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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
DZ23C13-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C13-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 4857 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-DZ23C13-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 음극 음극 공통 100 na @ 10 v 13 v 9 옴
1N5247B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5247B 탭 0.0287
RFQ
ECAD 4936 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5247 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
BZT03D51-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D51-TAP -
RFQ
ECAD 7379 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5.88% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BZT03 1.3 w SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
BZD27B5V6P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B5V6P-HE3-08 0.1238
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B5V6 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 2 v 5.6 v 4 옴
MSS1P2LHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P2LHM3/89A -
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 microSMP MSS1P2 Schottky microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 250 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 65pf @ 4V, 1MHz
VS-MBRB1045HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1045HM3 0.7673
RFQ
ECAD 5597 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB1045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-MBRB1045HM3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 20 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 600pf @ 5V, 1MHz
MPG06M-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06M-M3/54 0.1285
RFQ
ECAD 2630 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 MPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 1000 v 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZG05C8V2TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C8V2TR -
RFQ
ECAD 6950 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 6.2 v 8.2 v 200 옴
TZX7V5X-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx7v5x-tap 0.2200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX7V5 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
S3K-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3K-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 1328 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 800 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
CSA2K-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division CSA2K-E3/H -
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CSA2 기준 DO-214AC (SMA) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 800 v 1.15 V @ 2 a 2.1 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
BZX84B3V9-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V9-E3-18 0.0324
RFQ
ECAD 8980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B3V9 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
VS-VS30CLR08LS10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS30CLR08LS10 -
RFQ
ECAD 6529 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 VS30 - 112-VS-VS30CLR08LS10 1
V2FM10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2FM10-M3/I 0.0759
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab V2FM10 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 830 mv @ 2 a 55 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A 150pf @ 4V, 1MHz
VS-MBR1045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR1045-N3 -
RFQ
ECAD 9985 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR10 Schottky TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsmbr1045n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 20 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A 600pf @ 5V, 1MHz
SML4747-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4747-E3/5A 0.1733
RFQ
ECAD 7101 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4747 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 15.2 v 20 v 22 옴
TZX2V7B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX2V7B-TAP 0.0290
RFQ
ECAD 3521 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX2V7 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 500 mV 2.7 v 100 옴
PLZ6V2C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ6V2C-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.55% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz6v2 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 6.28 v 10 옴
MMBZ4686-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4686-HE3-18 -
RFQ
ECAD 7826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4686 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 2 v 3.9 v
BYG10K-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10k-e3/tr 0.1068
RFQ
ECAD 2284 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 800 v 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-12TQ040SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ040SHM3 0.9342
RFQ
ECAD 1504 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
VS-E4PU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E4PU6006L-N3 2.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 E4PU6006 기준 TO-247AD 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 60 a 74 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
SMZJ3807BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3807bhe3_a/i -
RFQ
ECAD 5706 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3807 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 42.6 v 56 v 86 옴
TZMC6V2-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC6V2-GS18 0.2300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tzmc6v2 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
ZMM5233B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5233B-7 -
RFQ
ECAD 4722 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) ZMM52 500MW DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
RGP02-15E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-E3/53 -
RFQ
ECAD 1873 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP02 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 1500 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
MMSZ5230C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5230C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 8518 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5230 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
VS-25FR40M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25FR40M 8.5474
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 25FR40 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS25FR40M 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.3 v @ 78 a -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
VS-MBRB3030CTLTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb3030ctltrrp -
RFQ
ECAD 2670 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB30 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsmbrb3030ctltrrp 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 470 mV @ 15 a 2 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
SMAZ5931B-M3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5931B-M3/61 0.1063
RFQ
ECAD 2736 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5931 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고