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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BYQ28EF-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28EF-200-E3/45 -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 byq28 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 1.1 v @ 5 a 25 ns 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5244B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5244B-E3-08 -
RFQ
ECAD 5060 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5244 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
GP10QHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10QHE3/54 -
RFQ
ECAD 2799 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 1200 v 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
8ETX06STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8etx06strl -
RFQ
ECAD 8762 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8etx06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8etx06strltr 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 8 a 24 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
VS-10TQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ045PBF -
RFQ
ECAD 3098 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 10TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 760 mV @ 10 a 6 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
BZG03C20-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C20-M3-18 0.1815
RFQ
ECAD 7827 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C20 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
VB10150C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB10150C-E3/8W 0.5950
RFQ
ECAD 1949 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB10150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 1.41 V @ 5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B56-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B56-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 8815 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52B56-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 100 na @ 42 v 56 v 135 옴
VS-60APF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APF04PBF -
RFQ
ECAD 1980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 60APF04 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS60APF04PBF 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 60 a 180 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 60a -
SE70PBHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE70PBHM3_A/I 0.4125
RFQ
ECAD 4929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 100 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
TZM5225B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5225B-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 6718 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5225 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3 v 29 옴
BZG03B10TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03b10tr -
RFQ
ECAD 5314 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 10 µa @ 7.5 v 10 v 4 옴
ESH2D-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2D-E3/52T 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ESH2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 930 MV @ 2 a 35 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
AZ23B27-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B27-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23B27-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
VS-1N1203RA Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N1203RA -
RFQ
ECAD 7039 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1203 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 300 v 1.35 V @ 12 a 1.75 ma @ 300 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
RGP10J-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10J-M3/73 -
RFQ
ECAD 2582 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
RS1GHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1GHE3/61T -
RFQ
ECAD 9723 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Rs1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
B140-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B140-E3/61T 0.4000
RFQ
ECAD 163 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B140 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 1 a 200 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
VS-60CPU04-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60CPU04-N3 8.1300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 60cpu04 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 30A 1.3 V @ 30 a 65 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-SD1500C08L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1500C08L 140.1400
RFQ
ECAD 1558 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD1500 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 800 v 1.64 V @ 3000 a 50 ma @ 800 v 1600a -
1N5061TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5061tr 0.6500
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 1N5061 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 600 v 1.15 V @ 2.5 a 4 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 40pf @ 0V, 1MHz
BYG10K-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG10K-M3/TR 0.1485
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 800 v 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-MBRD650CTTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrd650cttrpbf -
RFQ
ECAD 7706 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD6 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 3A 650 MV @ 3 a 100 µa @ 50 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZW03C30-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C30-TAP -
RFQ
ECAD 2516 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 22 v 30 v 8 옴
V30DM150CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30DM150CHM3/i 1.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V30DM150 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 1.3 V @ 15 a 200 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C
MCL4148-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division MCL4148-TR 0.2000
RFQ
ECAD 134 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 MCL4148 기준 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 50 ma 8 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
SE100PWTG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE100PWTG-M3/I 0.9000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 400 v 1.14 V @ 10 a 2.6 µs 20 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.7a 78pf @ 4V, 1MHz
VS-10ETS12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10ets12pbf -
RFQ
ECAD 9845 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 10ets12 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1200 v 1.1 v @ 10 a 50 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
SMPZ3933B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3933B-E3/84A -
RFQ
ECAD 2278 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA smpz39 500MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 16.7 v 22 v 17 옴
V12P12-5300M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P12-5300M3/86A -
RFQ
ECAD 8023 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v12p12 Schottky TO-277A (SMPC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 800 mV @ 12 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 12a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고