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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
V40120CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40120CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3745 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 v40120 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 880 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5242C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5242C-HE3-08 -
RFQ
ECAD 5258 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5242 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
MMBZ5263B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5263B-E3-18 -
RFQ
ECAD 4642 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5263 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
MMSZ5242B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5242B-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 6404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5242 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
VX60M60PWHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx60m60pwhm3/p 2.0790
RFQ
ECAD 2893 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 vx60m Schottky TO-247AD 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-vx60m60pwhm3/p 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 630 mV @ 30 a 650 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
RGP10DEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DEHE3/91 -
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5262B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5262B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 2314 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5262 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 39 v 51 v 125 옴
AZ23B3V9-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B3V9-E3-08 0.0509
RFQ
ECAD 7020 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B3V9 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 3.9 v 95 옴
BZG04-12-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-12-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 8663 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 12 v 15 v
VS-3EAH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EAH02HM3/i 0.4200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn VS-3EAH02 기준 DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 960 MV @ 3 a 25 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-31DQ04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ04 -
RFQ
ECAD 8841 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31dq04 Schottky C-16 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 3 a 1 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
BZD27C12P-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C12P-M-18 -
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
AS4PG-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS4PG-M3/87A 0.3036
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AS4 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2266-AS4PG-M3/87A 귀 99 8541.10.0080 6,500 400 v 962 MV @ 2 a 1.8 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 60pf @ 4V, 1MHz
SE30PABHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se30pabhm3/i 0.4200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 SE30 기준 DO-221BC (SMPA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.16 V @ 3 a 1.3 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 13pf @ 4V, 1MHz
SS19-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS19-M3/61T -
RFQ
ECAD 2830 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA SS19 Schottky DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v - 1A -
STPS40L15CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division STPS40L15CT -
RFQ
ECAD 4859 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS40 Schottky TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 20A 410 mV @ 19 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
MMBZ4698-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4698-E3-18 -
RFQ
ECAD 5293 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4698 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 8.4 v 11 v
AZ23B16-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B16-G3-08 0.0594
RFQ
ECAD 6230 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B16 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 12 v 16 v 40
S1BA-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1BA-E3/5AT -
RFQ
ECAD 6180 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA S1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 100 v 1.1 v @ 1 a 1 µs 3 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VI40M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40M120C-M3/4W 1.2418
RFQ
ECAD 5931 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI40M120 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 890 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
BYQ28EF-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28EF-200-E3/45 -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 byq28 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 1.1 v @ 5 a 25 ns 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5244B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5244B-E3-08 -
RFQ
ECAD 5060 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5244 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
GP10QHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10QHE3/54 -
RFQ
ECAD 2799 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 1200 v 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
8ETX06STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8etx06strl -
RFQ
ECAD 8762 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8etx06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8etx06strltr 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 8 a 24 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
VS-10TQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ045PBF -
RFQ
ECAD 3098 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 10TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 760 mV @ 10 a 6 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
BZG03C20-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C20-M3-18 0.1815
RFQ
ECAD 7827 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C20 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
VB10150C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB10150C-E3/8W 0.5950
RFQ
ECAD 1949 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB10150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 1.41 V @ 5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B56-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B56-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 8815 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52B56-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 100 na @ 42 v 56 v 135 옴
VS-60APF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APF04PBF -
RFQ
ECAD 1980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 60APF04 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS60APF04PBF 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 60 a 180 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 60a -
SE70PBHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE70PBHM3_A/I 0.4125
RFQ
ECAD 4929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 100 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고