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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GP10GE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GE-M3/73 -
RFQ
ECAD 1816 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SMAZ5933B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5933B-M3/5A 0.1063
RFQ
ECAD 5302 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5933 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
25CTQ040 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 25ctq040 -
RFQ
ECAD 1715 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 25CTQ Schottky TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *25ctq040 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
V20KM60-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20km60-m3/i 0.4072
RFQ
ECAD 2979 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V20KM60-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 20 a 400 µa @ 60 v -40 ° C ~ 165 ° C 4.7a 2860pf @ 4V, 1MHz
BZX384B3V6-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B3V6-E3-18 0.2700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B3V6 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
GP10B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10B-E3/54 0.1780
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 100 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VS-70HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HF100 13.3100
RFQ
ECAD 5710 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HF100 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.35 V @ 220 a 9 ma @ 1000 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
BZX84C4V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C4V3-G3-08 0.0353
RFQ
ECAD 9003 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C4V3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
RS3BHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS3BHE3/9AT -
RFQ
ECAD 3701 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 V @ 2.5 a 150 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 44pf @ 4V, 1MHz
V40120CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40120CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3745 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 v40120 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 880 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5242C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5242C-HE3-08 -
RFQ
ECAD 5258 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5242 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
MMBZ5263B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5263B-E3-18 -
RFQ
ECAD 4642 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5263 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
MMSZ5242B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5242B-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 6404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5242 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
VX60M60PWHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx60m60pwhm3/p 2.0790
RFQ
ECAD 2893 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 vx60m Schottky TO-247AD 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-vx60m60pwhm3/p 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 630 mV @ 30 a 650 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
RGP10DEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DEHE3/91 -
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5262B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5262B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 2314 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5262 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 39 v 51 v 125 옴
AZ23B3V9-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B3V9-E3-08 0.0509
RFQ
ECAD 7020 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B3V9 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 3.9 v 95 옴
BZG04-12-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-12-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 8663 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 12 v 15 v
VS-3EAH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EAH02HM3/i 0.4200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn VS-3EAH02 기준 DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 960 MV @ 3 a 25 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-31DQ04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ04 -
RFQ
ECAD 8841 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31dq04 Schottky C-16 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 3 a 1 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
BZD27C12P-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C12P-M-18 -
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
AS4PG-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS4PG-M3/87A 0.3036
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AS4 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2266-AS4PG-M3/87A 귀 99 8541.10.0080 6,500 400 v 962 MV @ 2 a 1.8 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 60pf @ 4V, 1MHz
SE30PABHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se30pabhm3/i 0.4200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 SE30 기준 DO-221BC (SMPA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.16 V @ 3 a 1.3 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 13pf @ 4V, 1MHz
SS19-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS19-M3/61T -
RFQ
ECAD 2830 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA SS19 Schottky DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v - 1A -
STPS40L15CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division STPS40L15CT -
RFQ
ECAD 4859 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS40 Schottky TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 20A 410 mV @ 19 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
MMBZ4698-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4698-E3-18 -
RFQ
ECAD 5293 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4698 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 8.4 v 11 v
AZ23B16-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B16-G3-08 0.0594
RFQ
ECAD 6230 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B16 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 12 v 16 v 40
S1BA-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1BA-E3/5AT -
RFQ
ECAD 6180 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA S1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 100 v 1.1 v @ 1 a 1 µs 3 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VI40M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40M120C-M3/4W 1.2418
RFQ
ECAD 5931 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI40M120 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 890 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
BYQ28EF-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28EF-200-E3/45 -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 byq28 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 1.1 v @ 5 a 25 ns 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고