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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SMZJ3801AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3801HE3/5B -
RFQ
ECAD 6063 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj38 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
GP10-4003EHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4003EHM3/73 -
RFQ
ECAD 8164 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZX884B5V1L-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX884B5V1L-G3-08 0.3200
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX884L 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 0402 (1006 메트릭) 300MW DFN1006-2A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZG05C100-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C100-M3-18 0.1089
RFQ
ECAD 7513 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C100 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 75 v 100 v 350 옴
RS3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS3DHE3_A/I 0.2549
RFQ
ECAD 7364 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2.5 a 150 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 44pf @ 4V, 1MHz
S4PG-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PG-M3/86A 0.1751
RFQ
ECAD 4478 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn S4P 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 400 v 1.1 v @ 4 a 2.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 30pf @ 4V, 1MHz
TZX15B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx15b-tr 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX15 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 11.5 v 15 v 40
1N5224B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5224B-T -
RFQ
ECAD 8257 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5224 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1N5224B-TGI 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 2.8 v 1400 옴
V40100G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100G-E3/4W 1.0473
RFQ
ECAD 3429 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 V40100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
BYV37-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV37-TR 0.2574
RFQ
ECAD 9604 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 byv37 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.1 v @ 1 a 300 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
MUR460-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR460-M3/54 0.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 MUR460 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.28 V @ 4 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 4a -
ZGL41-120A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-120A-E3/96 0.5600
RFQ
ECAD 5564 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF ZGL41 1 W. GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 380 옴
VS-30ETH06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06-M3 1.5400
RFQ
ECAD 4668 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 30ETH06 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.6 V @ 30 a 35 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
EGP10C-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10C-M3/73 -
RFQ
ECAD 9938 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
SMBZ5945B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5945B-E3/5B 0.1676
RFQ
ECAD 3770 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBZ5945 3 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 51.7 v 68 v 120 옴
BZD27C120P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C120P-HE3-08 0.4500
RFQ
ECAD 3692 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C120 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120 v 250 옴
AZ23C12-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C12-G3-08 0.0474
RFQ
ECAD 7634 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C12 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
GDZ7V5B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ7V5B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ7V5 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 4 v 7.5 v 30 옴
BZT03D270-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D270-TR -
RFQ
ECAD 2425 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT03 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 7.04% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BZT03 1.3 w SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 25,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 200 v 270 v 1000 옴
BYT56G-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT56G-TAP 0.5148
RFQ
ECAD 3122 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYT56 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 3 a 100 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
TZM5244B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5244B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5244 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
SS1P5L-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P5L-M3/85A 0.0833
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS1P5 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 590 mV @ 1 a 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
V10K100DU-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10k100du-m3/h 0.7500
RFQ
ECAD 2861 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn v10k100 Schottky flatpak 5x6 (이중) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 100 v 5a 750 mV @ 5 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZX55B39-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B39-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55B39 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 30 v 39 v 90 옴
RGP02-20E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-20E-E3/54 0.6500
RFQ
ECAD 1979 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP02 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2000 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 2000 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
1N5231B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5231B-T -
RFQ
ECAD 5842 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5231 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 1600 옴
AZ23C20-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C20-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 1511 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23C20-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
MMSZ5229C-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5229C-HE3_A-08 0.0566
RFQ
ECAD 2682 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5229C-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
VS-42HF160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42HF160 8.9270
RFQ
ECAD 9809 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 42HF160 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS42HF160 귀 99 8541.10.0080 100 1600 v 1.5 V @ 125 a -65 ° C ~ 160 ° C 40a -
BZX84C12-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C12-HE3_A-08 0.0498
RFQ
ECAD 3838 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84C12-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고