 1.5 a 2 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-5EAH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5EAH02HM3/i 0.5800
RFQ
ECAD 4150 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn VS-5EAH02 기준 DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 970 MV @ 5 a 25 ns 4 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a -
SMZJ3804BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3804bhe3_a/i -
RFQ
ECAD 2783 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3804 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 32.7 v 43 v 53
BZG05B82-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B82-M3-08 0.1980
RFQ
ECAD 5180 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B82 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 62 v 82 v 200 옴
SS24HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS24HE3/5BT -
RFQ
ECAD 3743 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
ZPY4V3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division zpy4v3-tr 0.0545
RFQ
ECAD 5127 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 zpy4v3 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 zpy4v3tr 귀 99 8541.10.0050 25,000 4.3 v 4 옴
AZ23B47-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B47-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 4063 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23B47-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
GP15J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15J-E3/54 0.6300
RFQ
ECAD 8935 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GP15 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 600 v 1.1 v @ 1.5 a 3.5 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
MMBZ5247B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5247B-G3-08 -
RFQ
ECAD 9296 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5247 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
BYS10-25-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10-25-m3/tr 0.0721
RFQ
ECAD 3543 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYS10 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 25 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 25 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
1N5256B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5256B 탭 0.2300
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5256 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
SGL41-30-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-30-E3/96 0.7400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF SGL41 Schottky GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
TZM5250C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5250C-GS08 -
RFQ
ECAD 4872 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5250 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
1N4748A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4748A-TR 0.3700
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4748 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
MBR1560CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1560CT-E3/45 1.3300
RFQ
ECAD 730 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1560 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 7.5A 750MV @ 7.5 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-HFA60EA120P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA60EA120P -
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 쟁반 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 HFA60 기준 SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) VSHFA60EA120P 귀 99 8541.10.0080 180 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 1200 v 30A (DC) 3 V @ 30 a 145 ns 75 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
S5K-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5K-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 800 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
1N4248GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4248GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 1276 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4248 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 800 v 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 800 v -65 ° C ~ 160 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SMPZ3934B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3934B-M3/84A 0.1027
RFQ
ECAD 2851 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA SMPZ3934 500MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 18.2 v 24 v 19 옴
1N5617GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5617GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 2636 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5617 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 500 NA @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
BZX55B16-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B16-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55B16 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
ZPY43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY43 탭 0.0545
RFQ
ECAD 6589 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 ZPY43 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZPY43TAP 귀 99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 32 v 43 v 35 옴
VLZ5V6A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ5V6A-GS08 -
RFQ
ECAD 7519 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ5V6 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 5.42 v 13 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고