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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SE70PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se70pdhm3_a/i 0.4125
RFQ
ECAD 9178 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 200 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
G5SBA60-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA60-M3/45 1.1351
RFQ
ECAD 4817 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU G5SBA60 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 3 a 5 µa @ 600 v 2.8 a 단일 단일 600 v
VS-UFB280FA20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFB280FA20 25.1900
RFQ
ECAD 237 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 UFB280 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 175A (DC) 1.1 v @ 120 a 45 ns 50 µa @ 200 v
CS1M-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division CS1M-E3/H -
RFQ
ECAD 6399 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CS1 기준 DO-214AC (SMA) - 귀 99 8541.10.0080 1,800 1000 v 1.12 V @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
UGF15HTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF15HThe3/45 -
RFQ
ECAD 1075 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 UGF15 기준 ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.75 V @ 15 a 50 ns 30 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
VS-SD1500C16L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1500C16L 127.0867
RFQ
ECAD 5879 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD1500 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 1600 v 1.64 V @ 3000 a 50 ma @ 1600 v 1600a -
AZ23C20-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C20-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 5079 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C20 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
TZM5245B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5245B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5245 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
BZG05C68TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C68TR -
RFQ
ECAD 6720 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 51 v 68 v 2000 년 옴
SE70PGHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se70pghm3/87a -
RFQ
ECAD 7023 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 400 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
B125C1500G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B125C1500G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, wog B125 기준 wog 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 125 v 1.5 a 단일 단일 200 v
VFT5202-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT5202-M3/4W 0.5755
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 vft5202 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 880 mV @ 5 a 150 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C 5a -
VS-12FL40S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FL40S02 5.1715
RFQ
ECAD 5686 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 12FL40 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 12 a 200 ns 50 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
1N6483HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6483HE3/97 -
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N6483 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1N6483HE3_A/I 귀 99 8541.10.0080 5,000 800 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
TZM5249C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5249C-GS08 -
RFQ
ECAD 8473 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5249 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
MMSZ5246C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5246C-HE3_A-18 0.0566
RFQ
ECAD 2467 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5246C-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
BZX584C6V2-V-G-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C6V2-VG-08 -
RFQ
ECAD 4996 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX584C-VG 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
V15PM12HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15pm12hm3/h 0.9600
RFQ
ECAD 1957 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v15pm12 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 840 mV @ 15 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 15a -
BZT55B9V1-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B9V1-GS08 0.0433
RFQ
ECAD 3147 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55B9V1 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
MMSZ4704-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4704-HE3-08 0.0368
RFQ
ECAD 1082 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4704 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 na @ 12.9 v 17 v
BZG03C68TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c68tr -
RFQ
ECAD 8483 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 51 v 68 v 25 옴
MMBZ4701-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4701-HE3-18 -
RFQ
ECAD 9826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4701 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 10.6 v 14 v
V60D120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60D120CHM3/i 2.6000
RFQ
ECAD 9876 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V60D120 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 30A 960 MV @ 30 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
DZ23C4V7-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C4V7-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 음극 음극 공통 4.7 v 78 옴
MMSZ5226B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5226B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 2323 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5226 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
ZMM5267B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5267B-7 -
RFQ
ECAD 3967 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA ZMM52 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) ZMM5267B-7GI 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 56 v 75 v 270 옴
RGP10D-5020M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10D-5020M3/54 -
RFQ
ECAD 1113 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52C20-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C20-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 7133 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C20 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 15 v 20 v 20 옴
BZG05B100-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B100-HM3-08 0.2079
RFQ
ECAD 8793 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B100 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 75 v 100 v 350 옴
VS-31DQ10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ10 -
RFQ
ECAD 4645 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31dq10 Schottky C-16 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고